ARM 加速推動 7 納米芯片進程，終端預計于 2018 年問世

　　據海外媒體報道，ARM 于 12 日宣布，將參與 IMEC (歐洲微電子研究中心)代號為 INSITE 的計劃，借此以強化雙方的合作。據了解，INSITE 計劃乃是致力于優化集成電路設計、系統層面架構的功耗表現，并且產品提高性能與降低成本。

　　ARM 表示，本次合作的重點是 7 納米制程及其以上的半導體芯片為主。未來，兩者進一步合作后，預計將可透過學習新技術與設計目標，加速半導體芯片的性能提升，使其在 INSITE 計劃下的戰略性產品能夠盡早進入市場。

　　2009 年 IMEC 即啟動的 INSITE 計劃，目前有 10 個企業或單位加入，其目的在于要幫助企業或單位預測新技術，以設計出符合下一代系統的設計和應用。而且，借由 INSITE 計劃中假設的學習過程，可以適當調整設計目標和權衡預期系統的性能狀態，確認相關產品未來的發展路線，借由早期技術回饋，能在產品設計的早期就決定變化。如此，不但加快企業或單位在新技術項目上的學習周期，更可降低風險的科技應用。

　　而在 INSITE 計劃下，根據最近一次的成果展現是預計 2016 年 10 到 12 月間，臺積電將會量產 10 納米 FinFET 制程的聯發科 Helio X30 ，以及華為麒麟 970 芯片。而華為的麒麟 970 芯片將有望于 11 月上市的 Mate 9 智能型手機上被采用。至于，安裝 7 納米制程芯片的智能手機，則預計將會在 2018 年左右登場。