3nm 文章 最新資訊
無需3nm工藝 全球首顆商用存內(nèi)計算SoC問世:功耗低至1毫安
- 臺積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝,這是當前最先進的半導體工藝,然而3nm這樣的工藝不僅成本極高,同時SRAM內(nèi)存還有無法大幅微縮的挑戰(zhàn),國產(chǎn)半導體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片,是全球首顆商用存內(nèi)計算SoC。存內(nèi)計算是一種新型架構的芯片,相比當前的計算芯片采用馮諾依曼架構不同, 存內(nèi)計算是計算與數(shù)據(jù)存儲一體,可以解決內(nèi)存墻的問題,該技術60年代就有提出,只是一直沒有商業(yè)化。知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內(nèi)計算SoC芯片,擁有高算力存內(nèi)計算核,相對于NPU、DSP
- 關鍵字: 臺積電 3nm 內(nèi)存芯片
臺積電下周舉行3納米量產(chǎn)典禮 臺媒稱宣示深耕臺灣決心
- 日前,臺積電發(fā)出活動通知,預計12月29日在臺南科學園區(qū)的晶圓18廠新建工程基地,舉行3納米量產(chǎn)暨擴廠典禮,屆時將有上梁儀式。業(yè)界認為,由于臺積電過往先進制程量產(chǎn)罕有舉辦實體活動,此舉意義重大。據(jù)臺灣地區(qū)媒體經(jīng)濟日報報道,臺積電擴大美國投資,外派工程師赴美支援,引發(fā)“去臺化”、掏空臺灣疑慮,即將舉行的3納米量產(chǎn)暨擴廠典禮,罕見以實際行動宣示持續(xù)深耕臺灣的決心,化解外界疑慮。報道指出,相較于對手三星(Samsung)于今年6月30日搶先宣布3納米GAA技術量產(chǎn),并于7月25日在京畿道華城廠區(qū)內(nèi)盛大舉行3納米
- 關鍵字: 臺積電 3nm
代工價格高達14萬元 臺積電3nm真實性能大縮水:僅比5nm好了5%

- 臺積電當前量產(chǎn)最先進的工藝是5nm及改進版的4nm,3nm工藝因為種種原因一直推遲,9月份就說量產(chǎn)了,又說年底量產(chǎn),不過這個月就算量產(chǎn),真正放量也要到明年了。根據(jù)臺積電之前的消息,3nm節(jié)點上至少有5代衍生版工藝,分別是N3、N3P、N3S、N3X及N3E,其中N3工藝是最早量產(chǎn)的,但是這版工藝遭到客戶棄用,很大可能就放棄了,明年直接上N3E工藝。對比N5工藝,N3功耗可降低約25-30%,性能可提升10-15%,晶體管密度提升約70%。N3E在N3的基礎上提升性能、降低功耗、擴大應用范圍,對比N5同等性
- 關鍵字: 臺積電 3nm 性能
三星:3nm 代工市場 2026 年將達 242 億美元規(guī)模
- 12 月 11 日消息,三星電子 Foundry 代工部門高級研究員樸炳宰本周四在“2022 年半導體 EUV 全球生態(tài)系統(tǒng)會議”上發(fā)表了演講。他表示,到 2026 年,全球 3 納米工藝節(jié)點代工市場將達到 242 億美元規(guī)模,較今年的 12 億美元增長將超 20 倍。目前,三星電子是唯一一家宣布成功量產(chǎn) 3 納米芯片的公司,隨著三星電子、臺積電、英特爾等半導體大廠開始引進 EUV 設備,工藝技術不斷發(fā)展,預計 3 納米工藝將成為關鍵競爭節(jié)點。根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù),截至今年年底,在晶圓代工市場中占據(jù)
- 關鍵字: 三星 3nm 代工 芯片
制造成本高出50%!臺積電為何還要在美國建3nm晶圓廠?

- 11月21日消息,由泰國主辦的2022年亞太經(jīng)濟合作經(jīng)濟領袖會議(APEC)于19日結束。作為APEC企業(yè)領袖代表的臺積電創(chuàng)始人張忠謀今日出席了“2022 亞太經(jīng)濟合作會議(APEC)代表團返臺記者會”,并在會上首度證實臺積電將在美國建3nm制程晶圓廠,因為臺積電不可能把生產(chǎn)分散到很多地方。在談到國際有想把芯片供應鏈“去臺化”的現(xiàn)象時,張忠謀表示,這其實是很多人的“羨慕、嫉妒”。臺積電宣布將在美國建3nm晶圓廠目前臺積電斥資120億美元在美國亞利桑那州興建的12英寸5nm制程晶圓廠即將完成土建,預計將于1
- 關鍵字: 臺積電 3nm
臺積電新動向:28納米新廠動工、將在美國導入3納米
- 28納米新廠動工晶圓代工廠臺積電今天表示,高雄廠已經(jīng)整地,目前已正式動工建廠,將依原規(guī)劃于2024 年量產(chǎn)。今年九月,市場目光聚焦臺積電7納米產(chǎn)能利用率,瑞銀證券點出,受制于Android陣營智能機需求差,以及CPU、GPU客戶升級5納米制程,研判7納米制程2023年上半年產(chǎn)能利用率恐只剩7成,內(nèi)外資大行看訂單能見度保守以對??偛梦赫芗冶硎?,受到7、6納米產(chǎn)能利用下滑影響,臺積電將同步調(diào)整高雄廠產(chǎn)能規(guī)劃,優(yōu)先切入28納米。因此,高雄的7納米廠建置時間暫時延后,28納米廠仍按進度進行,臺積電高雄廠的動向備受
- 關鍵字: 臺積電 3nm
被三星搶先,消息稱臺積電 3nm 制程工藝量產(chǎn)時間再次推遲
- 10 月 19 日消息,臺積電本應在上個月開始生產(chǎn)使用其 3 納米工藝節(jié)點的芯片,然而根據(jù) Seeking Alpha 的一份新報告,臺積電的 3 納米芯片生產(chǎn)已被推遲到 2022 年第四季度。另一方面,三星在今年 6 月開始生產(chǎn)使用 3 納米工藝節(jié)點的芯片,搶在了臺積電之前。即使臺積電本月開始生產(chǎn) 3 納米芯片,三星仍領先三個月。不過,三星目前生產(chǎn)的 3 納米芯片數(shù)量非常少,這很可能是因為該公司需要更多時間來提高產(chǎn)量。由于產(chǎn)能低,三星目前只向一家中國加密貨幣公司提供 3 納米芯片,還沒能與
- 關鍵字: 臺積電 3nm
TrendForce集邦咨詢發(fā)布2023年十大科技產(chǎn)業(yè)脈動

- 全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢針對2023年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展,整理十大科技產(chǎn)業(yè)脈動,精彩內(nèi)容請見下方:晶圓代工先進制程步入晶體管結構轉換期,成熟制程聚焦特殊制程多元發(fā)展純晶圓代工廠制程由16nm開始從平面式晶體管結構(Planar Transistor)進入FinFET世代,發(fā)展至7nm制程導入EUV微影技術后,F(xiàn)inFET結構自3nm開始面臨物理極限。先進制程兩大龍頭自此出現(xiàn)分歧,TSMC延續(xù)FinFET結構于2022下半年量產(chǎn)3奈米產(chǎn)品,預計2023上半年正式產(chǎn)出問世,并逐季提升量產(chǎn)規(guī)模
- 關鍵字: TrendForce 集邦咨詢 5G 3nm 碳中和 ADAS
消息稱AMD CEO蘇姿豐將親自造訪臺積電:商談2nm和3nm芯片產(chǎn)能

- 據(jù)國外媒體報道,AMD首席執(zhí)行官(CEO)蘇姿豐和公司其他C級高管希望在9月底或11月初前往臺灣地區(qū),探索與當?shù)睾献骰锇榈暮献?。蘇姿豐前往臺灣地區(qū)的主要原因似乎是與臺積電會面,與臺積電CEO魏哲家討論N3 Plus(N3P)和2nm級(N2)制造技術的使用以及未來的短期和長期訂單,使AMD獲得足夠的基于3nm和2nm級等未來節(jié)點的晶圓分配。AMD近年來取得的顯著成功很大程度上歸功于臺積電利用其極具競爭力的工藝技術大批量生產(chǎn)芯片的能力。AMD的CPU和GPU產(chǎn)品線才剛開始向5nm制程節(jié)點切換,并且臺積電的2
- 關鍵字: AMD 蘇姿豐 臺積電 2nm 3nm 芯片
臺積電魏哲家:3 納米即將量產(chǎn),2 納米保證 2025 年量產(chǎn)

- IT之家 8 月 30 日消息,據(jù)中國臺灣經(jīng)濟日報,臺積電總裁魏哲家今日現(xiàn)身 2022 臺積電技術論壇并提到,臺積電 3 納米思考良久維持 FF 架構并即將量產(chǎn),至于 2 納米也可和在座各位保證 2025 年量產(chǎn)會是最領先技術。據(jù)悉,臺積電 2 納米技術和 3 納米技術相比,功效大幅往前推進。在相同功耗下,速度增快 10~15%,或在相同速度下,功耗降低 25~30%。值得一提的是,聯(lián)發(fā)科全球副總裁兼無線通信事業(yè)部總經(jīng)理徐敬全 JC Hsu 在演講期間展示合作簡報,魏哲家眼尖發(fā)現(xiàn)“效能僅提升 2
- 關鍵字: EDA 3nm 臺積電
3nm介紹
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