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        3nm 文章 最新資訊

        臺積備戰3nm全靠極紫外光(EUV)微影設備

        •   極紫外光(EUV)微影設備無疑是半導體制程推向3nm的重大利器。這項每臺要價高達逾近億美元的尖端設備,由荷商ASML獨家生產供應,目前主要買家全球僅臺積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。   EUV設備賣價極高,原因是開發成本高,因此早期ASML為了分攤開發風險,還特別邀請臺積電、三星和英特爾三大廠入股,但隨著開發完成,臺積電后來全數出脫艾司摩爾股票,也獲利豐碩。   有別于過去半導體采用浸潤式曝光機,是在光源與晶圓中間加入水的原理,使波長縮短到193/132nm的微影技術,EUV微影設備是利
        • 關鍵字: 臺積電  3nm  

        臺灣:AI終端芯片需要3nm制程生產

        •   人工智能(AI)成為下世代科技發展重點,工研院 IEK 計劃副組長楊瑞臨表示,AI 終端載具數量將遠小于手機,半導體產業挑戰恐將增大,芯片業者應朝系統與服務領域發展。   工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)計劃副組長楊瑞臨指出,人工智能大致可分為數據收集與決策兩部分;其中,數據收集方面,因需要大量運算,應在云端進行。   決策方面,目前各國仍以云端發展為主,楊瑞臨表示,未來決策能否改由終端執行,是各界視為臺灣發展 AI 的一大機會。   只是無人機、自駕車、機器人與虛擬現實(VR)/擴增實境
        • 關鍵字: AI  3nm  

        臺灣:臺積電在臺灣投資3nm廠是必然

        •   近期因限電危機,傳出臺積電3nm廠可能轉往美國投資,臺灣“行政院長”林全表示,「臺積電在臺灣投資3nm廠是必然的」,現在的問題只是落腳哪里。   林全表示,包括臺南、高雄都拚命爭取臺積3nm廠落腳。 相較于其他企業也有很好的投資案,但地方政府就沒有這么大的回響,或許和企業形象、經營成功度、員工待遇都有很大關系。   外界質疑政府只關愛臺積電一家公司,林全反駁,政府對企業是「一視同仁的,不會有差別待遇」。 他以臺塑為例表示,臺塑遇到最大的挫折就是環評被退回,因此他去年上任后就
        • 關鍵字: 臺積電  3nm  

        臺積電公開回復:東芝競標案和3nm廠選址

        •   臺積電13日的法說會中,針對近期兩大熱門議題:日本半導體大廠東芝NAND Flash部門競標案、先進制程3奈米晶圓廠的選址,一一對外界做最新的回覆。   自從臺積電董事長張忠謀公開表示,考慮參與日本半導體大廠東芝(Toshiba)競標案后,臺積電對該案的態度備受市場關注,尤其參與競標者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。   臺積電13日指出,內部確實評估過該案,但最后決定不去參與競標,主要是兩大原因,第一,內部認為這種標準型記憶體的商業模式和邏輯產業很不一樣,第二是
        • 關鍵字: 臺積電  3nm  

        英特爾7億美金建廠美國 臺積電5000億投資3nm技術

        •   晶圓代工龍頭臺積電正式將赴美國設立晶圓廠列入選項,且目標直指最先進且投資金額高達5000億元的3納米制程。臺灣地區媒體報道稱,臺積電3納米出走將撼動全球半導體江山。   擔憂臺灣代工基地空氣不佳、電力不穩   臺媒引述指出,臺積電政策轉向,主因是南科高雄園區路竹基地,環評作業完成時間可能無法配合臺積電需求,加上空氣品質及臺灣電力后續穩定不佳,也是干擾設廠的變數。   臺積電表示,南科高雄園區路竹基地也未排除在外,持續觀察,選地尚未決定。至于電力問題,臺積電重申,考慮設廠地點,水、電、土地、人才,
        • 關鍵字: 英特爾  3nm  

        臺積電斥資157億美元打造5nm/3nm芯片生產線

        •   臺科技部長陳良基15日接受經濟日報專訪時表示,他上任后主動拜會臺積電董事長張忠謀等科技大老,對臺積電3納米計劃需求,政府將全力協助,也會特別關注半導體產業,并從近程及長期著手協助產業升級。   對于空污總量管制等環保要求,會否影響臺積電3納米進程,陳良基說:「我比較審慎樂觀。我有看到臺積電對3納米需求,水電、土地、空污等因應措施,并沒有不能解決的悲觀。」他并預言,以人工智能(AI)技術為主的沛星互動科技(Appier),十年后有可能成為另一個「臺積電」。   陳良基說,他跟張忠謀常碰面,上任后
        • 關鍵字: 臺積電  3nm  

        半導體走到3nm制程節點不成問題

        •   在剛剛閉幕的2016年ITF(IMEC全球科技論壇)上,世界領先的獨立納米技術研究機構——IMEC的首席執行官Luc van den Hove指出,“scaling(尺寸縮小)還會繼續,我不僅相信它將會繼續,而且我認為它不得不繼續。”   他認為,目前從技術層面來說,FINFET、Lateral Nanowire(橫向納米線) 和Vertical Nanowire(縱向納米線)已經可以幫我們持續推進到3nm的制程節點。EUV光刻技術將是未來的唯一選擇。
        • 關鍵字: 3nm  半導體  
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