3d-touch 文章 最新資訊
TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器
- ●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
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3D ToF相機(jī)于物流倉儲自動化的應(yīng)用優(yōu)勢
- 3D ToF智能相機(jī)能藉助飛時(shí)測距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉儲現(xiàn)場精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運(yùn)車移動順暢，加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M(fèi)模式與型態(tài)，導(dǎo)致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長；于此同時(shí)，人員移動的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉儲行業(yè)自動化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導(dǎo)入無人搬運(yùn)車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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3D DRAM時(shí)代即將到來，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)
- 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿哟鎯ζ骷夹g(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案
- MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達(dá)到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個(gè) Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。 該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機(jī)，支持 5 軸電機(jī)控制，支
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案
- 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機(jī)器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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聚積科技參與2023智能顯示展覽會 (Touch Taiwan)
- (2023年4月20日) 聚積科技屹立LED驅(qū)動芯片產(chǎn)業(yè)二十多年，持續(xù)投入既有的LED顯示屏市場，也不間斷地競逐嶄新領(lǐng)域，「電動車/ 智慧座艙」就是其一。聚積科技在2023智能顯示展覽會(Touch Taiwan)中展示一系列應(yīng)用于正在或是即將發(fā)生的車用照明或是車用顯示的LED驅(qū)動芯片。?聚積科技展示一系列應(yīng)用于正在或是即將發(fā)生的車用照明或是車用顯示的LED驅(qū)動芯片?車用照明展品：自適應(yīng)頭燈(ADB)汽車軟件化成為未來設(shè)計(jì)新主流，設(shè)計(jì)電動車/ 智能座艙如開發(fā)軟件般彈性，汽車將更聰明自主
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平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規(guī)則？
- 近日，外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱，三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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外媒：存儲大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長動力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎”
- 國內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注。“3D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D InCi
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