- 3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
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3D NAND 存儲器
- 3D電影現在比比皆是，相必大家都不陌生了吧，但是你知道3D的原理嗎?不知道的話，就隨小編一起來學習一下吧~~~
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3d原理 3D
- 近日科學家為身在國際空間站或者執行火星任務的宇航員研發了一種虛擬現實3D帽舌。佩戴該帽舌的宇航員可以看到覆蓋在現實世界之上的虛擬圖像，后者能夠輔助宇航員獨自進行外科手術治療疾病。
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3D 太空手術 創新技術
- 加拿大皇后大學人類媒體實驗室研究員研發成功的“TeleHuman”3D全息投影設備，能將科幻片中經常出現的3D虛擬投影變成現實。這款設備開發本意就是用3D全息影像來代替現有的平面視頻會議.
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3D 全息投影技術 遠程醫療
- 隨著移動互聯網的持續發展以及物聯網的高速增長，移動寬帶技術不斷向前演進。移動寬帶技術的發展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年，全球移動用戶連 接數預計將達到70億，覆蓋全球96%以上的人口，其中3G和4G移動用戶連接數之和也將達到24億，占據全球總量的三分之一以上。這些數據表明MBB業 務正在快速增長。
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移動通信 天線技術 創新 3D-MIMO 波束智能賦型
- DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領域延伸的一項重要技術。
3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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摩爾定律 3D NAND
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產。
三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產線投資項目。據三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。
新芯片廠主要用于生產高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器。快閃存儲器可取代傳統硬盤，并廣泛應用于數碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。
市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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三星 3D NAND
- “首屆IC咖啡國際智慧科技產業峰會”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產品的戰略思考。
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存儲器 3D NAND DRAM 20170203
- 據海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業界人士預估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
Chosun Biz日前引述業界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產所需設備及人力費用。
三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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三星 3D NAND
- 容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統硬盤市場的規模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容量SSD將成為各式系統設備及消費者的優先選擇。
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3D NAND SSD
- 3D并不是什么新技術，在消費電子領域已有廣泛的應用，但在汽車應用中卻處于起步階段，仍需要相關技術和解決方案有所突破。以汽車安全駕駛應用為
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車載 3D 安全駕駛
- 去年英特爾宣布了內存技術突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據稱會從根本上改變計算，但是現在傳出這一技術及其產品將被嚴重推遲發布。
根據英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著小于現有型號。英特爾當時宣稱這一新技術不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產與推廣。不幸的是，現在看起來英特爾已經遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術和產品
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英特爾 3D XPoint
- 去年英特爾宣布了內存技術突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據稱會從根本上改變計算，但是現在傳出這一技術及其產品將被嚴重推遲發布。
根據英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著小于現有型號。英特爾當時宣稱這一新技術不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產與推廣。不幸的是，現在看起來英特爾已經遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術和產品
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英特爾 3D XPoint
- 摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發展半導體產業的規劃中，存儲芯片是最優先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。
2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
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SSD 3D NAND
- 由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發展半導體產業的規劃中，存儲芯片是最優先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。
2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
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3D NAND
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