應用材料公司和新加坡科技研究局研究機構--微電子研究院 (IME) 7號共同在新加坡第二科學園區共同為雙方連手合作的先進封裝卓越中心舉行揭幕典禮。
該中心由應用材料和 IME 合資超過 1 億美元設立，擁有14,000 平方英尺的10級無塵室，配有一條完整的十二吋制造系統生產線，能支持3D芯片封裝研發，促使半導體產業快速成長。這座中心的誕生是為了支持應用材料公司和 IME 之間共同的研究合作，同時也能讓雙方各自進行獨立的研究計劃，包括制程工程、整合及硬件開發等。目前已有一組 50 人以上的團隊在
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應用材料 3D芯片
美國半導體科技研發聯盟 Sematech 旗下的3D Enablement Center (3DEC)與美國半導體產業協會(SIA)、Semiconductor Research Corp. (SRC)，日前共同定義出了wide I/O DRAM 之后的未來3D芯片(3D IC)技術殺手級應用，以及將遭遇的挑戰。
Sematech 表示，上述單位的眾學者專家經過討論之后，定義出異質運算(heterogeneous computing)、內存、影像(imaging)、智能型感測系統(smart s
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Sematech 3D芯片
據臺灣對外貿易發展協會(TAITRA)透露，芯片業代工巨頭臺積電公司可望于今年年底前推出業內首款采用3D芯片...
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臺積電 3D芯片 能耗
據臺灣對外貿易發展協會(TAITRA)透露，芯片業代工巨頭臺積電公司可望于今年年底前推出業內首款采用3D芯片堆疊技術的半導體芯片產品。Intel 則曾于今年五月份表示，他們將于今年年底前開始量產結合了三門晶體管技術(臺積電計劃14nm節點啟用類似的Finfet技術)的芯片產品。而臺積電這次 推出采用3D芯片堆疊技術半導體芯片產品的時間點則與其非常靠近。
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臺積電 3D芯片
設計自動化大會(Design Automation Conference：DAC)已經舉辦到了第三天，前兩天的議題主要圍繞EDA自動化設計軟件，Finfet發明人胡志明教授談Intel的Finfet技術，以及IBM談14nm制程技術等等，不過前兩天的會議內容并沒有什么特別新鮮的內容。第三天的主要討論熱點則轉移到了3DIC技術方面。
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高通 3D芯片
Atrenta日前宣布，其與IMEC合作的3D整合研究計劃，己針對異質3D堆疊芯片組裝開發出了規劃和分割設計流程。Atrenta和IMEC也宣布將在今年6月6~8日的DAC展中，展示雙方共同開發的設計流程。
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Atrenta 封裝技術 3D芯片
看好3D市場，DRAM大廠爾必達日前宣布，將與臺灣力成科技、聯華電子正式簽約，攜手展開TSV產品的共同開發;爾必達表示，三方還將針對3D IC整合技術、28納米先進制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)進行開發與商務合作。
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爾必達 3D芯片
據南韓電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics)已完成3D芯片生產系統的建構，正準備投入量產。近來英特爾(Intel)宣告領先全球開發出3D芯片，三星也表示持有相當數量的相關技術，且已確保量產技術。
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三星 3D芯片
Gartner分析師指出，英特爾新3D Tri-Gate晶體設計將不足以達成該公司在手機與平板計算機市場的野心。
Gartner副總裁杜拉內(Ken Dulaney)表示，英特爾(Intel)將采用突破技術支持Ivy Bridge 22納米處理器，但它的設計將不足以進入移動市場。
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英特爾 3D芯片
盡管晶體管的延遲時間會隨著晶體管溝道長度尺寸的縮小而縮短，但與此同時互聯電路部分的延遲則會提升。舉例而...
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單片型 3D芯片
盡管最近幾年以TSV穿硅互聯為代表的3D芯片技術在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術到底有沒有可能付諸實用，而且這項技術的實際發展速度 也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段。不過，許多芯片制造商仍在竭力推進基于TSV的3D芯片技術的發展并為其投入研發資金，這些廠商 包括IBM,Intel，三星，東芝等等，3D芯片技術的優勢在于可以在不需要改變現有產品制程的基礎上增加產品的集成度，從而提高單位芯片面積內的晶體 管數量。
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3D芯片 堆疊
2011年1月5日，全球無線通信及數字媒體IC設計領導廠商聯發科技股份有限公司(MediaTek Inc.)今日宣布將于2011消費電子展(CES: The International Consumer Electronics Show)推出全球首款支持120Hz偏光/快門式3D技術的單芯片解決方案，提供消費者更為優質驚艷的3D視覺體驗，同時更推出新一代智能型電視芯片解決方案，掀起“客廳革命”的風暴。此方案不僅大幅提升無線鏈接速度，其傳輸質量也更穩定。
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聯發科技 3D芯片
Applied Materials正在引領通孔硅技術(TSV)實現大規模量產。TSV技術通過芯片的多層連接，實現性能提升、功能改善、小型封裝、降低功耗，被視為未來移動芯片領域的重要技術。Applied Materials發布Applied Producer Avila系統，成為首家提供全方位TSV方案的供應商，加速了3D-IC的上市時間。
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應用材料 3D芯片 移動芯片
IC尺寸微縮仍面臨挑戰。
為了使芯片微縮，總是利用光刻技術來推動。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術。
1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設計中，采用硅襯底和高k金屬柵。在硅與高k材料之間有低k材料。對于零低k界面，免去了低k材料，提高驅動電流并減少漏電。這是16nm節點的一種選擇。
2. 單金屬柵堆疊：與傳統晶體管相比，高k金屬柵利用了單金屬柵堆疊結構，這改善了晶體管性能，且降低了器件功耗。
3. III-V族材料上柵堆疊：Int
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摩爾定律 45納米 3D芯片
3d芯片介紹
世界上第一款3D芯片工藝已經準備獲取牌照，該工藝來自于無晶圓半導體設計公司BeSang公司。BeSang公司制作的用于演示的芯片在其控制邏輯上使用了1.28億個垂直晶體管用作內存位單元。該芯片的設計在國家Nanofab中心(韓國大田)和斯坦福Nanofab(美國加州)進行。BeSang公司稱，該工藝由25個專利所保護，將允許Flash、DRAM以及SRAM放置在邏輯電路、微處理器以及片上系統上 [
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