3d x-dram 文章 最新資訊
TrendForce：價格漲勢不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉為行動式內(nèi)存與服務器用內(nèi)存。在供應逐漸吃緊下，第三季開始標準型內(nèi)存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內(nèi)存的價格上揚。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來于第四
- 關鍵字： TrendForce DRAM
價格漲勢不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉為行動式內(nèi)存與服務器用內(nèi)存。在供應逐漸吃緊下，第三季開始標準型內(nèi)存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內(nèi)存的價格上揚。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來于第四
- 關鍵字： DRAM 南亞科
DRAM戰(zhàn)國時代 長江存儲、聯(lián)電、合肥長芯三大勢力將對決
- 近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權大戰(zhàn)，長江存儲傳已評估到南京設立12寸廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長芯，由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰(zhàn)2018年，搶當大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。 盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現(xiàn)，長江存儲將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術，由
- 關鍵字： DRAM 長江存儲
SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領域將目標訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術本部長金進國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，公司
- 關鍵字： SK海力士 DRAM
SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領域將目標訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術本部長金進國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，公司
- 關鍵字： SK海力士 DRAM
三星2Q'17起或將全面采20納米制程生產(chǎn)移動DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)被預估自2017年第2季開始，將全面采用20納米或以下的制程技術生產(chǎn)所有移動DRAM產(chǎn)品，意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術生產(chǎn)移動DRAM芯片，由此顯示出三星在制程技術上的加速演進。 韓聯(lián)社等外媒報導，根據(jù)市場研究公司DRAMeXchange指出，據(jù)信在2016年第4季三星生產(chǎn)的移動DRAM芯片中，約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術生產(chǎn)。 到目前三星移動DRAM芯片采20納米制程生產(chǎn)比重為82%、18納米為
- 關鍵字： 三星 DRAM
TrendForce：十月DRAM價格月漲逾20%，4GB模組均價來到17.5美元
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價格，4GB模組均價來到17.5美元，較上月的14.5美元上漲逾20%;現(xiàn)貨市場也依然維持強勁的上升格局，DDR3/4 4Gb價格分別來到2.46/2.48美元，較上月同期比較已上漲17%與24%，顯見市場對于后市上漲仍將持續(xù)保持樂觀的態(tài)度。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，觀察市場面，由于原廠產(chǎn)能陸續(xù)轉進行動式內(nèi)存與服務器內(nèi)存后，
- 關鍵字： TrendForce DRAM
傳三星 DRAM 明年邁 15 納米
- 三星電子智能手機吃悶棍，力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位，將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠遠落后，技術差距約為一年半。 BusinessKorea 31 日報導，半導體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM，準備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重，目標明年下半提高至 30~40%。相關人士說，明年三星 10 納
- 關鍵字： 三星 DRAM
英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當時宣稱這一新技術不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術和產(chǎn)品
- 關鍵字： 英特爾 3D XPoint
3d x-dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d x-dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d x-dram的理解，并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d x-dram的理解，并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
3d x-dram電路
3d x-dram相關帖子
3d x-dram資料下載
3d x-dram專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473