去年英特爾宣布了內存技術突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據稱會從根本上改變計算，但是現在傳出這一技術及其產品將被嚴重推遲發布。
根據英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著小于現有型號。英特爾當時宣稱這一新技術不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產與推廣。不幸的是，現在看起來英特爾已經遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術和產品
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英特爾 3D XPoint
市場研究機構IC Insights的最新報告將對2016年全球半導體市場營收的成長率預測，由原先的-2%提升為1%;此外該機構預測，2016年全球IC出貨量成長率將在4~6%之間。IC Insights調升半導體市場成長率的很大一部分原因，來自于DRAM市場的強勁表現。
IC Insights指出，自2002年以來，全球IC市場在第三季平均季成長率為8%，但去年第三季市場成長率僅成長約1%左右;2016年第三季的IC市場成長率則出現了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機構預期，2016年第四
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存儲器 DRAM
據ICInsight的最新預測，2016年全球半導體業的增長率將是1%，之前的預測為下降2%。它的最新預測為2016年增長1%，及2017年增長4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預測增加4%，上升至6%。
IC Insight修正預測的原因是DRAM的價格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達62%。如今由于智能手機及PC對于DRAM的容量需求上升，導致市場缺貨，價格止跌回升。三星等又重新開始擴大投資，增加
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SMIC DRAM
摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發展半導體產業的規劃中，存儲芯片是最優先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。
2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
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SSD 3D NAND
行動裝置的記憶體不斷擴大!三星電子宣布，智慧機將進入8GB DRAM年代，該公司已經開始生產，外界預料將用于明年初問世的Galaxy S8。
韓聯社報導，三星電子20日發布業界首見的8GB行動DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動DRAM的到來，可讓次世代旗艦機的功能更上一層樓。
目前智慧機行動DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢幕、虛擬實境(VR)等的需求。三星并宣稱，新品效能與當前
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三星 DRAM
由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發展半導體產業的規劃中，存儲芯片是最優先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。
2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
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3D NAND
半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產權(IP)產品領先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術，進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術，并正與DRAM制造商進行許可協商。
“Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術的領導者而聞名，我
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Kilopass DRAM
10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術，簡稱VLT技術。據Kilopass首席執行官Charlie Cheng稱，該技術集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優點于一身，有可能顛覆目前的DRAM產業格局。
最適用于云計算/服務器市場的DRAM技術
Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩定，未來隨著PC、手機等方面的市場需求萎縮，新的增長點將出現在云計算/服務器等市場領域。然而當前
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VLT DRAM
DRAM (動態隨機訪問存儲器)對設計人員特別具有吸引力，因為它提供了廣泛的性能，用于各種計算機和嵌入式系統的存儲系統設計中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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存儲器 DRAM SDRAM
YouTube上的科技頻道總不乏各種技術宅的奇思妙想，日前，一位名為“Mrwhosetheboss”發布了一則有趣的視頻，記錄了他將一臺智能手機打造成一臺3D全息投影儀的全過程。 下面就讓我們一起來見證一下奇跡發
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3D 全息投影儀 DIY
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續調整產出比重，標準型內存在供貨持續吃緊下，九月合約價維持強勁上漲走勢，均價已來到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成，創下兩年來的新高點。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM現貨顆粒價格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應求
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DRAM
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續調整產出比重，標準型內存在供貨持續吃緊下，九月合約價維持強勁上漲走勢，均價已來到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成，創下兩年來的新高點。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM現貨顆粒價格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應求
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TrendForce DRAM
南亞科總經理李培瑛29日出席臺灣半導體產業年會(TSIA)表示，南亞科計劃兩年投資500億元，這不是小數目的投資，其目的在于提升芯片價值，而非拉升全球市占率，未來新存儲器技術ReRAM、3D XPoint都值得注意，且臺灣的DRAM產能仍占全球產能的20%。
再者，南亞科召開重大訊息指出，為導入20納米制程技術，從2016年2月至9月29日為止，向臺塑網科購置制程網路及伺服器等相關設備，總價款約3.43億元。整體來看，南亞科為配合20納米制程技術轉換制程，預計花430億~450億元進行相關設備擴
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南亞科 DRAM
DRAM現貨價漲不停，主流規格DDR4 4Gb芯片均價昨(27)日正式站穩2美元、達2.1美元，攀上七個多月來高點，本季來大漲逾24%，第4季報價持續看漲一成，南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進補。
業界透露，在全球存儲器芯片龍頭三星拉抬報價帶動下，DRAM漲勢延續，9月以來已連續三周上漲，漲勢明確，伴隨追價買盤進場，漲勢加大。
根據全球市場研究機構TrendForce集邦科技昨日晚間最新報價，DDR4 4Gb芯片正式站穩2美元、均價來到2.1美元，單日漲幅1.6%，合計本周以來二個交易日
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DRAM 存儲器
三星主導調漲DRAM報價策略奏效，全球市場研究機構TrendForce集邦科技最新DRAM現貨報價連四天緩步上揚，主流DDR4 4Gb DRAM有機會向2美元叩關，也是近2個月來漲勢最明確的半導體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等，可望重掌多頭反攻號令。
存儲器渠道商表示，三星和SK海力士近期主導價格漲勢態度積極，除8月調漲DRAM報價，第4季合約價也再漲一成，連同第3季合約價調漲15%，等于下半年漲幅約25%。
2大韓系DRAM大廠的市占逾八成，主導DRAM漲價策略奏效
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三星 DRAM
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