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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d x-dram

        3d x-dram 文章 最新資訊

        美光3D NAND將殺到!打破三星獨霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

        • 目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn),但是先有東芝殺入敵營,如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨大的情況將畫下句點,3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
        • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

        Toppan Photomasks, Inc批準(zhǔn)在中國建設(shè)先進光掩模生產(chǎn)線項目

        •   全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準(zhǔn)對近期擴建的中國上海廠的下一階段投資計劃;該廠由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營。TPI將對此工廠再投資8000萬美元以展現(xiàn)其對中國快速成長的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及客戶之長期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。   
        • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

        面對大陸攻勢 三星海力士強化3D NAND投資

        •   據(jù)韓國經(jīng)濟報導(dǎo),大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強力支援下,清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略,迫使南韓、日本、美國等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強化投資。   市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示,全球半導(dǎo)體市場中,NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權(quán)收購,成立長江存儲科技有限責(zé)任公司,未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。   清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈,在社會上擁有一定的影響力,武漢新芯擁有技術(shù)方面
        • 關(guān)鍵字: 三星  3D NAND  

        DRAM業(yè)恐掀巨變 美光面臨生存戰(zhàn)

        • 并購以后DRAM市場的“貧富差距”愈形明顯,產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)可能掀起巨變。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

        2016年全球DRAM市場與趨勢分析

        • 本文主要介紹和分析了2015和2016年DRAM市場走勢。結(jié)論是2016年第三季度DRAM已經(jīng)平穩(wěn)上漲4%~8%左右。預(yù)計在2016第四季度價格會略有下滑,但2017年成長會低于20%。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  市場  手機  服務(wù)器  201608  

        后摩爾定律時代:終于跨越鴻溝?

        • 摩爾定律并未失效,可能無法像以前那樣自動跳到下一世代制程,不過可以看到有很多公司在進行20 nm及以下的設(shè)計開發(fā)。
        • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  DRAM  

        NAND快閃記憶體價格上漲 創(chuàng)見威剛笑開懷

        •   NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡(luò),加上智能手機搭載容量提高,帶動近月價格持續(xù)上漲,創(chuàng)見、威剛等模組廠營運受惠,市場預(yù)期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動能如何,將攸關(guān)NAND快閃記憶體價格續(xù)漲力道。   市場指出,上半年非蘋陣營智能手機產(chǎn)品銷售強勁,產(chǎn)品功能提升帶動記憶體需求大增,加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導(dǎo)致停工,帶動NAND快閃記憶體價格上漲,主流產(chǎn)品在1個月內(nèi)漲幅超過2成。   市況變化帶動記憶體模組廠營運增溫,創(chuàng)見表示,在漲價預(yù)期心理帶動下,通路拉貨力道明顯回升,DRA
        • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

        中國首座DRAM廠動工,三星、海力士冒冷汗

        •   韓國經(jīng)濟日報周二報導(dǎo),國營福建晉華積體電路公司(音譯:Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在來自聯(lián)電(2303)技術(shù)的加持下,已著手建造半導(dǎo)體廠,將藉此切入DRAM市場。   來自產(chǎn)業(yè)內(nèi)的訊息指出,福建晉華上周六已在晉江市,舉行DRAM廠破土動工儀式,第一期工程投資規(guī)模預(yù)估來到370億人民幣,或相當(dāng)于55億美元,2018年投產(chǎn)后每月可產(chǎn)出6萬片晶圓(32奈米)。   據(jù)報導(dǎo),福建晉華將獲得聯(lián)電技術(shù)支援,且全球晶圓代工龍頭臺積電(2330)傳也有參與投資,但未獲
        • 關(guān)鍵字: DRAM  三星  

        IC Insights下修今年半導(dǎo)體業(yè)成長率至-1%

        •   IC Insights近日調(diào)降2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長率預(yù)測至-1%,表示英國脫歐也是為產(chǎn)業(yè)帶來負面沖擊的原因之一…   市場研究機構(gòu)IC Insights近日調(diào)降了對2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長率預(yù)測,由原先的2%下修為-1%;該機構(gòu)表示,調(diào)降產(chǎn)業(yè)成長率預(yù)測的主要原因,是基于全球經(jīng)濟表現(xiàn)衰弱,以及低迷不振的DRAM市場。   消 費性電子市場與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之間的連動關(guān)系越來越密切,IC Insights預(yù)期,2016年全球GDP與成長率僅2.3%;而GDP成長率若低于2.5%,被認為是
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

        三星與IBM聯(lián)手打造STT-MRAM

        •   據(jù)韓媒BusinessKorea報道,IBM和三星近日在IEEE上發(fā)布研究論文稱,兩家公司聯(lián)手打造了一種被稱為STT-MRAM的新內(nèi)存,有望成為目前DRAM內(nèi)存的最實際接替者。   DRAM,即動態(tài)隨機存取存儲器,目前最大的發(fā)展障礙就是其很難被壓縮至10nm以下,因此兩家公司研發(fā)的STT-MRAM(自旋傳輸磁性記憶體)首先就將解決這一問題。   另外,新內(nèi)存也將擁有更高的傳輸速度且更加省電,理論性能也將超越DRAM。   業(yè)界認為,這可能是目前DRAM的最佳接替者,因為95%的DRAM制造設(shè)施都
        • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

        老杳:面對政府決策論證專家能否直面良心

        •   一條有關(guān)中國集成電路產(chǎn)業(yè)的重要新聞:   《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》于11日在北京通過專家論證,一個千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。   與會專家表示,《發(fā)展規(guī)劃》立足晉江、對標(biāo)國內(nèi)、放眼全球,符合區(qū)域?qū)嶋H、切合國內(nèi)格局、貼合產(chǎn)業(yè)方向,具有較強的指向性和操作性。   老杳不是專家,不過即使從表述文字也可以看出其中眾多蹊蹺,在集成電路領(lǐng)域一窮二白的晉江市,僅僅一個集成電路的產(chǎn)業(yè)規(guī)劃就意味著“千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起”?又如何推演出
        • 關(guān)鍵字: DRAM  集成電路  

        IC Insights:英脫歐/DRAM需求疲軟 拖累半導(dǎo)體市場成長率

        •   長久以來,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“健康狀況”與全球經(jīng)濟成長息息相關(guān),很少有強大的半導(dǎo)體市場,沒有好的世界經(jīng)濟在背后支撐它。在七月推出的2016年McClean報告中,市調(diào)機構(gòu)ICInsights預(yù)測,今年全球GDP成長率僅2.3%,低于全球不景氣門檻(RecessionThreshold)的2.5%。   受到DRAM市場的需求下降與英國脫歐影響,整體半導(dǎo)體市場成長率將下滑。   目前,在許多地區(qū)中,地方經(jīng)濟逐漸趨緩,即便是中國,這個個人電腦、數(shù)位電視、智慧型手機、新型商用飛機與汽車
        • 關(guān)鍵字: DRAM  半導(dǎo)體  

        福建千億集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)劃通過 打造中國內(nèi)存基地

        •   記者12日從福建晉江市委宣傳部獲悉,《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》(以下簡稱“《發(fā)展規(guī)劃》”)于11日在北京通過專家論證,一個千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。   據(jù)介紹,《發(fā)展規(guī)劃》描繪了泉州晉江未來十年(2016-2025)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展藍圖,提出到2025年,將構(gòu)建千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈、資源生態(tài)圈、智能生態(tài)圈、企業(yè)生態(tài)圈。   論證會由工信部電子一所副所長萬鵬遠主持。在3個多小時的論證會上,中科院半導(dǎo)體所所長李樹深,中科院微
        • 關(guān)鍵字: 集成電路  DRAM  

        東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

        •   東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示,將沖刺NAND Flash產(chǎn)量,目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。   關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash,成毛康雄指出,將強化3D Flash的生產(chǎn),目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準(zhǔn)。   東芝為全球第2大NAND Flash廠商,市占率僅次于三星電子。   日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(
        • 關(guān)鍵字: 東芝  3D NAND  

        集邦科技:DRAM價格Q3將漲4~8%

        •   由于記憶體原廠端供貨吃緊,一線PC-OEM客戶于六月提前與DRAM廠洽談第三季合約價格,集邦科技旗下DRAMeXchange預(yù)估第三季DRAM合約價上漲趨勢確立,漲幅約4~8%。   DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷表示,經(jīng)過近兩年的續(xù)跌,6月合約價已呈現(xiàn)持平,普遍用12.5美元價格議定完成。DRAMeXchange最新報價顯示,DDR3 4GB合約均價從2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的12.5美元,跌幅高達62%。   吳雅婷表示,第三季的DRAM合約均價起漲,起因于標(biāo)準(zhǔn)
        • 關(guān)鍵字: 集邦科技  DRAM  
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        3d x-dram介紹

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