據國外媒體報道，三星電子周五發布了該公司2010年第二季度財報。財報顯示，受芯片業務大幅增長的推動，公司第二季度凈利潤同比增長83%。
在截至6月30日的第二季度，三星電子凈利潤為4.28萬億韓元(約合36億美元)。這一業績好于上年同期，2009年第二季度，三星電子的凈利潤為2.33萬億韓元。三星電子第二季度運營利潤為5萬億韓元(約合41億美元)，創公司季度運營利潤歷史新高，同比增長87.5%。三星電子第二季度營收為37.9萬億韓元，較去年同期增長17%。三星電子本月初發布的初步財報顯示，公司第
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三星電子 NAND 閃存芯片
未來半導體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關鍵的成品率挑戰階段，在4x，3x節點時發現了許多問題。目前盡管EUV光刻己經基本就緒(或者還沒有)，是黃金時刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術的挑戰也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及logic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長一段時期內必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間，它是在牛/熊市小組座談會上發表此看法) 。另一位會議
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半導體制造 DRAM NAND
數字相框是一種無需打印便可顯示數字照片的裝置，當攝影從傳統底片進入數字時代后，由于平均只有35%的數字照片被打印，無可避免地引發數字相框的發展，部分數字相框也提供內置儲存器，可直接從相機記憶卡讀取靜態的數字照片或動態的數字影像。
隨著3D風潮滲透數字相機、數字攝影機等電子產品后，3D數字相框也因應而生。業者表示，目前3D數字相框的成本與售價，至少要比2D同規格產品貴上1~1.5倍，由于消費者對數字相框的價格相當敏感，目前市面上低于新臺幣1,000元的數字相框比比皆是，甚至有下殺到700~800元
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數字相框 3D
三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開始量產較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產后，采用該產品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。
三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規格NAND Flash開發作業，并計劃于2011年投入量產。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產品將
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三星電子 NAND
三星和東芝公司已經宣布了一個合作計劃，旨在制定新規范推動NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術，這比目前版本的NAND閃存接口技術快了十倍，這項技術將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發的ONFI接口進行直接競爭，主要面向高性能產品例如SSD以及智能手機和消費電子產品。
三星和東芝公司目前供應NAND快閃記憶體市場70%的貨源，因此它們在行業內具有相當大的話語權，這對他們的新規范計劃將非常有利。
三星上個月
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三星 NAND 30nm
日廠爾必達(Elpida)將與飛索半導體(Spansion)擴大合作范圍，雙方除共同研發NAND Flash制程技術與產品外，爾必達將為飛索半導體代工生產NAND Flash。另外，爾必達亦在研擬雙方合作研發NOR Flash，并為其代工的可能性。
據悉，爾必達已取得飛索的NAND IP技術的授權，該項技術乃是以其稱為MirrorBit的獨家技術為基礎。此外，爾必達計劃自2011年起透過旗下的廣島12寸廠，為飛索代工生產高階NAND Flash，而雙方亦將各自進行客戶營銷。
路透(Reut
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爾必達 NAND
三星和東芝今天共同宣布，雙方將協力支持新一代高性能NAND閃存技術：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規范。兩家公司將支持這一規范成為行業標準，被業界廣泛接受使用。
最初的SDR NAND閃存架構接口速度僅為40Mbps，現行的DDR 1.0標準將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動的toggle DDR 2.0規范則進一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。
高速閃存接口的優勢不言而喻，未來將
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三星 NAND 東芝
閃存業兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標準規范的制訂工作，這種新一代閃存標準規范的接口數據傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標準規 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規范使用的閃存芯片存儲密度參數。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費級電子類應用。
現有的DDR1.0版本NAND閃存接口規范只是將DDR數據傳輸接口與傳統的單倍數據傳輸率NAND單元結合在一起使用，接口數據傳輸率僅133Mbit/s
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三星 NAND
據了解，日商爾必達已決定來臺設立研發中心，且選定投入高階技術NAND Flash領域。爾必達來臺投資研發中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導體業者進一步合作。
據悉，爾必達與臺灣創新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業者聯合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動密切，爾必達已于日前向經濟部遞出在臺設立研發中心的初步計劃書，經濟部正進行審查中。
官員透露，爾必達來臺設立研發中心的計劃相當成熟，已進入實質合作內容洽談中，研發中心切入的產品并非一般的動態存儲器
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TIMC NAND DRAM
全球半導體市場需求成長已優于2008年秋季金融危機爆發前的水平，2010年5月半導體銷售額續創新高。就地區別來看，含大陸在內的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續成長中，已成為全球半導體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經濟成長仍持疑慮，2010年秋季后市場需求動態值得關注。
美國半導體產業協會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統計數據指出，金融危機爆發前全球半導體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導體銷售額達2
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DRAM NAND
編者點評：每年的SEMICON West時，時間己經過半，所以業界都會關心下半年與未來會是怎么樣。2010年半導體業可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對于設備業看似今年的增長幅度達90%，但是許多設備公司仍是興奮不起來，因為2010年業績的增長仍顯不足于彌補之前的損失。而未來的前景有點模糊，增長點來自哪里?似乎誰也說不清楚。
SEMICON West美國半導體設備展覽會即將開幕，與去年全球IC下降不同，如今半導體設備業有點紅火。
按市場調研公司 VLSI預計，2010年半導體設備業增長96%
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半導體設備 NAND DRAM
近期臺灣創新存儲器公司(TIMC)獲得經濟部補助，聯合茂德、晶豪打算從NAND Flash產業重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場，3方人馬點燃臺灣NAND Flash戰火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產業6年來投入新臺幣70億元，是臺灣血統最純正技術，目前力晶NAND Flash技術腳步相較于國際大廠仍晚1個世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NAND Flash研發是很大突破。
事實上，力晶NAND Flash產品系師承日商瑞薩(Renes
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TIMC NAND
據iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。
iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產品存儲數據。
今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價格出現下降的趨勢。但是，智能手機等產品正在集成視頻攝像機等組件，從而產生了額外的存儲需求。
廠商產量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應商將根據合同義務和關系向關鍵
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NAND 閃存芯片
據iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。
iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產品存儲數據。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價格出現下降的趨勢。但是，智能手機等產品正在集成視頻攝像機等組件，從而產生了額外的存儲需求。
廠商產量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應商將根據合同義務和關系向關鍵的合作
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NAND 閃存芯片
隨著半導體微縮制程演進，3D IC成為備受關注的新一波技術，在3D IC時代來臨下，半導體龍頭大廠聯華電子、爾必達(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開記者會對外宣布共同開發矽穿孔(TSV) 3D IC制程。據了解，由聯電以邏輯IC堆疊的前段晶圓制程為主，爾必達則仍專注于存儲器領域，而力成則提供上述2家公司所需的封測服務，成為前后段廠商在 TSV 3D IC聯手合作的首宗案例。
爾必達、力成和聯電將于21日在聯電聯合大樓舉行技術合作協議簽訂記者會。據了解，3家公司的董事長、執行長和技術長
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