索尼在軟硬件融合過程中的失敗，在于輕視其原本擁有的硬件優勢，進而導致產品本身喪失了品牌溢價；只有軟件與硬件都做出高品質產品，才能確保生態的價值。
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索尼 3D
2014年NAND flash銷售數據出爐，IHS報告稱，前四大業者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產品出包遭蘋果召回，市占和業績雙雙下滑。
BusinessKorea報導，IHS 13日報告稱，三星電子穩居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
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三星 NAND flash
近年來，固態硬盤似乎已經成為了計算機的標配。而隨著SSD的普及，人們對于速度和容量的渴求也在迅速膨脹。為了能夠在單顆閃存芯片上塞下更大的存儲空間，制造商們正在想著3D NAND技術前進。與傳統的平面式(2D)設計相比，垂直(3D)堆疊能夠帶來更顯著的容量提升。但是最近，一家名為Stifel的市場研究公司卻發現：為了實現這一點，制造商們正在砸下大筆投資，而這種成本壓力卻無法在多年的生產和銷售后減退多少。
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影響利潤的一個主要原因是，3D NAND芯片的生產，比以往要復雜得
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3D NAND SSD
UNYQ是一家很有趣的3D打印公司，他們的主要業務是為殘疾人的假肢提供3D打印的精美外殼或其他配飾。天工社早先曾經報道過這家公司。UNYQ是在2014年剛剛成立的，如今已經在西班牙塞維利亞和美國舊金山設立了精品工作室。
該公司目前提供30款限量版假肢外殼，當然，所有的都是3D打印的。UNYQ稱設計師和工匠們會在這些款式的基礎上，與客戶一起創造獨一無二、只適合其本人規格指標和個人風格的產品。
如今UNYQ公司宣稱，他們已經與數字化設計和制造專家3D Systems公司簽訂了多層次合作協議，后
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3D Systems 3D打印
英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術。
這一全新3D NAND技術由英特爾與鎂光聯合開發而成，垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度。基于該技術，可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業部署的需求。
當前，平面結構的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
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英特爾 NAND
英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術。
這一全新3D NAND技術由英特爾與鎂光聯合開發而成，垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g，可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業部署的需求。
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當前，平面結構的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
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英特爾 鎂光 3D NAND
東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布推出符合JEDEC(電子元件工業聯合會) e?MMC? 版 5.1[1]標準、支持“command queuing”和“secure write protection”的嵌入式NAND閃存產品。新產品集成了采用15nm工藝技術制造的NAND芯片，廣泛適用于各類數字消費產品，包括智能手機、平板電腦和可穿戴設備。16GB和64GB產品樣品即日起出貨，32G
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東芝 NAND
雖然東芝的宣傳口號是“智社會 人為本，以科技應人之求”，但2015慕尼黑上海電子展上，仔細觀看東芝強大產品陣容之后，我倒更愿意用“半導體技術溫暖你的心”來形容它。因為東芝的很多設計確實很貼心，真的可以讓生活更加方便快捷。
東芝電子亞洲有限公司副董事長野村尚司說，中國市場大體上有兩種產品需求，一是以量價為中心的產品，另一種是以提高附加值為中心的產品。東芝有非常寬廣的產品線來滿足以上兩種市場的需求。
東芝展位
存儲產品解決方案
東
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東芝 LED NAND
全球領先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司近日宣布成功開發出48層第二代3D NAND閃存(亦稱為BiCS2)。 計劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內投入試生產，于2016年進行規模化商業生產。
閃迪存儲技術部執行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們非常高興能夠發布第二代3D NAND，它是一種48層架構，與我們的合作伙伴Toshiba共同研發。 我們以第一代3D NAND技術為基礎，完成了商業化的第二代3D NAND的開發;我們相信，它將為我們的客戶提供讓人贊
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閃迪 NAND
三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業、于去年10月搶先量產3D架構的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產品，但三星的領先優勢恐維持不了多久，因為三星NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產3D NAND Flash、且其制造技術更勝三星一籌!
日本媒體產經新聞25日報導，三星于去年量產的3D NAND Flash產品為垂直堆疊32層，但東芝已研發出超越三星的制造技術、可堆疊48層，且東芝計劃于今年下半年透過旗下四日市工廠
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東芝 3D Flash
TrendForce旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產品的主流應用開始從記憶卡與隨身碟產品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲存裝置移動，加上 NAND Flash 業者陸續推出完整的TLC儲存解決方案，預估今年TLC產出比重將持續攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產出的一半。
DRAMeXchange 研究協理楊文得表示，由于成本較具優勢，過去TLC廣泛應用在記憶卡與隨身碟等外插式產品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
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TLC NAND
三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性價比較過去大幅提高，因而激勵消費性固態硬碟制造商擴大采用比例。
三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進而持續下滑，各種終端應用如固態硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續成長。
在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND
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三星 TLC NAND
由EMC公司發布的一份圖表顯示，傳統SAN驅動器陣列銷售衰退的趨勢已然出現，與此同時超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲業務則及時趕上，填補了這部分市場空間。
William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號出席了EMC戰略論壇大會，并以郵件的形式向客戶發布了此次會議的內容總結。
EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調查數據，其中顯示從2014年到2018年外部存儲系統市場的復合年均營收(目前為260億美元)將實現3%增幅。在此期間，“傳統獨立混合系
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EMC NAND
中國大陸智能型手機的高成長，使得內存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內存供應商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
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DRAM NAND Flash
為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產系統獨大市場，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導體大廠也正加速展開相關技術研發和生產作業。
據ET News報導，NAND Flash的2D平面微細制程，因Cell間易發生訊號干擾現象等問題，已進入瓶頸。主要半導體大廠轉而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術。半導體業界的技術競爭焦點從制程微細化，轉變為垂直堆
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NAND 三星
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