- 雖然規(guī)模和技術遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯電等代工巨頭,不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯,28nm工藝年初也正式量產了,還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單,現在他們準備進軍新的市場領域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存,而且是中芯國際自主研發(fā)的技術。
NAND閃存的重要性不必說,目前SSD固態(tài)硬盤以及消費電子上所用的存儲器多數都是基于NAND閃存,目前全球主要的NAND產能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
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中芯國際 NAND
- 東芝公司今天宣布,該公司在閃存峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲產品。閃存峰會是全球最大的閃存討論會,于8月5至7日在美國加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。
閃存峰會的展覽環(huán)節(jié)在會議的最后兩天8月6日和7日舉行,東芝在504號展位布展。
主要展品
??? 1、企業(yè)級固態(tài)硬盤(eSSD):
??? 企業(yè)級讀密集型
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東芝 NAND 固態(tài)硬盤
- 全球領先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司今日宣布,來自移動設備、平板電腦和消費類電子產品行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的300多位領導廠商本周齊聚中國深圳,參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會。本次活動于8月26日舉行,囊括了中國及世界各地極具影響力的領先移動科技公司(包括幾乎所有領先芯片組供應商的代表),共同探討塑造移動互聯市場的新技術、新應用、新趨勢和閃存技術演進。Future Proof Storage 研討會邀請了移動行業(yè)中的十幾位領導者擔任演講嘉賓
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閃迪 智能手機 NAND
- 應用直通矽晶穿孔(TSV)技術的三維積體電路(3DIC)為半導體業(yè)界提供全新境界的效率、功耗、效能及體積優(yōu)勢。然而,若要讓3DIC成為主流,還必須執(zhí)行許多基礎的工作。電子設計自動化(EDA)業(yè)者提供周延的解決方案支援3DIC革命,包括類比與數位設計實現、封裝與印刷電路板(PCB)設計工具。半導體廠可以運用這個解決方案,滿足高效率設計應用TSV技術的3DIC的所有需求。
隨著更高密度、更大頻寬與更低功耗的需求日益增加,許多IC團隊都在期待應用TSV技術的3DIC。3DIC以更小的體積容納豐富的
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矽穿孔 3D
- TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示,由于智能手機、平板電腦等移動裝置需求穩(wěn)健增長,固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務器與數據中心的需求增加,而物聯網應用也將逐漸導入NANDFlash,2015年NANDFlash整體產業(yè)規(guī)模將提升至266億美元,年增長9%。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示,2014年NANDFlash需求位增長率為36%,在更多元化的產品開始導入NANDFlash的挹注下,2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
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NAND Flash 穿戴性裝置
- 今年第二季NANDFlash品牌供貨商營收達76.49億美元,季成長5.6%,隨著智能手機與平板電腦等進入出貨旺季,仍可望提升NANDFlash下半年的市場表現。
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Intel NAND
- 全球NANDFlash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求,預估NANDFlash今年底報價將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。
市調機構IHSiSuppli最新報告預測,NANDFlash今年底報價將跌至0.49美元每GB,遠低于去年的0.71美元,預估2018年將進一步跌至0.14美元,其間年復合成長率為負的28%。
NANDFlash產出過多是導致價格崩跌的主因,若以1GB等量單位計算,IHSiSuppl估計,2018年NANDFlash產出將自2013年的
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東芝 NAND
- 最近一款“全球首款全息手機”上市,那么究竟什么是全息功能、在手機上又是如何實現的?
首先,讓我們先來了解一下傳統(tǒng)意義上的“全息”概念。通常來說,“全息顯示”泛指全息投影技術,由英國匈牙利裔物理學家丹尼斯·蓋伯在1947年發(fā)明,并在1971年獲得諾貝爾物理學獎。一開始,全息投影僅應用在電子顯微技術中,直至1960年激光技術被發(fā)明出來之后才取得了實質性進展。
在這里,我們不討論全息投影復雜的技術原理,
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全息影像 3D
- 記者昨日從省經信委舉行的新聞發(fā)布會上獲悉,我拾芯片”產業(yè)有了新規(guī)劃,預計到2020年,20%的顯示面板、家電、汽車電子產品將有“本土芯”。
變頻空調運行、液晶顯示、汽車行駛……這些產品的運行都離不開它們的“心”—集成電路。為了進一步扶持集成電路產業(yè),《安徽省人民政府辦公廳關于加快集成電路產業(yè)發(fā)展的意見》近日發(fā)布,從多方面明確了我省集成電路產業(yè)的發(fā)展目標:到2017年產業(yè)總產值突破300億元,2
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芯片 3D
- 應用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統(tǒng)。作為業(yè)內領先的中電流離子注入設備,該系統(tǒng)專為2x納米以下節(jié)點的FinFET和3D NAND制程而開發(fā),具有超凡的控制能力,可以幫助高性能、高密度的復雜3D器件實現器件性能優(yōu)化,降低可變性,提高良率,是應用材料公司在精密材料工程領域的又一重大突破。
VIISta 900 3D系統(tǒng)能有效提高離子束角度精度和束線形狀準確度,并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性,從而幫助客戶實現制程的可重復性,優(yōu)化器件性
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VIISta 900 3D 2x納米 FinFET
- 并非所有的嵌入式應用都“生而平等”。在設計者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗和性能等方面的過程中,一個必須考慮的重要因素是嵌入式應用的運行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線,到美國德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機,嵌入式應用所需支持的環(huán)境千差萬別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運作,還必須保持其交流和直流參數以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內無法滿足所有規(guī)格要求,必須做出得失權衡,就必須記錄下這一信息,并在設計過程中進行共享。在汽車、消費、工業(yè)、游戲、網絡或通信應用中,
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Spansion NAND FL1-K
- 從消費電子市場到工業(yè)應用,隨著新應用在各領域的不斷出現,3D傳感技術的市場在不斷地發(fā)展壯大。現今幾乎所有的智能電視及操作系統(tǒng)都已經能支持動作識別的相關功能,完成諸如畫面縮放和頻道切換等功能;傳感器能夠通過探測生產線的移動和表面質量,從而控制產品在生產線中的流向;設計人員也可以對復雜的形狀進行掃描并通過3D打印機進行復制;監(jiān)控系統(tǒng)也已能確保動物和人類遠離危險的區(qū)域。
如今的傳感器也已可以探測到極端細微的動作和特征。現代的傳感器不僅能夠探測到點頭之類的動作,還可以精確地識別是誰點的頭;除了識別功
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3D 傳感
- 打印速度慢制約了3D打印的普及和應用,我國研發(fā)成功了世界上最快的工業(yè)級3D打印機,打印速度提高了60%。
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3D 打印機
- Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡稱“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實現亞微米鍵合后對準精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產品融合鍵合機和 SmartView ? NT 鍵合對準機上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、高級圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)。 Ziptronix 的首席技術官兼工程副總裁 Paul Enquis
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EVG DRAM 3D
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