光子學和電子學這兩個曾經分離的領域似乎正在趨于融合。
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3D-IC
Zivid最新SDK2.12正式發布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術已經獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預設和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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Zivid 3D 機器人
根據Knometa Research的數據顯示，2026年，中國大陸將超越韓國和中國臺灣，成為IC晶圓產能的領先地區，而歐洲的份額將繼續下降。中國大陸一直在領先優勢的芯片制造能力上進行大量投資，并將從除美洲以外的所有其他地區獲取市場份額。此外，KnometaResearch預計，2024年全球IC晶圓產能年增長率為4.5%，2025年和2026年增長率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底，中國大陸在全球晶圓月產能中的份額為19.1%，落后韓國和中國臺灣幾個百分點。預計到2025年，中國大陸的產能份額
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IC 晶圓 半導體市場
在 AI 服務器中，內存帶寬問題越來越凸出，已經明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統 DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產品的成熟和量產還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。據首爾半導體行業
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3D DRAM
據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨詢
2023年9月27日，在“2023北京微電子國際研討會暨IC WORLD大會”期間，舉辦了一場關于雙碳、可持續發展的研討會——“集成電路下的綠水青山”。國家電網能源研究院原副院長、首席能源專家胡兆光教授分享了我國能源行業的發展現狀與未來方向。
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202403 雙碳 IC WORLD
從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發主要通過減小電路線寬來提高集成度
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3D DRAM 存儲
AbstractTXB0104是應用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC
(嵌入式多媒體存儲卡)芯片之間通信的雙向自動檢測電平轉換芯片。當系統的軟件資源配置不足，需要電平轉換芯片自己識別信號傳輸方向的時候，需要注意外部硬件設計，不然可能會出現掛載時好時壞的失效情況。問題背景：EMMC與AM3352掛載失敗，定位為TXB0104工作異常。實測中發現如圖中線路所示：1.只有D0通道無信號，因為將D0數據線由主芯片（AM3352）側飛線到EMMC，D0開始傳輸數據信號，eMMC掛載正常
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自動檢測 IC TXB0104 電平 轉換端口
美國新罕布什爾州曼徹斯特?- ?運動控制和節能系統傳感技術和功率半導體解決方案的全球領導廠商Allegro MicroSystems（納斯達克股票代碼：ALGM）（以下簡稱Allegro）宣布推出高壓電源產品組合中的第二款產品。Allegro 的?AHV85111?隔離柵極驅動器?IC 增加了重要的安全功能，同時簡化了電動汽車和清潔能源應用（包括?OBC/DC-DC、太陽能逆變器和數據中心電源）中大功率能源轉換系統的設計。Allegro 副總裁兼
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Allegro Power-Thru IC 隔離柵極驅動器
開發下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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3D NAND
2023年11月16日消息，隨著汽車的互聯性不斷提高、技術日益先進，對加強安全措施的需求也隨之增加。各國政府和汽車OEM最新的網絡安全規范開始包含更大的密鑰尺寸和愛德華曲線ed25519算法標準（Edwards Curve ed25519）。為此，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日推出最新的信任錨點安全IC（Trust Anchor Security IC） TA101，可滿足復雜的汽車和嵌入式安全用例。TA101 支持高達 ECC P521、SHA512、R
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Microchip TrustAnchor IC 汽車安全認證
Microchip Technology Inc.安全及計算產品部市場經理Xavier Bignalet如果您對單個配件的身份驗證、規范化電子配件生態系統的構建或一次性用品的假冒偽劣處理感興趣，歡迎閱讀本篇博文。我們將介紹最新推出的高性價比安全身份驗證IC。看看它們提供了哪些安全特性來幫助您實現反威脅模型。面向一次性用品和配件生態系統的成本優化型安全身份驗證 IC不知您是否有注意到，其實我們每天都在經歷著各種安全身份驗證過程。例如，當您發送電子郵件、將手機插入充電器或打印文檔時，后臺都有在進行身份驗證。本
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Microchip MCU IC
●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應位置傳感器，具備穩健的雜散場補償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級，可以集成到汽車安全相關系統中，最高可達 ASIL D 級●? ?目標汽車應用場景包括轉向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤位置檢測、油門和制動踏板位置檢測**TDK株式會社利用適用于汽車和工業應用場景的新型
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TDK ASIL C 3D HAL傳感器
恩智浦新一代電池管理系統IC的電芯測量精度低至0.8 mV，并且其全生命周期為考量的設計穩健性，可增強電池管理系統的性能，充分挖掘電動汽車鋰離子電池和儲能系統的可用容量并提高安全性。恩智浦半導體推出了下一代電池控制器IC，旨在優化電池管理系統（BMS）的性能和安全性。恩智浦的MC33774 18通道模擬前端器件可在寬溫度范圍內提供低至0.8 mV的電芯測量精度和出色的電芯均衡力，支持功能安全等級ASIL-D，適合用于與安全密切相關的高壓鋰離子電池中，以充分挖掘可用容量。鋰離子電池因單位體積和重量的能量密度
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電池管理系統 IC 電芯測量精度 BMS MC33774
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