- 盡管目前全球存儲器四強競局維持平衡狀態，然近期各廠投資動作頻頻，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產線進行轉換，SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10廠生產3D NAND Flash，業界預期未來3~4年內存儲器產業既有平衡競局恐將被打破。
半導體業者表示，3D NAND技術是未來存儲器產品主流，然技術層次及難度十分高，目前在制程良率上仍面臨許多挑戰，預計2016年真正
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美光 DRAM
- 紅色供應鏈給臺企帶來了巨大壓力，市場萎縮，人才流失，再也損失不起了。
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DRAM 紫光
- 南亞科董事長吳嘉昭昨(6)日表示，雖然中國在DRAM產業急起直追，但至少還要花三年才能追上臺灣。對于前總座高啟全退休前往中國紫光集團發展，想要創造中美臺合作空間，南亞科新任總經理李培瑛說，一切仍有不確定性，公司目前尚無實質作法。
南亞科昨天舉行臨時董事會，通過高啟全退休案，但仍擔任南亞科董事，并決議即日起由資深副總李培瑛接任總經理。
吳嘉昭透露，高啟全是在9月18日提出申請退休，對于他的離開感到惋惜，雖然不清楚高的詳細生涯規畫，但仍給予祝福。
此外，高啟全
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南亞科 DRAM
- 臺灣過去數十年培養出來的半導體人才，現在一個一個往大陸跑，臺企離沒落不遠了。
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京東方 DRAM
- 資策會產業情報研究所(MIC)報告指出，受到新興市場智慧型手機晶片價格快速下滑及需求不佳影響，預估明年全球半導體市場成長率較今年衰退1%，臺灣半 導體產業在DRAM產值跌幅趨緩之下，明年產值將達2.2兆元微幅年增2.2%。
資策會MIC資深產業分析師施雅茹表示，今年臺灣半導體 產業表現不如全球，主要受DRAM與IC設計產值下滑影響，估算今年臺灣IC設計產業產值約4,971億元新臺幣，年減6%，DRAM產業產值2,325 億元，年減13%;預估明年可望在DRAM產值跌幅趨緩，以及晶圓代工、IC封測
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半導體 DRAM
- ARM新近推出的版本中出現Bug，iPhone 6s Plus玩3D游戲閃屏，不過后續通過軟件升級可以解決。
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iPhone 6s 3D
- 由于12吋晶圓持續擴大應用至非存儲器領域，使得全球12吋晶圓生產線持續增加，2015年已超過90條產線，較5年前增加約20條產線，且預計未來4年將再增加近20條產線，相較之下，18吋晶圓商用化時程則會再往后延緩，業界預期2020年之前將不會有采用18吋晶圓進行大量生產的產線。
12吋晶圓除應用在DRAM和NANDFlash等需要大量生產的存儲器芯片，亦持續擴大使用在非存儲器產品，包括電源管理芯片、影像感測器等，甚至用來制造邏輯芯片、微型元件IC等，且為因應市場需求，將芯片產量最大化，半導體廠在1
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晶圓 DRAM
- 全球DRAM大廠三星昨天傳出下調DRAM報價，調降幅度20%。此舉預告DRAM產業將在第四季出現一波修正期，DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預期。
繼臺積電前天無預警下修第四季財測，市場消息傳出，全球DRAM市占率達四成的三星，將DRAM模組價格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價格僅剩1.8美元。
8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價格在21美元左右，并將部分PC DRAM產能轉進高階智慧型手機使用的LP DDR4。
隨今年以來DRAM價格持續走低，市場需
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三星 DRAM
- 全球DRAM大廠三星昨天傳出下調DRAM報價，調降幅度20%。此舉預告DRAM產業將在第四季出現一波修正期，國內DRAM大廠華亞科和南亞科第四季營收恐不如預期。
繼臺積電前天無預警下修第四季財測，市場消息傳出，全球DRAM市占率達四成的三星，將DRAM模組價格從21美元降至16.8美元，換算每顆粒DRAM價格僅剩1.8美元。
8月三星還力守DDR3 4GB主流模組價格在21美元左右，并將部分PC DRAM產能轉進高階智慧型手機使用的LP DDR4。
隨今年以來DRAM價格持續走低，市
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三星 DRAM
- PROM、EEPROM、FLASH的總結性區別
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結構。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結構，所以可以單元讀/寫。技術上，FLASH是結合EPROM和EEPRO
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SRAM DRAM
- 一場觸控界的革新，因為蘋果的參與而讓市場沸騰起來。新iPhone9月10日(北京時間)發布后，搭載的3D Touch技術讓消費者們對手機操控有了新鮮感。這讓壓力觸控廠商們很是興奮，經歷了長久蟄伏期之后，他們看到了潛在的市場爆點。不過興奮的同時，產業鏈廠商們也沒有太過樂觀，因為安卓市場才是引爆市場的關鍵，而這恐怕還需等待一段時間。
為部分App帶來革命性體驗
壓感觸控技術是指在現有手機平面操作的基礎上增加第三種維度——重力感應，根據力度的不同，調用的菜單也有所區別。而
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壓力觸控 3D Touch
- 雖然較大尺寸晶圓的生產材料和技術成本高于小尺寸晶圓，但由于較大晶圓可以切割出更多的芯片，因此經驗顯示，就每單位芯片成本而言，大尺寸晶圓技術至少會比小尺寸晶圓降低20%。
然而在實務上，要采用大尺寸晶圓生產技術，業者必須要先行投入大筆經費。因此在資金和技術的障礙下，各業者往往會采用將現有技術進行效率最大化的方式進行生產，而不是對新開發的大尺寸晶圓生產技術進行投資。
以最新18吋(450mm)晶圓生產技術的采用為例，就正處于這樣一種狀況下。根據調研機構ICInsights最新公布的2015~2
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晶圓 DRAM
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯網和穿戴式裝置發展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發相關的蝕刻機臺和磊晶技術。
應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸指出，隨著先進制程發展，該公司產品開發有兩大重點方向，一是電晶體與導線技術，另一個是圖形制作與檢測技術。
應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發展至16/14奈
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FinFET 3D NAND
- 雖然大陸景氣疲軟，2015年韓國存儲器廠的業績展望相對明朗。然大陸智能型手機需求縮減，2016年移動DRAM價格可能下滑，2016年前景反而不透明。
據ET News報導，全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業績可能會與當初預期相近，或小幅提升。近來大陸景氣迅速萎縮，但對下半年暫時不會有太大影響。
三星下半年IT及移動裝置(IM)事業部業績可能下滑，但半導體事業暨裝置解決方案(DS)事業部的存儲器和系統晶
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存儲器 DRAM
- 微機電(MEMS)/奈米技術/半導體晶圓接合暨微影技術設備廠商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統目前市場需求殷切，在過去12個月以來，EVG晶圓接合系列產品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來自于晶圓代工廠以及總部設置于亞洲的半導體封測廠(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進封裝應用挹注，制造端正加速生產CMOS影像感測器及結合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術的垂直
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CMOS 3D-IC
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