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        3d dram 文章 最新資訊

        Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

        •   Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā),采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式,以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察,三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案,將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
        • 關(guān)鍵字: 3D NAND  美光  

        2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢

        •   DIGITIMES Research觀察,2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者,然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash,三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變,不過,三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn),短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢。   三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
        • 關(guān)鍵字: 三星  3D NAND  

        3D保護(hù)玻璃市場產(chǎn)值將于18年超越2D保護(hù)玻璃

        •   觸摸屏的保護(hù)玻璃,又稱之為保護(hù)蓋,用來保護(hù)顯示屏和觸控面板。為了適應(yīng)智能機(jī)的不同設(shè)計(jì)需求,保護(hù)玻璃有不同的形狀。保護(hù)玻璃通常位于顯示器和觸控面板 的頂部,再根據(jù)保護(hù)玻璃的形狀分為2D,2.5D和3D等。隨著智能手機(jī)廠商越來越在外形和時(shí)尚設(shè)計(jì)方面競爭,舒適的手感和靈敏的觸控反應(yīng)越來越重要,這 也鼓勵(lì)著觸控面板廠商開發(fā)形狀更好的保護(hù)玻璃。   2016年用于手機(jī)的3D保護(hù)玻璃出貨量預(yù)計(jì)將增至4,900萬片,占手機(jī)用保護(hù)玻璃市場總量的3.1%。IHS預(yù)測2017年其出貨量將飛漲103.9%達(dá)1億片的規(guī)模,
        • 關(guān)鍵字: 3D  2D保護(hù)玻璃  

        中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場前景

        • 本文介紹了存儲(chǔ)器芯片分類,國際存儲(chǔ)芯片廠商的發(fā)展情況,及我國存儲(chǔ)芯片供需情況。
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  市場  DRAM  Flash  201607  

        日經(jīng):PC用DRAM價(jià)格月增6%,能見度到九月

        •   行動(dòng)記憶體需求暴增,在晶片制造商窮于應(yīng)付的同時(shí), PC用DRAM卻也因此受惠,現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)攀升。   據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),行情指標(biāo)4-Gigabit DDR3 DRAM過去一個(gè)月上漲6%,目前來到1.74美元,某些產(chǎn)品甚至還漲到2美元以上。PC出貨量萎縮、需求能見度明明不佳,但PC用DRAM價(jià)格之所以還能往上攀升,是因?yàn)槊拦獾扔洃涹w大廠將部分產(chǎn)能移作生產(chǎn)行動(dòng)產(chǎn)品,以致供給減少。   PC制造商夏季機(jī)種目前已陸續(xù)上市,盡管此時(shí)季節(jié)性需求已開始減緩,但許多專家仍舊看好DRAM這波反彈行情將一直延續(xù)至九月,
        • 關(guān)鍵字: PC  DRAM  

        3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主

        •   韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo),韓國半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù),在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu),3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。   3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高,讀寫速度快,耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優(yōu)點(diǎn),對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù),3D NAND成為具有潛力,有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
        • 關(guān)鍵字: 3D NAND  半導(dǎo)體  

        臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)要重蹈面板覆轍?這個(gè)鍋張忠謀背不背

        • 一個(gè)董事席位不至于讓知識(shí)產(chǎn)權(quán)輕松被轉(zhuǎn)移。不過一個(gè)錯(cuò)誤的決定卻可能讓臺(tái)灣集成電路產(chǎn)業(yè)重蹈面板的覆轍。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  集成電路  

        TrendForce:原廠控制產(chǎn)出,2017年DRAM價(jià)格止跌回穩(wěn)露曙光

        •   DRAM產(chǎn)業(yè)因長期需求不振,合約價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)19個(gè)月的跌幅趨勢。今年五月底DDR4合約均價(jià)為1.31美元,而DDR3僅1.25美元,各廠都面臨龐大的成本壓力。TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)研究協(xié)理吳雅婷表示,第三季個(gè)人電腦(PC)將進(jìn)入出貨高峰、中國品牌智能手機(jī)出貨持續(xù)走揚(yáng),再加上新一代iPhone 4.7”(2GB)及5.5”(3GB)的拉貨動(dòng)能,將消耗可觀的DRAM產(chǎn)能。此外,各家DRAM供貨商對于制程轉(zhuǎn)進(jìn)的態(tài)度趨于
        • 關(guān)鍵字: TrendForce  DRAM  

        NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動(dòng)DRAM市場趨于健康

        •   蘋果iPhone 7已展開備貨,記憶體容量倍增,銷售也看好,業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn),大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體,這將帶動(dòng)DRAM市況也趨健康,記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等,預(yù)估下半年?duì)I運(yùn)會(huì)比上半年好。   創(chuàng)見預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn),主要因上游大廠資本支出較保守,產(chǎn)能增加有限,致使價(jià)格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲(chǔ)存容量不斷上升,加上SSD取代硬盤態(tài)勢成形,SSD需求強(qiáng)勁,儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。   威剛董事長陳立白日
        • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

        威剛:DRAM軍備賽三星帶頭喊卡 2年半空頭市場將走完

        •   臺(tái)存儲(chǔ)器模組廠威剛董事長陳立白指出,觀察國際龍頭大廠動(dòng)向,全球DRAM軍備競賽可望在韓系龍頭三星電子(Samsung Electronics)節(jié)制資本支出的情況下停止,預(yù)計(jì)DRAM價(jià)格在2016年第2季落底,9月前后DRAM景氣將好轉(zhuǎn),為期兩年半的DRAM空頭市場將走完。   陳立白認(rèn)為,三星在DRAM的資本支出上踩煞車,影響接近45%的供貨,接下來就要看SK海力士的態(tài)度,如果海力士也認(rèn)同避免軍備競賽的移動(dòng),開始節(jié)制資本支出,對產(chǎn)業(yè)來說就是美事一樁。   據(jù)臺(tái)存儲(chǔ)器模組業(yè)者表示,SK海力士新董事長
        • 關(guān)鍵字: 威剛  DRAM  

        三星海力士DRAM市場占有率繼續(xù)增長 營收不增反降

        •   市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,三星第一季豪取全球移動(dòng)DRAM逾六成市場(60.4%),不僅穩(wěn)居全球龍頭,也創(chuàng)下歷史新高。   盡管如此,受DRAM平均報(bào)價(jià)下滑沖擊,三星當(dāng)季行動(dòng)DRAM營收不增反減,較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元,這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價(jià)。   SK海力士狀況類似,市占率雖然進(jìn)步0.8個(gè)百分點(diǎn),但同期間行動(dòng)DRAM營收來卻較前期倒退23.1%,成為9.03億美元。加總?cè)桥c海力士市占率,從去年第四
        • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

        三星+海力士移動(dòng)DRAM逼近九成,美光瀕臨淘汰

        •   市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,三星第一季豪取全球移動(dòng)DRAM逾六成市場(60.4%),不僅穩(wěn)居全球龍頭,也創(chuàng)下歷史新高。(Businesskorea.co.kr)   盡管如此,受DRAM平均報(bào)價(jià)下滑沖擊,三星當(dāng)季行動(dòng)DRAM營收不增反減,較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元,這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價(jià)。   SK海力士狀況類似,市占率雖然進(jìn)步0.8個(gè)百分點(diǎn),但同期間行動(dòng)DRAM營收來卻較前期倒退23.1%,成為9.03
        • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

        美光漲逾7%!應(yīng)材估DRAM資本支出降溫、三星傳縮手

        •   半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭廠商應(yīng)用材料(Applied Materials Inc.)19日于美股盤后的營收預(yù)估值擊敗分析師預(yù)估,帶動(dòng)20日股價(jià)跳漲13.81%、收22.66美元,漲幅不但居費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)成分股30支成分股之冠,收盤更創(chuàng)2015年3月30日以來收盤新高。   美國記憶體大廠美光(Micron Technology)19日跟著大漲7.25%、收10.80美元,創(chuàng)4月28日以來收盤新高。TheStreet.com 20日報(bào)導(dǎo),應(yīng)材在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上指出,投資活動(dòng)逐漸從DRAM轉(zhuǎn)到NAND型快閃記憶體
        • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

        DRAM價(jià)格持續(xù)下跌,第一季全球DRAM總產(chǎn)值環(huán)比衰退16.6%

        •   TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,受到市況持續(xù)供過于求、平均銷售單價(jià)下降影響,2016年第一季全球DRAM總產(chǎn)值為85.6億美元,環(huán)比衰退16.6%。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第一季為傳統(tǒng)淡季,除中國市場的智能手機(jī)略有庫存回補(bǔ)的需求以外,筆記本電腦與iPhone的出貨量同步遭到下修,導(dǎo)致DRAM市場供過于求的現(xiàn)象更為明顯。   三星營收持續(xù)摘冠,美光集團(tuán)開始面臨成本保衛(wèi)戰(zhàn)   三星依然穩(wěn)坐DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭,第一季營收雖下跌16.6%,
        • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

        DIGITIMES專欄:三星投入DRAM 18納米制程研發(fā)

        •   2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18納米制程為其投資重點(diǎn),DIGITIMES Research觀察,為克服DRAM 18納米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題,三星將運(yùn)用四重曝光顯影技術(shù)(Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細(xì)導(dǎo)電膜形成技術(shù),以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。   三星于DRAM 18納米制程將運(yùn)用自動(dòng)對位QPT(Self A
        • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM   
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        3d dram介紹

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