3d dram 文章最新資訊

2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn)，誰(shuí)輸在起跑線？

　　為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來(lái)NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。　　1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競(jìng)爭(zhēng)力　　與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲(chǔ)容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競(jìng)爭(zhēng)力。　
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韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊　轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場(chǎng)

　　大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán)，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。　　由南韓與美國(guó)企業(yè)瓜分的DRAM市場(chǎng)將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力加入市場(chǎng)后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng)，也將使主導(dǎo)DRAM市場(chǎng)的南韓地位出現(xiàn)變化。　　大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場(chǎng)，進(jìn)入市場(chǎng)只
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紫光結(jié)合日技術(shù) 搶攻DRAM市場(chǎng)

　　中國(guó)紫光欲與美韓合作DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)碰壁后，日本DRAM大廠爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄所主導(dǎo)成立的兆基科技(Sino King)，近日確定與中國(guó)合肥市政府合作，將結(jié)合日本研發(fā)技術(shù)與中國(guó)的資金力量，兩年后在合肥量產(chǎn)DRAM。據(jù)了解，相關(guān)合作細(xì)節(jié)預(yù)計(jì)本周于日本舉行記者會(huì)說(shuō)明。　　臺(tái)灣DRAM業(yè)界指出，爾必達(dá)于2012年倒閉并由美光并購(gòu)后，坂本幸雄與爾必達(dá)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一些成員，另起爐灶新成立兆基科技，除了網(wǎng)羅臺(tái)灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入，也傳出看好中國(guó)內(nèi)存市場(chǎng)，加上中國(guó)企圖建立自主技術(shù)，地方政
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韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊　轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場(chǎng)

　　大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán)，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。　　由南韓與美國(guó)企業(yè)瓜分的DRAM市場(chǎng)將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力加入市場(chǎng)后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng)，也將使主導(dǎo)DRAM市場(chǎng)的南韓地位出現(xiàn)變化。　　大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場(chǎng)，進(jìn)入市場(chǎng)只
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傳三星半導(dǎo)體西安廠第二階段增設(shè)恐延期

　　三星電子(Samsung Electronics)原本預(yù)定2016年要在大陸西安半導(dǎo)體工廠進(jìn)行第二階段的投資，日前傳出這項(xiàng)計(jì)劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預(yù)估，2016年將會(huì)進(jìn)入記憶體7年來(lái)最糟的供需不平衡情況，加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設(shè)NAND Flash工廠，也使三星開始擔(dān)心供貨量劇增的惡性競(jìng)爭(zhēng)情況。　　目前三星電子西安工廠只使用整體腹地(約34萬(wàn)坪)的5分之1，而且以目前的設(shè)備來(lái)說(shuō)，已經(jīng)到達(dá)最大產(chǎn)能，所以南韓業(yè)界原本認(rèn)為，三星將在2016年內(nèi)
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DRAM價(jià)格跌　上季全球產(chǎn)值掉9%

　　DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統(tǒng)計(jì)報(bào)告，受到DRAM平均銷售單價(jià)持續(xù)下降及市況持續(xù)供過(guò)于求影響，第4季全球DRAM總產(chǎn)值為102.7億美元，季減9.1%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，去年第4季雖有蘋果iPhone 6s出貨加持，筆電出貨亦比預(yù)期更佳，但由于各DRAM廠制程轉(zhuǎn)進(jìn)，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程，都讓產(chǎn)出持續(xù)增加，使得當(dāng)季DRAM價(jià)格持續(xù)下修。　　三星依然是DRAM產(chǎn)業(yè)的龍頭，雖然DRAM營(yíng)收下跌9.7%至47.6億美元，
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中國(guó)如何撕開存儲(chǔ)芯片壟斷圍欄？

存儲(chǔ)芯片在新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)中扮演著重要角色，但前5家公司高度壟斷全球市場(chǎng)，我國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)關(guān)乎國(guó)家安全，意義重大。
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3D NAND技術(shù)謹(jǐn)慎樂觀中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)能有望釋放

　　全球DRAM市場(chǎng)先抑后揚(yáng)。2015年DRAM收入預(yù)計(jì)下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來(lái)復(fù)蘇。但是，預(yù)測(cè)隨著中國(guó)公司攜本地產(chǎn)品進(jìn)入DRAM市場(chǎng)，DRAM價(jià)格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預(yù)計(jì)在2015年下降11.6%，并在2016年進(jìn)一步下降6.7%。　　DRAM市場(chǎng)2016年供過(guò)于求　　近期，我們對(duì)于DRAM市場(chǎng)的預(yù)測(cè)不會(huì)發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場(chǎng)總體營(yíng)收下滑，而在
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紫光確定在華南籌建12寸DRAM廠，循華亞科模式

　　大陸紫光集團(tuán)已確定在大陸華南地區(qū)籌建12寸DRAM廠，并循當(dāng)年臺(tái)塑集團(tuán)與美光合資華亞科的商業(yè)模式，由紫光出資建廠，再邀請(qǐng)美光等國(guó)際大廠入股，解決技術(shù)授權(quán)問題。　　據(jù)了解，此計(jì)畫由前華亞科董事長(zhǎng)、現(xiàn)為紫光集團(tuán)執(zhí)行副總裁的高啟全親自操刀，業(yè)界盛傳，日本前爾必達(dá)總裁坂本幸雄亦有意加入。　　大陸官方自前年成立國(guó)家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡(jiǎn)稱大基金)后，就有意投入自建記憶體供應(yīng)鏈，但不論是DRAM或NAND Flash，主要制程專利及矽智財(cái)都掌握前國(guó)際大廠手中，因此，率先表態(tài)要自建記憶體產(chǎn)能的紫光集團(tuán)，由
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2015臺(tái)灣DRAM產(chǎn)值增長(zhǎng)由正轉(zhuǎn)負(fù) 晶圓代工增長(zhǎng)下滑

　　經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處資料顯示，臺(tái)灣集成電路業(yè)產(chǎn)值雖持續(xù)成長(zhǎng)，但去年增率卻是近三年來(lái)首見個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)，也結(jié)束自2011年以來(lái)的上升走勢(shì)，臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部指出，去年臺(tái)灣DRAM產(chǎn)值成長(zhǎng)由正轉(zhuǎn)負(fù)，加上晶圓代工成長(zhǎng)下滑，整體集成電路業(yè)產(chǎn)值年增率僅6.2%。　　臺(tái)灣集成電路產(chǎn)值在2014年產(chǎn)值突破兆元大關(guān)，去年上半年延續(xù)榮景，較前年同期成長(zhǎng)23.9%，但下半年因全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇力道疲弱，尤其新興市場(chǎng)需求明顯下降，抑制終端消費(fèi)性電子產(chǎn)品銷售成長(zhǎng)動(dòng)能，下半年衰退7.9%。　　去年集成電路業(yè)產(chǎn)值增率6.2%，是自2011年低點(diǎn)反
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Stratasys與Creaform在中國(guó)大陸與香港地區(qū)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，共同開拓3D市場(chǎng)

　　3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys Ltd.(納斯達(dá)克代碼：SSYS)上海分公司與便攜式 3D 測(cè)量解決方案和工程服務(wù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)航者Creaform形創(chuàng)中國(guó)，今天聯(lián)合宣布將兩公司的戰(zhàn)略合作拓展至中國(guó)大陸與香港地區(qū)。 Stratasys與形創(chuàng)的此次合作，將為市場(chǎng)提供更加整合的3D解決方案，讓用戶得以同時(shí)利用前沿的3D掃描技術(shù)與3D打印技術(shù)，完成從輸入端的產(chǎn)品掃描到輸出端的產(chǎn)品成型，確保工作流程一氣呵成。此次合作將以教
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紫光計(jì)劃今年再收購(gòu)2家IC公司重心將放在IC、環(huán)保與新材料等方面

　　清華紫光集團(tuán)所屬的清華控股董事長(zhǎng)徐井宏，昨天在瑞士達(dá)沃斯的世界經(jīng)濟(jì)論壇現(xiàn)場(chǎng)，接受彭博訪問時(shí)坦承，由于美國(guó)主管機(jī)關(guān)豎立的障礙，美光投資案過(guò)關(guān)的機(jī)會(huì)渺茫，但紫光集團(tuán)仍持續(xù)推動(dòng)與美光或其他公司的合作，希望藉此在記憶晶片與IC領(lǐng)域取得突破。　　他表示，紫光集團(tuán)可能尋求其他與美光的合作方式，例如成立中美合資企業(yè)。　　徐井宏也透露，清華紫光集團(tuán)旗下的3大平臺(tái)之中，主攻DRAM的同方國(guó)芯，今年將投下約2000億人民幣，再買下兩家海外IC業(yè)者，但沒有透露可能購(gòu)并對(duì)象。　　徐井宏也提到，2016紫光集團(tuán)的海
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三星開始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)的TSV連接4GB DRAM芯片

　　三星電子2016年1月19日宣布，已開始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)(HBM：High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)12日剛剛宣布HBM2成為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)“JESD235A”。　　　　HBM2標(biāo)準(zhǔn)的DRAM芯片的結(jié)構(gòu)。　　按照HBM2標(biāo)準(zhǔn)，DRAM芯片內(nèi)可縱向?qū)盈B最大8Gbit的存儲(chǔ)器裸片，裸片之間通過(guò)TSV(硅通孔)連接。三星于2014年8月發(fā)布了配備36顆2GB DRAM的64GB服務(wù)器用
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美光DRAM表現(xiàn)看弱　市場(chǎng)供需變化使然

　　日前美光(Micron)公布最新1季結(jié)果表現(xiàn)不佳，截至2016年2月止第2季展望也不佳，消息傳出后造成股價(jià)下跌5%，也讓眾多分析師跌破眼鏡。　　評(píng)論認(rèn)為，由于傳統(tǒng)第1季是DRAM價(jià)格淡季，而且PC與移動(dòng)裝置帶動(dòng)DRAM成長(zhǎng)有限，因此DRAM廠商表現(xiàn)黯淡早已可期，但也凸顯美光必須考慮加強(qiáng)布局3D XPoint技術(shù)必要性。　　據(jù)SemiWiki網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，DRAM已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最終普遍性產(chǎn)品，因此，相當(dāng)容易受到供需平衡變化而導(dǎo)致價(jià)格改變。加上目前正處于需求弱但供應(yīng)強(qiáng)階段，因此，DRAM廠商欲求好表
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慧榮科技推出全球首款支持3D NAND的交鑰匙式企業(yè)版SATA 6Gb/s SSD控制器產(chǎn)品

　　慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供應(yīng)商主流3D NAND產(chǎn)品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。這款性能增強(qiáng)的控制器解決方案將有助加快推進(jìn)最具競(jìng)爭(zhēng)力的高性能SSD產(chǎn)品在市場(chǎng)上的應(yīng)用。此次2016年拉斯維加斯消費(fèi)電子展期間(2016 Consumer Electronics Show)，慧榮科技也將展出其使用了升級(jí)版SM2246EN
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