- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長，及內存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型內存的產出，轉為行動式內存與服務器用內存。在供應逐漸吃緊下，第三季開始標準型內存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內存的價格上揚。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來于第四
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TrendForce DRAM
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長，及內存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型內存的產出，轉為行動式內存與服務器用內存。在供應逐漸吃緊下，第三季開始標準型內存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內存的價格上揚。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來于第四
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DRAM 南亞科
- 目前世界半導體產業進入到寡頭時代，競爭格局相對穩定。盡管日本企業在半導體設備行業份額日益減少，但在半導體的一些其他細分行業以及半導體材料領域， 日本企業仍保持著優勢地位。
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半導體 DRAM
- 近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權大戰，長江存儲傳已評估到南京設立12寸廠，聯電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產，并在南科廠同步研發25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創新(GigaDevice)合作的合肥長芯，由前中芯國際執行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年，搶當大陸DRAM產業龍頭。
盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現，長江存儲將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術，由
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DRAM 長江存儲
- 據韓國經濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產的DRAM為目前獲利性高的主力產品，2016年底生產比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規劃在2017年上半投產。NAND Flash領域將目標訂在2017年下半投產72層3D NAND Flash，持續擴大3D NAND的生產比重。
SK海力士DRAM技術本部長金進國(音譯)表示，IT產業對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士 DRAM
- 據韓國經濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產的DRAM為目前獲利性高的主力產品，2016年底生產比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規劃在2017年上半投產。NAND Flash領域將目標訂在2017年下半投產72層3D NAND Flash，持續擴大3D NAND的生產比重。
SK海力士DRAM技術本部長金進國(音譯)表示，IT產業對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士 DRAM
- 賽普拉斯半導體公司今日宣布其一款用于支持瞬時啟動應用的全新小尺寸存儲器解決方案已驗證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲器。該方案在一個低引腳數封裝內結合了用于實現快速啟動和隨開隨用高速NOR閃存，和用于擴展便箋式存儲器的自刷新DRAM ，特別適合空間受限和成本優化的嵌入式 設計。 該解決方案可用于廣泛的應用類別，包括
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賽普拉斯 DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)被預估自2017年第2季開始，將全面采用20納米或以下的制程技術生產所有移動DRAM產品，意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術生產移動DRAM芯片，由此顯示出三星在制程技術上的加速演進。
韓聯社等外媒報導，根據市場研究公司DRAMeXchange指出，據信在2016年第4季三星生產的移動DRAM芯片中，約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術生產。
到目前三星移動DRAM芯片采20納米制程生產比重為82%、18納米為
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三星 DRAM
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價格，4GB模組均價來到17.5美元，較上月的14.5美元上漲逾20%;現貨市場也依然維持強勁的上升格局，DDR3/4 4Gb價格分別來到2.46/2.48美元，較上月同期比較已上漲17%與24%，顯見市場對于后市上漲仍將持續保持樂觀的態度。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，觀察市場面，由于原廠產能陸續轉進行動式內存與服務器內存后，
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TrendForce DRAM
- 容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統硬盤市場的規模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容量SSD將成為各式系統設備及消費者的優先選擇。
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3D NAND SSD
- 南韓沖刺半導體業組成國家隊，由當地前兩大廠三星電子和SK海力士領軍，籌組總規模2,000億韓元的“半導體希望基金”，投資具發展潛力的半導體相關企業。
三星、SK海力士是全球前兩大存儲器芯片商，單是DRAM領域，兩大廠市占率總和超過七成，具有絕對制價與技術領先優勢，兩大廠領軍籌組南韓“半導體希望基金”，預料以存儲器相關業務為優先，臺灣南亞科、華邦電等存儲器芯片廠，以及正在興起的大陸存儲器產業，短線將面臨更大壓力。
業界人士分析，此次南韓的&ld
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半導體 DRAM
- 三星電子智能手機吃悶棍，力拼內存事業救業績!據傳三星為了穩固龍頭地位，將在明年下半生產 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠遠落后，技術差距約為一年半。
BusinessKorea 31 日報導，半導體產業透露，三星內存部門今年初量產 18 納米制程 DRAM，準備在明年下半生產 15、16 納米 DRAM。同時，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產比重，目標明年下半提高至 30~40%。相關人士說，明年三星 10 納
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三星 DRAM
- 3D并不是什么新技術，在消費電子領域已有廣泛的應用，但在汽車應用中卻處于起步階段，仍需要相關技術和解決方案有所突破。以汽車安全駕駛應用為
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車載 3D 安全駕駛
- 阿姆斯特丹自由大學(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實驗室VUSec Lab本周揭露了一個可能影響所有智能手機的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移動平臺或程式上，而是藏匿在手機所使用的動態隨機存取存儲器(DRAM)中，將允許駭客取得手機的最高權限。雖然研究人員是以Android手機進行測試，但理論上該漏洞也會影響iPhone或基于其他平臺的手機。
研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞，并打造Drammer軟體來執行攻擊，發現包括LG、Motorola、
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DRAM ARM
- 去年英特爾宣布了內存技術突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據稱會從根本上改變計算，但是現在傳出這一技術及其產品將被嚴重推遲發布。
根據英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著小于現有型號。英特爾當時宣稱這一新技術不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產與推廣。不幸的是，現在看起來英特爾已經遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術和產品
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英特爾 3D XPoint
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