3d dram 文章最新資訊

英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲

　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據(jù)稱會(huì)從根本上改變計(jì)算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。　　根據(jù)英特爾自己的營(yíng)銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲(chǔ)器速度，而且還提供了出色的存儲(chǔ)密度。這使得存儲(chǔ)設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號(hào)。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來(lái)英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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存儲(chǔ)器價(jià)格回溫　2016年IC市場(chǎng)可望成長(zhǎng)1%

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告將對(duì)2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收的成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)，由原先的-2%提升為1%;此外該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2016年全球IC出貨量成長(zhǎng)率將在4~6%之間。IC Insights調(diào)升半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率的很大一部分原因，來(lái)自于DRAM市場(chǎng)的強(qiáng)勁表現(xiàn)。　　IC Insights指出，自2002年以來(lái)，全球IC市場(chǎng)在第三季平均季成長(zhǎng)率為8%，但去年第三季市場(chǎng)成長(zhǎng)率僅成長(zhǎng)約1%左右;2016年第三季的IC市場(chǎng)成長(zhǎng)率則出現(xiàn)了略為高于過(guò)去十五年平均值的9%。此外該機(jī)構(gòu)預(yù)期，2016年第四
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SMIC擴(kuò)產(chǎn)利好，DRAM推高2016半導(dǎo)體增長(zhǎng)預(yù)測(cè)

　　據(jù)ICInsight的最新預(yù)測(cè)，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)的增長(zhǎng)率將是1%，之前的預(yù)測(cè)為下降2%。它的最新預(yù)測(cè)為2016年增長(zhǎng)1%，及2017年增長(zhǎng)4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預(yù)測(cè)增加4%，上升至6%。　　IC Insight修正預(yù)測(cè)的原因是DRAM的價(jià)格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價(jià)格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達(dá)62%。如今由于智能手機(jī)及PC對(duì)于DRAM的容量需求上升，導(dǎo)致市場(chǎng)缺貨，價(jià)格止跌回升。三星等又重新開始擴(kuò)大投資，增加
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2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

　　摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目，其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。　　2015年中，國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動(dòng)工，整個(gè)項(xiàng)目預(yù)
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手機(jī)DRAM將增至8GB！三星供貨、料用于明年S8

　　行動(dòng)裝置的記憶體不斷擴(kuò)大!三星電子宣布，智慧機(jī)將進(jìn)入8GB DRAM年代，該公司已經(jīng)開始生產(chǎn)，外界預(yù)料將用于明年初問(wèn)世的Galaxy S8。　　韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見的8GB行動(dòng)DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個(gè)16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執(zhí)行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動(dòng)DRAM的到來(lái)，可讓次世代旗艦機(jī)的功能更上一層樓。　　目前智慧機(jī)行動(dòng)DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢?zāi)?、虛擬實(shí)境(VR)等的需求。三星并宣稱，新品效能與當(dāng)前
關(guān)鍵字：三星 DRAM

2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

　　由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目，其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。　　　　2015年中，國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓
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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局

　　半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進(jìn)而顛覆全球DRAM市場(chǎng)。VLT存儲(chǔ)單元在2015年已通過(guò)驗(yàn)證，目前一款新的完整存儲(chǔ)器測(cè)試芯片正處于早期測(cè)試階段。Kilopass一直致力于推廣這項(xiàng)技術(shù)，并正與DRAM制造商進(jìn)行許可協(xié)商。　　“Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲(chǔ)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者而聞名，我
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VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局

　　10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù)，簡(jiǎn)稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點(diǎn)于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。　　最適用于云計(jì)算/服務(wù)器市場(chǎng)的DRAM技術(shù) 　　Charlie Cheng指出，DRAM整體市場(chǎng)較為穩(wěn)定，未來(lái)隨著PC、手機(jī)等方面的市場(chǎng)需求萎縮，新的增長(zhǎng)點(diǎn)將出現(xiàn)在云計(jì)算/服務(wù)器等市場(chǎng)領(lǐng)域。然而當(dāng)前
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詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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DIY 3D全息投影儀

YouTube上的科技頻道總不乏各種技術(shù)宅的奇思妙想，日前，一位名為“Mrwhosetheboss”發(fā)布了一則有趣的視頻，記錄了他將一臺(tái)智能手機(jī)打造成一臺(tái)3D全息投影儀的全過(guò)程。下面就讓我們一起來(lái)見證一下奇跡發(fā)
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TrendForce：九月DRAM合約均價(jià)續(xù)漲逾7%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價(jià)維持強(qiáng)勁上漲走勢(shì)，均價(jià)已來(lái)到14.5美元，月漲幅達(dá)7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預(yù)估第四季的合約價(jià)季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來(lái)的新高點(diǎn)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價(jià)格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來(lái)到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場(chǎng)供不應(yīng)求
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TrendForce：九月DRAM合約均價(jià)續(xù)漲逾7%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價(jià)維持強(qiáng)勁上漲走勢(shì)，均價(jià)已來(lái)到14.5美元，月漲幅達(dá)7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預(yù)估第四季的合約價(jià)季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來(lái)的新高點(diǎn)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價(jià)格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來(lái)到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場(chǎng)供不應(yīng)求
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南亞科未來(lái)兩年投資500億元　提升價(jià)值凌駕市占率

　　南亞科總經(jīng)理李培瑛29日出席臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年會(huì)(TSIA)表示，南亞科計(jì)劃兩年投資500億元，這不是小數(shù)目的投資，其目的在于提升芯片價(jià)值，而非拉升全球市占率，未來(lái)新存儲(chǔ)器技術(shù)ReRAM、3D XPoint都值得注意，且臺(tái)灣的DRAM產(chǎn)能仍占全球產(chǎn)能的20%。　　再者，南亞科召開重大訊息指出，為導(dǎo)入20納米制程技術(shù)，從2016年2月至9月29日為止，向臺(tái)塑網(wǎng)科購(gòu)置制程網(wǎng)路及伺服器等相關(guān)設(shè)備，總價(jià)款約3.43億元。整體來(lái)看，南亞科為配合20納米制程技術(shù)轉(zhuǎn)換制程，預(yù)計(jì)花430億~450億元進(jìn)行相關(guān)設(shè)備擴(kuò)
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DRAM價(jià)格漲勢(shì)延續(xù) 存儲(chǔ)器廠模組廠運(yùn)營(yíng)同步走高

　　DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲不停，主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價(jià)昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達(dá)2.1美元，攀上七個(gè)多月來(lái)高點(diǎn)，本季來(lái)大漲逾24%，第4季報(bào)價(jià)持續(xù)看漲一成，南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進(jìn)補(bǔ)。　　業(yè)界透露，在全球存儲(chǔ)器芯片龍頭三星拉抬報(bào)價(jià)帶動(dòng)下，DRAM漲勢(shì)延續(xù)，9月以來(lái)已連續(xù)三周上漲，漲勢(shì)明確，伴隨追價(jià)買盤進(jìn)場(chǎng)，漲勢(shì)加大。　　根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技昨日晚間最新報(bào)價(jià)，DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價(jià)來(lái)到2.1美元，單日漲幅1.6%，合計(jì)本周以來(lái)二個(gè)交易日
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三星主導(dǎo)調(diào)漲報(bào)價(jià)策略 DRAM廠商有望重掌號(hào)令

　　三星主導(dǎo)調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)策略奏效，全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技最新DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)連四天緩步上揚(yáng)，主流DDR4 4Gb DRAM有機(jī)會(huì)向2美元叩關(guān)，也是近2個(gè)月來(lái)漲勢(shì)最明確的半導(dǎo)體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等，可望重掌多頭反攻號(hào)令。　　存儲(chǔ)器渠道商表示，三星和SK海力士近期主導(dǎo)價(jià)格漲勢(shì)態(tài)度積極，除8月調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)，第4季合約價(jià)也再漲一成，連同第3季合約價(jià)調(diào)漲15%，等于下半年漲幅約25%。　　2大韓系DRAM大廠的市占逾八成，主導(dǎo)DRAM漲價(jià)策略奏效
關(guān)鍵字：三星 DRAM