- 中國存儲器后進廠商 2018 年開始產能逐步開出，目前狀況到底如何?
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DRAM NAND
- DRAM漲勢不斷，后遺癥逐步顯現，渠道商表示，因存儲器漲幅過大，下游應用端，尤其是筆電和部分智能手機等市場，不堪侵蝕獲利，已開始朝降低搭載量抵制，加上部分新產量陸續在2019年產出，研判明年下半年，DRAM漲勢將止步，價格有下調壓力。
調研機構研究報告顯示，三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產計劃，都為未來DRAM市場投下新變數，明年DRAM產值雖仍可成長11.8%，但成長已低于今年的67.8%，到2019年，在新產能增加，重陷價格戰下，年產值將衰選25.9%，且預估有2年的殺戮戰。
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存儲器 DRAM
- 作為一個寡頭壟斷市場，內存條價格一路飆升背后，是三星電子、美光科技、SK海力士內存廠商正經歷一次較為一致的戰略轉變。
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內存條 DRAM
- 臺灣兩大存儲器模組廠威剛與創見一致認為，動態隨機存取存儲器( DRAM )將持續缺貨。威剛預期，DRAM缺貨情況可能延續到明年。
威剛指出，全球人工智能與物聯網產業蓬勃發展，帶動云端基礎設備及服務規模大舉躍升，連帶刺激全球DRAM需求急遽成長。
只是全球DRAM大廠近年都專注于制程改良，并未就新增產能進行巨額投資，威剛表示，這使得今年來全球DRAM缺貨問題不斷延燒。
創見預期，第4季DRAM市場仍將持續供不應求，產品價格也將維持高檔。
威剛更指出，韓系DRAM大廠已預告明年第1
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DRAM
- 本文討論不同的存取技術對于DRAM在進行實體設計時所發生的改變，尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲存單元——DRAM的最小記憶單位…
不同的存取技術對于動態隨機存取存儲器(DRAM)在進行實體設計時將發生什么改變?當動態隨機存取存儲器(DRAM)中的儲存單元(storage cell)加上控制端點以及數據端點后，就被稱為1T1C DRAM單元;其中，控制端點也就是字組線(WL)，用于傳遞位址訊號，數據端點也就是位元線(BL)，用于傳遞數據值。
陣列結
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DRAM
- 隨著數字全球化，爆炸式增長的信息對數據的存儲與傳輸提出了極大的挑戰，而且目前商用計算體系架構內各存儲部件，即緩存(SRAM)、內存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大，其間的數據交換效率也已成為了電子設備發展的瓶頸。因此研發具備存儲密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失(即斷電后數據不丟失)等特點的新式通用式存儲介質勢在必行。
近日，美國Science雜志發表了西安交通大學與上海微系統與信息技術研究所的合作論文——《Red
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相變存儲器 DRAM
- 由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季行動式DRAM產能，在產能排擠效應發酵下，標準型、服務器、利基型等DRAM持續缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業界對明年第一季淡季續漲5%已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。
南亞科受惠于DRAM合約價順利調漲，加上20納米制程新產能全面開出，6日公告10月合并營收月增9.2%達新臺幣50.72億元，創下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預估華邦電營收將介于新臺幣4
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蘋果 DRAM
- 包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠近2年來產能擴張幅度有限，加上20納米以下先進制程轉換難度提高，DRAM位元供給成長明顯較往年放緩。但由需求面來看，智慧型手機搭載容量快速增加，物聯網及汽車電子的需求亦進入倍數成長階段。也因此，在供給吃緊情況下，DRAM價格由去年下半年一路漲到今年底，累計漲幅已將超過1倍。
以4GBDDR4模組合約價來看，去年第3季平均價格僅13美元，但今年第4季價格已大漲至30.5美元，不僅價格已連續6季度調漲，累計漲幅亦超過1.3倍。想當然爾，DRAM價格大漲也明顯
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三星 DRAM
- 由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動式DRAM產能，在產能排擠效應發酵下，標準型、服務器、利基型等DRAM持續缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業界對明年第一季淡季續漲5%已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。
南亞科受惠于DRAM合約價順利調漲，加上20納米制程新產能全面開出，昨(6)日公告10月合并營收月增9.2%達50.72億元，創下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預估華邦電營收將介于43～4
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DRAM 存儲器
- 從過去的兩次半導體產業轉移來看，中國如今已經具備成為行業新霸主的條件，未來半導體行業迎來大發展可以期待。
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中國芯 DRAM
- 美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后，開始拓展旗下產品線廣度，日前耕耘工業領域有成，將推出影像監控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產。
美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產，除了主攻服務器∕企業端、消費性固態硬碟(SSD)領域，也積極推動工業領域應用，日前推出全系列的影像監控邊緣裝置儲存解決方案產品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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美光 3D NAND
- 三星、SK海力士和鎂光，這三家大佬目前占據了市場上95%的份額，現在國產存儲研發成功，但是良率能否提升、量產能否實現，也仍然存在較大不確定性，從研發成功至量產并形成銷售需要長達幾年時間。
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DRAM
- DRAM供不應求短期難解，全球DRAM制造龍頭韓國三星半導體通知渠道商，計劃明年第1季再調漲DRAM報價，漲幅3~5%，其中以行動式DRAM漲幅較大，這也說明三星在采取節制性增產下，仍不愿放棄持續拉升DRAM獲利，推升集團獲利表現，有助破除讓近期市場擔心三星可能會擴產，打亂DRAM產業秩序的疑慮。
中國臺灣地區DRAM大廠也強調，目前主要大廠包括三星、美光和SK海力士等，仍以升級制程作為提高DRAM產出的主要方向，預料即使三星調升部分產線，增加的DRAM產出仍無法滿足市場需求，預料明年DRAM還
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DRAM 三星
- 知名信息技術研究和分析公司Gartner發布預測，2017年全球半導體市場總營收將達到4111億美元，較2016年增長19.7%。這是繼2010年從金融危機中復蘇且全球半導體營收增加31.8%之后，增長最為強勁的一次。根據Gartner統計及預測，全球半導體市場總營收在2014年~2016年的這3年間，規模在3400億美元左右。但2017年因為內存價格逐季大漲，帶動半導體市場出現強勁增長，這也是半導體市場年度總營收首度超過4000億美元大關。
Gartner研究總監Jon Erensen表示，以
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DRAM 高通
- 去年雙11時，一條8G DDR4 2400hz的內存僅在300元左右，轉眼1年過去了，價格已經飆升至900元，也就是說兩條8GB的內存足以購買一塊中端顯卡了，這樣的價格很多年沒有看到過了，也導致了許多想更換內存的朋友望而生畏。
其實內存主要上漲的原因就是內存的上游原料DRAM顆粒在近1年以來瘋狂的上漲，其漲幅到達了111%，原材料的上漲導致內存成本飆升。另一方面由于2016年時電腦市場內存飽和，許多DRAM顆粒制作廠商紛紛把銷售方向轉向了手機，因為手機在不斷的推出新產
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芯片 DRAM
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