- 12月25日，據臺媒報道，臺積電總裁魏哲家此前預告“3納米今年內在臺灣地區量產”的承諾即將兌現。12月23日，臺積電發出活動邀請，12月29日將在南科舉辦3納米量產暨擴廠典禮。此前，魏哲家在法說會上提到，3納米進度符合預期，具備良好良率并將在第四季度量產，在高速運算和智能手機應用驅動下，客戶對3納米需求超過產能。此外，魏哲家承諾2納米工藝2025年量產時會是“最領先的技術”。臺積電多次預告今年內在南科量產3納米。南科晶圓18廠是3納米制程的主要生產基地，3納米制程技術將是5納米（N5）制程技術之后的另一個
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- 據韓國經濟新聞報道，三星電子將運用業界最先進的3納米制程技術為英偉達、高通、IBM、百度等客戶代工芯片，預計最早將從2024年開始產品供應。消息稱，三星將以3納米制程為英偉達代工繪圖處理器(GPU)、為IBM代工服務器用中央處理器(CPU)、為高通代工智能手機應用處理器，并為百度代工云端資料中心使用的人工智能(AI)芯片。這些客戶考慮到三星擁有3納米技術，再加上分散供應源的需要，因此決定委托三星代工。報道指出，這些客戶公司綜合考慮了三星3納米技術能力、從過去開始的戰略合作關系、確保多個供應鏈的必要性等因素
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- 11 月 21 日消息，臺積電創始人張忠謀周一接受采訪時表示，目前在亞利桑那設置的 5 納米廠是美國最先進的制程，但臺積電最先進的制程已到 3 納米。他本人證實，臺積電將在美國設立目前最先進的 3 納米晶圓廠。IT之家了解到，臺積電在美國亞利桑那州投資的 12 英寸晶圓廠將于 12 月 6 日舉行移機典禮，臺積電表示，計劃邀請包含客戶、供應商、學術界和政府代表在內嘉賓，一同慶祝首批機器設備到廠的重要里程碑，張忠謀跟太太也會親自參加。此外，美國商務部長已經答應出席臺積電美國亞利桑那州晶圓廠的“首部機器移機”
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- 代工廠放任客戶編造制造工藝謊言許多人偶爾會謊報自己的年齡或體重，但若公司出現了謊報行為，則可視為虛假廣告或至少構成了品牌稀釋。最近的半導體市場就出現了這種情況，當時，兩家領先的代工廠都放任客戶聲稱他們采用了4納米工藝，而實際使用的卻仍是5納米技術。這種情況讓雙方均形象受損，尤其是代工廠。而這背后，也意味著晶體管發展的緩慢。這個問題最初始于三星。在與臺積電下一個節點的長期競爭中，三星在交付5納米芯片的一年后宣布將于2021年底交付生產4納米芯片。如圖1所示，臺積電計劃在5納米和4納米節點之間用兩年時間，在2
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- 韓國三星電子6月30日正式宣布新一代環繞閘極晶體管（GAA）架構的3nm制程進入量產階段，號稱是全球第一家3nm進入生產的晶圓代工廠，不過市場預期三星的產能規模仍無法追上競爭對手臺積電。臺積電仍維持3奈米下半年進入量產預期，業界推估第四季投片規模可望超過1萬片，包括高通、蘋果、英特爾等都是主要客戶。三星宣布開始量產GAA架構3nm制程，但未公布首發客戶及產能規劃，外電報導客戶包括中國虛擬貨幣挖礦機芯片廠上海盤硅半導體及手機芯片大廠高通，但高通會視情況進行投片。三星指出，3nm采用多橋通道場效晶體管（MBC
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- 2022年6月30日，作為先進的半導體技術廠商之一的三星電子今日宣布, 基于3納米（nm）全環繞柵極（Gate-All-AroundT,簡稱 GAA）制程工藝節點的芯片已經開始初步生產。較三星5納米（nm）而言，優化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%三星電子首次實現GAA"多橋-通道場效應晶體管"（簡稱: MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET）應用打破了FinFET技術的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高
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- 臺積電在4月中的法說會曾透露，預計今年下半年量產3納米，2納米制程的量產時間則落在2025年，沒想到三星上周公開表示，公司將在未來幾周內量產3納米。若此事成真，三星將搶先臺積電量產3納米，然而三星在制程利率的問題仍是外界關注焦點，先前有外媒披露，三星3納米的良率最高僅2成，迫使部分IC 設計大廠選擇轉單至臺積電。科技網站Tom's Hardware報導，三星上周發出一份公開聲明，內容提到公司將透過世界上首次大規模生產3納米GAA技術來加強技術在產業領先的地位，有望在本季，即未來幾周內開始量產。另一
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- 1月16日，蘋果芯片代工廠商臺積電高管證實，該公司將按計劃在2021年開始危險生產3納米Apple Silicon芯片，并在2022年下半年全面量產。早在2020年7月份就有報道稱，臺積電接近敲定其3納米芯片生產工藝，現在該公司有望在2021年開始所謂的“風險生產”。“風險生產”是指原型已經完成并進行了測試，但還沒有到批量生產最終產品的階段。這可以幫助揭示與規模化生產有關的問題，當這些問題得到解決后，全面生產就可以開始。此前的報道稱，蘋果已經買下了臺積電全部3納米的產能，因此幾乎可以肯定的是，蘋果將為Ma
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- 雙方合作包括多個簽核域和跨庫特征提取，以加速設計收斂 簽核解決方案的創新能夠解決從5納米到3納米的獨特挑戰，以確保簽核準確性，并將運行速度提高20倍、內存消耗減少50% ECO迭代減少5倍、提高硬件效率，從而提高客戶的生產效率 新思科技（Synopsys, Inc., 納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，憑借其行業領先的黃金簽核產品組合,
公司已與三星晶圓廠展開合作，以實現經過充分認證的流程，顯著提升準確性、周轉時間和開發者生產效率。針對5G、人工智能和高性能計算S
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- 臺積電昨天召開了第一次虛擬技術研討會，公布了3納米光刻及未來路線計劃。過去幾年，臺積電已經與英特爾旗鼓相當，在半導體領域占據了領導地位。在今年年初英特爾宣布推遲其7納米工藝后，臺積電正抓住機會，以行業領導者的身份繼續“攻城略地”。據臺積電高級副總裁米玉杰表示，該公司有計劃繼續提供有意義的節點改進，直到N3及以下。總的來說，7納米得到了一系列產品系列的支持，而不僅僅是單一的芯片類型或類別，它貢獻了臺積電2020年第二季度36%的收入。接下來，關于N5和N6節點的一些更新。根據臺積電的說法，N6比N5的邏輯密
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- 臺積電與三星在7納米以下先進制程競爭激烈，據外媒報導，傳出三星放棄4納米制程，直接從5納米殺進3納米，跟臺積電正面對決，至于臺積電5納米今年第2季已量產，而三星5納米明年初才可能放量生產，可見臺積電技術仍領先三星1年。臺積電近幾年在先進制程領先業界，7納米和5納米率先量產，國際大客戶搶著下單，產能更是滿載，從2016年起，連續為蘋果獨家代工A系列處理器。三星雖然曾為蘋果A系列處理器代工，但2015年蘋果iPhone
6s系列采用A9處理器，由三星14納米製程打造，在耗能方面竟高于臺積電16納米所生
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- 由于世界前兩大的半導體廠都相繼宣布投入GAA的懷抱，因此更讓人篤定，也許3納米將會是GAA的時代了，因為至3納米制程，FinFET晶體管就可能面臨瓶頸，必須被迫進入下個世代。
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- 據悉，三星電子事實上的領導人李在镕（Lee Jae-yong）討論了三星利用全球首個3納米工藝制造芯片的戰略計劃。
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- 臺積電在7納米、5納米制程完封三星后，目前更加快3納米研發，以延續領先地位，不讓對手三星有先縫插針搶單的機會，據電子時報報導，臺積電3納米傳出提前啟動，位于南科30公頃用地，可望提前4個月、預計于今年底即可完成交地，擺明就是沖著三星而來。
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- 為迎接臺積電3納米廠研發及先期量產，中國臺灣地區環保署11日初審通過竹科寶山用地擴建計劃。另臺積電在會中首度透露，預計把5年后的2納米廠研發及量產都落腳在竹科，以避免研發人才散掉或外流的風險。
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