閃存文章最新資訊

Spansion將CryptoFlash集成到處理器中

Spansion宣布將Discretix CryptoFlash集成到針對(duì)手機(jī)的Spansion安全處理器中 Spansion 宣布，Discretix的CryptoFlash™ 安全技術(shù)將集成到Spansion的安全處理器中，用于基于閃存的手機(jī)安全解決方案。Discretix位于以色列的尼坦亞，在針對(duì)閃存和便攜式產(chǎn)品方面，是嵌入式安全解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商。 Spansion基于內(nèi)存的手機(jī)安全解決方案適用于各類手機(jī)市場(chǎng)，能夠保護(hù)珍貴的個(gè)人信息、內(nèi)容和
關(guān)鍵字： CryptoFlash Spansion 處理器閃存手機(jī) 消費(fèi)電子消費(fèi)電子

飛思卡爾推出Power Architecture™技術(shù)MCU

　　飛思卡爾半導(dǎo)體在微控制器（MCU）技術(shù)領(lǐng)域再次取得突破，進(jìn)一步推動(dòng)了下一代傳動(dòng)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)和其它汽車控制應(yīng)用的創(chuàng)新步伐。該公司的旗艦產(chǎn)品MPC55xx 汽車控制系列的基礎(chǔ)是Power Architecture™技術(shù)，現(xiàn)在新增了一款MPC5566 ——首款集成了3兆閃存的32位MCU。　　　　MPC5566微控制器在當(dāng)今業(yè)界的MCU上嵌入了最大的閃存容量。通過(guò)滿足汽車應(yīng)用對(duì)更大嵌入式內(nèi)存的不斷增長(zhǎng)的需求，MPC5566能幫助
關(guān)鍵字： Architecture™ MCU Power 飛思卡爾閃存消費(fèi)電子消費(fèi)電子

意法車用32-Mbit閃存演繹更高存取性能

新技術(shù)給 M58BW32F帶來(lái)多項(xiàng)重要功能，包括低壓操作、更高存取性能、靈活的保護(hù)機(jī)制意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一個(gè)新的專門為汽車市場(chǎng)開發(fā)的升級(jí)版32-Mbit閃存芯片M58BW32F。新產(chǎn)品因?yàn)槟軌蛟谄嚨娜虦囟确秶鷥?nèi)對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行高速存取操作，所以特別適合汽車客戶對(duì)傳動(dòng)系統(tǒng)和變速器控制模塊的需求，同時(shí)還適用于其它的配備了最新的32位微控制器的高性能汽車系統(tǒng)。新產(chǎn)品M58BW32F采用先進(jìn)的0.11微米制造技術(shù)，汲取了ST在獨(dú)立式和嵌入式閃存產(chǎn)品研發(fā)方面多年
關(guān)鍵字： 32bit 32-bit LBGA80封裝 ST 單片機(jī) 高速存取汽車汽車電子嵌入式嵌入式系統(tǒng) 閃存意法半導(dǎo)體封裝汽車電子

三星8GB60納米閃存用于便攜式播放設(shè)備

三星在一個(gè)月內(nèi)將NAND的容量提高了四倍。三星宣布，公司開發(fā)出了一種8GB 的NAND閃存設(shè)備。這種新的高容量多級(jí)單元（MLC ）閃存是基于60納米的制造工藝，與70納米的產(chǎn)品相比，60納米工藝可以讓產(chǎn)量提高25%。有了這種最新的技術(shù)，三星能夠向消費(fèi)者提供8GB 內(nèi)存的解決方案，它采用兩個(gè)4GB 模塊。新的NAND閃存將于今年第三季度面世。
關(guān)鍵字： 60納米便攜式播放三星閃存

閃存市場(chǎng)混沌現(xiàn)代與三星價(jià)格戰(zhàn)一觸即發(fā)

美國(guó)東部時(shí)間7月13日（北京時(shí)間7月14日）消息：據(jù)業(yè)內(nèi)觀察員稱，市場(chǎng)上表現(xiàn)出來(lái)的NAND閃存價(jià)格即將上揚(yáng)的第一個(gè)信號(hào)還沒有維持多久，在高密iPod nano可能會(huì)延期發(fā)布的傳言中，7月份最新的主流芯片市場(chǎng)動(dòng)態(tài)已經(jīng)預(yù)示出NAND閃存的價(jià)格可能會(huì)再下跌10％。據(jù)業(yè)內(nèi)知情人士說(shuō)，現(xiàn)代半導(dǎo)體公司和三星電子公司也都憋足了一口氣準(zhǔn)備展開一場(chǎng)價(jià)格戰(zhàn)。　　　　雖然Gartner Dataquest研究公司認(rèn)為計(jì)劃在今年四季度上市銷售的10-12GB
關(guān)鍵字：三星閃存現(xiàn)代

閃存8年內(nèi)有望在筆記本上代替硬盤使用

　　三星電子在近日推出了首款閃存筆記本電腦。這款筆記本以32GB的NAND閃存完全替代了傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動(dòng)器。　　早在去年9月，三星與希捷在閃存是否會(huì)全面取代硬盤技術(shù)上展開爭(zhēng)論，三星高層預(yù)言，硬盤時(shí)代已步入黃昏，閃存時(shí)代即將來(lái)臨。希捷公司隨即反駁，認(rèn)為閃存完全替代硬盤還為時(shí)尚早。　　從目前筆記本發(fā)展的趨勢(shì)來(lái)看，移動(dòng)性強(qiáng)，省電等指標(biāo)已經(jīng)成為用戶購(gòu)買筆記本電腦時(shí)的重要考慮因素，未來(lái)筆記本將進(jìn)一步在不影響性能的前提下向輕薄化和長(zhǎng)電池使用時(shí)間發(fā)展，閃存
關(guān)鍵字：閃存存儲(chǔ)器

英特爾稱不出售閃存業(yè)務(wù) 裁員下月出結(jié)果

　　6月23日消息，據(jù)外電報(bào)道，針對(duì)當(dāng)前愈演愈烈的裁員傳聞，英特爾CEO歐德寧日前表示，最終的決定可能在下月財(cái)報(bào)分析師大會(huì)上宣布。　　據(jù)英國(guó)媒體報(bào)道，由于幾個(gè)季度的持續(xù)低迷，英特爾今年4月宣布，將對(duì)公司業(yè)務(wù)進(jìn)行重組，其中包括裁員。此后，英特爾便先后關(guān)閉了蘇格蘭一小型工廠，取消了一光存儲(chǔ)平臺(tái)部門，另外還將兩個(gè)閃存部門合二為一。　　最近幾周，又有消息稱，英特爾最多可能裁員1.6萬(wàn)人。同時(shí)，還將對(duì)部分業(yè)務(wù)進(jìn)行重組，例如出售閃業(yè)務(wù)門等。對(duì)此，歐德寧
關(guān)鍵字：閃存英特爾

閃存VS硬盤：消費(fèi)電子帶來(lái)“共榮”

有國(guó)外媒體日前對(duì)包括硬盤和閃存在內(nèi)的存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)行了一番分析。分析認(rèn)為，硬盤和閃存之爭(zhēng)并不會(huì)帶來(lái)“你死我活”的局面，兩者通過(guò)相互競(jìng)爭(zhēng)、技術(shù)進(jìn)步，加上消費(fèi)電子市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)的需求不斷擴(kuò)大，兩者的未來(lái)都很“光明”。　　日立全球存儲(chǔ)技術(shù)公司的高級(jí)副總裁比爾
關(guān)鍵字：便攜式閃存消費(fèi)電子硬盤存儲(chǔ)器消費(fèi)電子

三星與索尼就長(zhǎng)期供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判

三星電子近日證實(shí)，正在就供應(yīng)NAND閃存問(wèn)題與索尼談判。三星發(fā)言人表示：“我們正在與包括索尼在內(nèi)的一些大公司就供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判，但是目前還沒有確定任何細(xì)節(jié)?！?nbsp; 索尼希望獲得8G以上的NAND閃存，預(yù)計(jì)訂單將占到三星明年NAND總產(chǎn)量的五分之一以上。據(jù)稱雙方預(yù)計(jì)將在明年上半年簽約。蘋果電腦11月與三星簽署了五億美元的長(zhǎng)期協(xié)議，在2010年以前將一直從三星進(jìn)貨.
關(guān)鍵字： NAND 三星閃存索尼談判

常憶推出新型高速SPI閃存

　常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外圍接口(SPI) 內(nèi)存，8Mb及16Mb也將在2006年推出，以供應(yīng)計(jì)算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫(yī)療監(jiān)控器、硬盤、光儲(chǔ)存(ODD)、無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、打印機(jī)、復(fù)雜可程序邏輯組件(CPLD)/現(xiàn)場(chǎng)可程序門陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商，提供球最高性能的串行外圍接口(SPI) 之串行閃存。　　新一代的PM25LV
關(guān)鍵字： SPI 常憶高速閃存

三星稱閃存市場(chǎng)06年再增30%

韓國(guó)三星電子在CES展會(huì)上表示，由于便攜式音樂播放器等的廣泛流行，預(yù)計(jì)2006年的NAND閃存市場(chǎng)將出現(xiàn)大幅增長(zhǎng)。三星電子閃存營(yíng)銷部門副主管Don Barnetson表示，去年全球NAND閃存總銷售額達(dá)100億美元，2004年為70億美元，三星這一急劇增長(zhǎng)的市場(chǎng)中一直保持了60%的市場(chǎng)份額。
關(guān)鍵字：三星閃存市場(chǎng)

閃存數(shù)字電視助IT產(chǎn)業(yè)在今年繼續(xù)復(fù)蘇

據(jù)韓國(guó)三星經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測(cè)稱，在數(shù)字電視和NAND閃存芯片強(qiáng)勁銷售的推動(dòng)下，2006年全球信息技術(shù)行業(yè)將繼續(xù)復(fù)蘇。據(jù)Asia Pulse網(wǎng)站報(bào)道，三星經(jīng)濟(jì)研究所在一篇報(bào)告中稱，全球信息技術(shù)行業(yè)在2005年第二季度觸底之后已經(jīng)進(jìn)入了復(fù)蘇的軌道。在數(shù)字電視和NAND閃存芯片銷售的推動(dòng)下，IT行業(yè)在2006年將繼續(xù)復(fù)蘇。 &
關(guān)鍵字：產(chǎn)業(yè) 閃存數(shù)字電視

采用Saifun NROM技術(shù)中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存

　　中芯國(guó)際與Saifun半導(dǎo)體日前共同宣布，中芯國(guó)際將采用Saifun的NROM技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)閃存存儲(chǔ)卡。　　Saifun的NROM技術(shù)在非易失內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域是一個(gè)突破。NROM技術(shù)將存儲(chǔ)能力提高到每個(gè)基本存儲(chǔ)單元四字節(jié)，是一般基本存儲(chǔ)單元的兩倍多。不僅如此，NROM技術(shù)簡(jiǎn)化了存儲(chǔ)單元的器件模型，減少了生產(chǎn)步驟，降低了生產(chǎn)成本。　　“閃存存儲(chǔ)卡市場(chǎng)對(duì)于我們未來(lái)的發(fā)展而言是一個(gè)重要的驅(qū)動(dòng)力，”中芯國(guó)際首席營(yíng)運(yùn)官M(fèi)arco Mora表示，“在雙方簽署的第二份協(xié)議中，我們將Saifun先進(jìn)的技術(shù)和中
關(guān)鍵字： NROM Saifun 閃存中芯

常憶針對(duì)供應(yīng)程序數(shù)據(jù)儲(chǔ)存推SPI閃存

常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外圍接口(SPI) 內(nèi)存，8Mb及16Mb也將在2006年推出，以供應(yīng)計(jì)算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫(yī)療監(jiān)控器、硬盤、光儲(chǔ)存(ODD)、無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、打印機(jī)、復(fù)雜可程序邏輯組件(CPLD)/現(xiàn)場(chǎng)可程序門陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商，提供球最高性能的串行外圍接口(SPI)&
關(guān)鍵字： SPI 常憶閃存數(shù)據(jù)儲(chǔ)存

三星避冷就熱兩季壓縮DDR2提閃存產(chǎn)量

　　據(jù)國(guó)外媒體援引消息人士透露，韓國(guó)芯片巨頭三星電子計(jì)劃進(jìn)一步縮減DDR2內(nèi)存產(chǎn)能，并將生產(chǎn)線用于盈利更好的NAND閃存。　　據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，在本季度，三星電子已經(jīng)將其DDR2內(nèi)存的產(chǎn)能壓縮了大約5000萬(wàn)個(gè) “256Mbit單位”。到明年第一季度，該公司計(jì)劃進(jìn)一步壓縮5000萬(wàn)個(gè)單位。這位消息人士說(shuō)，三星電子計(jì)劃用這些騰出的生產(chǎn)線生產(chǎn)目前市場(chǎng)供不應(yīng)求的NAND閃存產(chǎn)品。　　三星電子這個(gè)舉措符合存儲(chǔ)市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli對(duì)明年DRAM市場(chǎng)所作的估計(jì)。據(jù)這家機(jī)構(gòu)
關(guān)鍵字： DDR2 三星閃存

共577條 38/39 |‹ « 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 »

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]