閃存文章最新資訊

淺談USB閃存盤與PIC微控制器系統(tǒng)的連接

問題與挑戰(zhàn) 　　作為現(xiàn)今普遍接受的移動存儲工具,USB閃存盤在各種嵌入式系統(tǒng)中也獲得廣泛應用。　　本文介紹低成本PIC控制器通過USB2.0全速接口與閃存盤進行連接的實現(xiàn)過程，并著重針對PIC微控制器和VinculumUSB接口芯片說明有關嵌入式接口的硬件設計以及程序的編寫。　　如今各種閃存盤和USB外設價格已相當?shù)土?并被廣泛應用到帶USB接口的PC中.而要將它們應用于8位或16位嵌入式系統(tǒng)中,如何解決成本和功耗等問題才是關鍵.
關鍵字： USB 閃存 PIC 微控制器連接嵌入式系統(tǒng) 存儲嵌入式

革命性架構推動閃存領域發(fā)展

　　Spansion以非易失性存儲技術的持續(xù)創(chuàng)新推動閃存領域的發(fā)展。在本世紀初推出MirrorBit技術之后，Spansion以MirrorBit ORNAND技術和2006年推出的世界首款每單元4比特MirrorBit Quad技術，不斷引領市場。現(xiàn)在，Spansion又推出了強大的革命性MirrorBit Eclipse架構，為多功能手機及多媒體便攜設備提供更高性能和更低成本，顯著降低手機OEM廠商存儲子系統(tǒng)材料(BOM)成本。　　MirroBit Eclipse工作原理　　完整的陣列可以在相
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機架構閃存 MCU和嵌入式微處理器

IC Insights：閃存成長暫緩　前景仍看好

　　業(yè)界預測2007年閃存市場將出現(xiàn)下滑，不過市場研究公司ICInsights仍然看好該產品領域的長期前景。該公司在其McClean報告(TheMcCleanReport)的半年更新中預測，2007年閃存市場將比2006年下降1%，從201億美元降到199億美元;但預計該市場在2008年將反彈16%，達到231億美元。　　據(jù)上述年中更新報告，2007年閃存市場趨緩，主要原因是單位出貨量下降(預計2007年成長11%)，和平均銷售價格(ASP)下滑(預計2007年下跌11%)。產品儲存密度提高，導致單位
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機閃存 IC 模擬IC

報告:9月全球微芯片銷售收入同比增長5.9%

　　據(jù)美國半導體行業(yè)協(xié)會(SIA)周一稱，在PC和手機等消費電子產品需求的推動下，今年9月份全球微芯片銷售收入增長了5.9%。　　9月份全球微芯片銷售收入從去年同期的213億美元增長到了226億美元。今年第三季度全球微芯片銷售收入增長6%，從去年同期的640億美元提高到了678億美元。　　SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱，第三季度的全球銷售比今年第二季度增長了13.2%反映了為圣誕節(jié)假日銷售準備產品的傳統(tǒng)模式已經開始。　　消費電子產品的需求非常強勁。第三季度用于傳統(tǒng)消費電子產品的
關鍵字：消費電子 NAND 閃存芯片嵌入式

Spansion與中芯國際簽代工協(xié)議任命Gary Wang為大中華區(qū)總裁

10月24日，對Spansion和中芯國際來講都是一個重要的日子。Spansion公司宣布，為加強對中國市場的關注力度，Spansion已與中芯國際集成電路制造有限公司（中芯國際）展開合作，將向中芯國際轉讓65納米MirrorBit 技術，用于其在中國的300毫米晶圓代工服務。中芯國際與Spansion還簽署了一項初步諒解備忘錄，將授權中芯國際為中國的與內容發(fā)布相關的產品應用市場制造和銷售90納米、65納米以及將來的Spansion M
關鍵字： Spansion 中芯國際閃存晶圓代工 Gary Wang Bertrand Cambou

報告稱：07年全球集成電路出貨量將增長10%

　　10月21日消息，據(jù)外電報道，市場研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長率從原來的8%提高到了10%。　　這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產品出貨量的強勁增長，如DRAM內存出貨量增長49%，NAND閃存出貨量增長38%，接口集成電路出貨量增長60%，數(shù)據(jù)轉換集成電路出貨量增長58%，汽車模擬集成電路出貨量增長32%。　　ICInsights稱，如果2007年全球集成電路出貨量增長率達到10%或者更高，這將是連續(xù)第六年的兩位增長
關鍵字：模擬技術電源技術集成電路 NAND 閃存

NAND閃存價格反彈帶動八月芯片銷售增長

根據(jù)半導體產業(yè)協(xié)會SIA報告，2007年8月全球芯片銷售三月平均值達到215.2億美元，比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷售增長超過分析師預測，比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長4.5%。 SIA表示，增長歸因于NAND閃存供應減少導致平均銷售價格反彈。8月份NAND閃存銷售價格比7月增長19%，與2006年8月相比增長48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節(jié)性增長帶來全球半導體銷售連續(xù)健
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND 閃存芯片 MCU和嵌入式微處理器

Microchip推12款全新高性能8位閃存單片機

MicrochipTechnologyInc.(美國微芯科技公司)宣布推出12款全新的高性能、8位閃存單片機，其中包括該公司首款集成片上高速12位模數(shù)轉換器外設的USB及LCD單片機系列。三個新產品系列共備有16種集成高分辨率片上模數(shù)轉換器的高性能PIC18單片機，擴展了Microchip通用PIC18F4523系列產品線并極大地豐富了客戶的選擇。在這三個新產品系列中，PIC18F8723大容量存儲器通用系列提供豐富的外設集以及高達10MIPS
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 Microchip 閃存單片機

東芝稱閃存芯片供不應求只能完成70%訂單

東芝(Toshiba)半導體部門的CEO兼總裁ShozoSaito稱，東芝無法滿足對其NAND閃存芯片的需求，訂單已經排到了12月份。 Saito表示，東芝只能滿足客戶訂單需求的70%。但是，東芝對NAND閃存芯片平均售價的前景并不樂觀。本周，Saito在接受采訪時說，目前有利的一面是需求相當強勁，我們計劃大幅度提高產量，滿足迅速增長的需求。大多數(shù)的NAND閃存需求來自嵌入設備市場，其中包括MP3播放機、優(yōu)盤等產品，閃存卡只占需求很少的一部分。Saito說，東芝將專注于嵌入式設備
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機東芝閃存芯片

中芯國際進軍閃存市場計劃遇到阻力

　　據(jù)一名外國分析師透露，中國晶圓代工廠中芯國際集成電路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.，以下簡稱中芯國際)進軍閃存市場的計劃明顯遇到了阻力。　　早在2005年的時候，以色列的賽芬半導體有限公司(Saifun Semiconductors Ltd.)曾透露和中芯國際簽訂了一份晶圓代工協(xié)議。在賽芬的幫助下，中芯國際公司去年決定進軍存儲卡市場。中芯國際擴充了專利授權范圍，獲得了使用氮氧化合物閃存技術的權利，目的是開發(fā)和生產存儲卡。
關鍵字：中芯國際閃存存儲器

NAND閃存價格走好東芝晶圓廠產能滿載利潤大漲

Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產能利用率已經處于最高位。事實上，東芝公司的業(yè)務表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認為供需形勢處于有利狀況，由于晶圓廠產能利用率達到100%，公司不得不回絕了25%的訂單?！?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價下降70%，東芝曾經預計2007年更進一步下滑50%，但是到目前為止，價格還高于預計之上。” 價格已經觸底
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND 閃存東芝嵌入式

NAND閃存合同價格自六月以來首次下跌

九月，NAND閃存芯片合約價格自六月以來首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內存制造商經歷庫存增加壓力。　　根據(jù)內存市場研究機構DRAMeXchange最新調查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價格則相對穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價格有所回升。　　據(jù)臺灣內存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業(yè)內，使得激烈價格上升。需求被昂貴的價格壓抑，反映在現(xiàn)貨市場價格疲弱。　　雖然許多內存庫存商8月期間已經減少其采購，最新的報價仍然加
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND 閃存嵌入式

三星等涉嫌操控NAND閃存價格被起訴

據(jù)國外媒體報道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價格而遇到集體訴訟。　　據(jù)悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導體、美光（Micron）科技、美光半導體產品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司；　　Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導體、三星電子、意法半導體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
關鍵字：消費電子三星 NAND 閃存消費電子

東芝與SanDisk合資閃存工廠計劃月產8萬晶圓

東芝(Toshiba)與SanDisk合資的300mm晶圓廠Fab 4舉行落成典禮。該廠位于東芝在日本四日市(Yokkaichi)的場地內。東芝于2006年8月開始興建上述工廠，預計在2007年12月開始大規(guī)模生產，并在2008年下半年把月產能提高到8萬片晶圓。在從2006年4月到2008年3月的兩年內，F(xiàn)ab 4項目的投資額預計達3,000億日元(約合26億美元)。東芝和SanDisk表示，F(xiàn)ab 4的月產能有望提高到21萬片。Fab
關鍵字：消費電子東芝 SanDisk 閃存消費電子

東芝與SanDisk合資閃存工廠計劃月產8萬晶圓

東芝(Toshiba)與SanDisk合資的300mm晶圓廠Fab 4舉行落成典禮。該廠位于東芝在日本四日市(Yokkaichi)的場地內。東芝于2006年8月開始興建上述工廠，預計在2007年12月開始大規(guī)模生產，并在2008年下半年把月產能提高到8萬片晶圓。在從2006年4月到2008年3月的兩年內，F(xiàn)ab 4項目的投資額預計達3,000億日元(約合26億美元)。東芝和SanDisk表示，F(xiàn)ab 4的月產能有望提高到21萬片。Fab 4在開始階段將采用56納
關鍵字：消費電子東芝 SanDisk 閃存消費電子

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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]