- 集邦科技最新報告指出,伴隨需求持穩放大,加上DRAM、FLASH產能供給調整趨于平衡,NAND FLASH浮現供給缺口跡象,七月上旬NANDFLASH合約報價,SLC大漲15%至30%之多%。集邦認為,依照當前掌握數據觀察,整體NAND Flash需求將在第三季超過供給,下半年NAND Flash將供不應求,第三季、第四季供給缺口各約0.3%、1.5%。 模塊廠勁永指出,Flash第二季初仍持續下跌,因上游國際大廠SLC及MLC制程轉換影響,五月份下旬價格才開始緩步
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NAND 閃存
- NAND flash方面,由于iPhone內部使用的NAND flash顆粒是以三星(Samsung)的產品為主,所以三星的NAND flash營收也將因iPhone的熱賣而直接受益。集邦科技預估iPhone今年下半年出貨量至少約在400萬支左右,而2008年iPhone的出貨量將占全球手機市場的1%左右,到達1200萬支。倘若iPhone今年下半年4GB和8GB的出貨比重相同,則iPhone耗用NAND flash的數量為192mn (1Gb的顆粒為單位
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iPhone NAND 閃存
- NAND型閃存(Flash)供應端下半年恐將拉警報,造成供貨嚴重不足主因,除英特爾(Intel)為搶進50nm制程,決定既有采用78nm制程所生產NAND Flash將暫不供應下游客戶端,還有三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦為強化整體競爭力,被迫將產能加速轉進至50nm主流制程,加上為供應蘋果(Apple)下半年龐大訂單,還必須挪出部分采70nm制程產能,在產能兩頭燒情況下,亦無力滿足下游客戶訂單需求,因此,業界紛預期2007年下半全球NA
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NAND 閃存
- 全球NAND型閃存(Flash)大廠美光(Micron)近來針對全球NAND Flash市場未來發展發出警語表示,目前NAND Flash廠制程技術發展相當快速且先進,但微影技術無法跟上NAND Flash廠發展,尤其令人感到驚訝的是,微影設備商技術竟遠落后NAND Flash大廠數年,幾家NAND Flash廠商為于未來順利發展,還必須領先微影設備商,自行開發一些相關技術。 近來全球各大DRAM廠為能有效運用旗下晶圓廠,加上NAND&
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NAND 閃存 美光 Micron
- 根據國外媒體報導, NAND閃存市場上的競爭業者,包括Hynix、IM Flash與Toshiba等,最近都悄悄增加產量,并且準備推出45nm以下的產品。這個領域的供貨商不但在程序技術上激烈競爭,也在準備因應市場上新的需求與產品的周期。市面上逐漸出現需要NAND的新應用,例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能,采用閃存的電視機。NAND業者最近動作頻仍,市場領導供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件,第二大供貨商 Toshi
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NAND 閃存
- NAND閃存產業風水輪流轉,變化相當快速,原本第一季度頭號存儲卡廠商SanDisk還被第二名的金士頓(Kingston)苦苦追趕,飽受價格大跌之苦,然經過這一波缺貨潮的洗禮之后,SanDisk成為了閃存存儲卡產業中的最大贏家。從上游NAND閃存晶圓,到終端成品制造一條鞭掌握的模式,在缺貨時期的優勢發揮淋漓盡致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND閃存價格大跌、終端需求疲弱不振的影響,財報出現了赤字,SanDisk在2007年第一季度凈虧損57.5萬美元,每股剛好損益平衡,第二季度受到了NAND閃
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NAND 閃存 存儲器
- 根據iSuppli公司的正式消息,NAND閃存供應商所面臨的市況是業內有史以來最惡劣的,并且這種狀況可能進一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地,供應商們就不會抱怨NAND閃存業務的定價和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比,今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價有望下降35%到40%。這種戲劇性的價格下滑意味著NAND閃存業務作為一個整體將在今年第一季度遭遇運營損失,該市場有史以來第一次發生這樣的事情。 經濟學101法則 需求對降價呈現彈性的響應,市況惡劣的主要原因在于NAND供
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- iSuppli稱,手機市場銷量的強勁上揚推動NOR閃存供應商Spansion在2006年全球無線手機閃存市場中據于領先地位,并提升了其在全球閃存市場的排名。 2006年Spansion面向手機市場的NOR型閃存銷量增加到18億美元,較2005年的14億美元提高了35%。增長幅度是全球手機閃存市場增幅(2006年達到61億美元,較2005年的52億上升了16.4%)的兩倍以上。 2006年,Spansion的市場份額增加到29.9%,較2005年的25.8%有所上升。從而使Spansion在全球閃存市場排名
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- 華邦電子有限公司日前正式宣布推出業界首顆四通道SPI串行閃存器件。容量為16Mbit的W25Q16SpiFlash是第一顆屬于W25Q系列的產品,這一系列將提供單/雙/四通道SPI輸入輸出格式,使用成本低廉的8引腳封裝,容量為8Mbit到64Mbit。 在推出W25Q系列產品之前,串行閃存器件通常用于存儲非易失性代碼,系統通電后,代碼將從閃存器件下載到SDRAM中,這一過程稱為代碼映射(code-shadowing)。現在,微處理器可以通過使用高
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- 業界預測DRAM內存合同價在8月還將上升,同時受三星電子上周一因某工廠停產的影響,NAND閃存的價格也持續攀升。三星近日提高了NAND閃存在現貨市場的價格,力晶半導體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調高了eTT DRAM內存的報價。 在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產后,各廠商均密切關注該事件對NAND閃存價格造成的影響。來自內存模具廠的消息稱三星對MLC結構的8GB、16GB和32GB
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- 1、引言 隨著嵌入式系統應用領域的不斷擴大,系統復雜性也在不斷提高。閃存作為廣泛使用的嵌入式存儲設備,其管理技術和訪問方式經歷了一個由開發員直接控制到由操作系統的I/O軟件間接控制的過程。然而目前現有的這些閃存管理方案都不能提供一種方便、統一且移植性好的I/O軟件接口,增加了嵌入式產品的研發周期。因此,本文旨在針對一般的嵌入式應用,設計并實現一種更合理的閃存I/O軟件。該軟
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嵌入式系統 單片機 閃存 IO軟件 嵌入式
- 北京,2007年8月2日-全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion(NASDAQ:SPSN)今天宣布任命行業經驗豐富的Carla Golla為新成立的安全及高級技術事業部執行副總裁。Golla女士直接匯報給CEO辦公室,她負責推動Spansion安全存儲解決方案的制定和部署,包括公司的MirrorBit® HD-SIM™產品系列。此外,她還負責制定公司的高級技術戰略,利用與臺積電的合作,拓展MirrorBit在40nm及更先進制程下的發展。 Spansion總
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- Spansion宣布,其MirrorBit NOR閃存已完成在mediaTek主流手機參考設計平臺上的預先驗證。MediaTek總部位于臺灣,是全球前十大提供無線通信和數字媒體解決方案的半導體芯片設計公司之一。在MediaTek參考設計平臺上完成對Spansion閃存解決方案的預先驗證,將使生產商能夠將具有成本效率的高性能手機更快地推向中國及其它高速增長市場。 &
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- 隨著NAND閃存芯片需求的增加,內存廠商已越來越難得到充足的NAND閃存芯片供應,NAND閃存芯片吃緊加劇了內存產業整合,業內人士稱現在已有許多小規模的內存廠商從市場中退出。 今年前一段時間NAND閃存芯片價格出現了下滑,現在價格又開始了回升,可這并不能讓眾多內存廠商高興起來,因為并非所有的內存廠商都能得到足夠的NAND閃存芯片供應,特別是在蘋果霸占了三星的大量NAND產品的情況下。 現在約有一半的二線三線內存廠商退出了NAND閃存業務,這也是不得已而為之,由
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- 為滿足中國白色家電市場的需求,NEC電子近日完成了7款雙列直插封裝(SDIP) 8位全閃存產品的開發,并將于即日起開始提供樣品。
此次推出的7款新產品均為16-32個引腳的“少引腳”8位微控制器產品,封裝形式均為雙列直插封裝(SDIP)。雙列直插封裝與近幾年一直占據主流地位的表面貼裝型封裝相比,更易于封裝,可降低生產成本。該7款產品均為全閃存產品,因此有利于客戶縮短整機的開發周期,便于客戶更靈活的安排生產計劃。
新產品的樣品價格因存儲器的容量及引腳數的不同而有所差異,其中集成了4kb閃存的
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位,區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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