據iSuppli市調公司2010年第一季度的NAND閃存市場調查報告顯示，三星與東芝公司兩家占據了NAND閃存市場的絕大部分份額，其中三星的營收 份額最高，達到了38.5%，東芝則位居第二為33.8%，兩者合在一起占據了72.3%的NAND閃存市場營收份額。按美元計算，今年第一季度NAND 閃存的市場總值達到43.6億美元，比去年第四季度NAND閃存市場總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節性因素的影響，每年的第一季度閃存市場一 般都會比上一年最后一季度有所萎縮，而今年則反其道而行，iSuppli
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三星 NAND 閃存
東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產線，生產小于25納米制程的NAND閃存芯片。
目前東芝生產的NAND閃存是采用32與43納米技術，主要應用于手機及數字相機等電子消費產品。為生產新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術，因此，東芝也將進行相應的技術升級。目前，東芝已向荷蘭半導體微影系統大廠ASML訂購設備，預計在今年夏天試驗投產。消息一經公布，東芝在股市中漲幅達3.5%，遠遠超過同類電氣機器指數0.8%的漲幅
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東芝 NAND 閃存
據iSuppli公司，由于來自高密度應用的需求上升以及供應商的產量穩步增長，NAND閃存價格波動了兩年之后，該市場已恢復穩定。
第一季度NAND平均價格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對溫和的變化，2009年第一季度大漲34%。
NAND價格持續透明，導致2009年第四季度營業收入創出最高記錄，使得多數NAND供應商對于2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機和microSD卡等高密度應用的推動下，市場對于NAND閃存的需求不斷增長，也增強了廠商的信心。這種旺盛需
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閃存 NAND
富士通微電子公司日前宣布，已經成功開發出一種NOR型閃存新技術，可提高閃存讀取速度，并同時降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機存儲)中的電路元素，從而實現了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達，訪問時間僅10ns，同時工作電流降低三分之二達到9µA。通過在嵌入式設備中應用這項技術，便攜音視頻設備將有望改進性能，同時延長電池續航時間。
富士通表示，將以這項N
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富士通 NOR 閃存
據iSuppli公司預測，蘋果今年的iPhone生產計劃可能導致新一輪閃存供貨危機的發生。據iSuppli公司預測，今年蘋果對其iPhone產品進行升級之后，iPhone手機產品的閃存容量將平均達到35GB之多，比現有的最大容量32GB還多。再加上iPhone本身的銷量還將進一步實現幅度為32%的增長，達到3300萬部左右，這樣全球閃存市場今年將因此而再次呈現閃存供應緊張的局面。
過去，蘋果每年都會將其設備所裝備的閃存容量以每年增加一倍的速度提升，這樣今年其iPhone手機的閃存容量有望達到64
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在最近舉辦的一次會議上，Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關Intel閃存業務的一個驚人規劃，他們計劃在閃存技術和SSD產品市場上取得領先地位，但他們并不準備在散片NAND閃存市場 上扮演領軍人的角色。看起來他們并不愿意在風水輪流轉的NAND閃存散片市場和三星，現代以及東芝這些廠商一爭高下，但于此同時,他們又表現出想把三星從SSD業 務排名第一的寶座上拉下來的意圖。
Intel不準備在NAND閃存散片市場稱雄的決定令人稍感驚奇，過去他們一旦進入某個市場，那
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摘要：就閃存應用于星載大容量存儲器時的寫入速度慢、存在無效塊等關鍵問題探討了可行性解決方案，并在方案討論的基礎上論述了一個基于閃存的大容量存儲器的演示樣機的實現。 無效塊空間飛行器的數據記錄設備是
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根據市場調研公司DRAMeXchange的最新統計，12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平，高密度芯片價格則將下降1-5%。
其中，16Gb芯片期貨價格下降2-7%，32Gb芯片價格持平或下降3%，兩種芯片后半個月的平均銷售價格預計為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價格依舊保持在4.02美元。
盡管受到季節性銷售規律的影響，NAND閃存12月份的銷售價格依舊保持穩定。考慮到一些芯片制造商將重點轉移到了工藝升級上，產能上或受影響，很多下游廠商已經開始存貨為即
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閃存 NAND
在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產品，并對其進行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規格數字，但外界認為他們很可能會于明年初公布有關的細節信 息。這樣，鎂光及其NAND技術的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術，甩開對手三星和東芝，重新回到領先全球NAND制作技術的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創立有一家專門負責NAND業務的IM閃存技術公司。
除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
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據國外媒體報道，市場研究公司iSuppli最新研究數據顯示，第三季度全球NAND閃存市場業績強勁，東芝表現最為搶眼，營收環比增長近50%。
全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現強于市場，其NAND閃存營收較第二季度的9.24億美元增長了47.5%，達14億美元。東芝在全球NAND閃存市場上位居第二，僅次于三星電子。
iSuppli資深分析師Michael Yang說：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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閃存S29AL016D在數據處理系統中的應用,0 引言
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全球第三大閃存制造商--Numonyx執行長Brian Harrison周一表示,預計在接下來的季度中,公司將會開始再度盈利,因該行業正擺脫長期下滑趨勢,而主要競爭對手經營困難也令公司擴大份額。
Harrison在接受路透電話采訪時稱,公司在三季度接近收支平衡,"希望接下來季度中能盈利,但我們并沒有做任何預測。公司處于有利位置,我們的成本構成大幅降低。"
Numonyx是一家瑞士的私營企業,由英特爾和意法半導體合資設立。
Numonyx和韓國三星和日本東芝等其他大
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《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。
PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結晶態和非結晶態相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內能保存多個比特，因此存儲密度和成本
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據來自ISMI Symposium的消息，NOR閃存制造商Spansion將出售其300mm工廠。
Spansion高層拒絕對這座名為SP1工廠的狀態進行評論。“SP1是Spansion Japan的資產，目前正在對可能的重組方案進行評估。我們繼續和Spansion Japan緊密合作，并通過我們內部和外部的資源，對客戶的要求進行最大程度的支持。”Spansion在一份聲明中表示。
2007年，Spansion啟用業界首座300mm NOR閃存工廠。這座耗資12億美
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那些鼓吹基于閃存的SSD硬盤技術的人可能要感到失望了，因為據最新的研究結果表明，如果磁盤技術按現有的速度發展下去，那么到2020年，雙碟2.5寸 硬盤的容量將能達到14TB左右，價格則會降到40美元的水平(目前500GB硬盤普遍售價為100美元左右),仍然具有相當的競爭力。而盡管基于閃存的SSD硬盤產品由于在讀寫性能，省 電性能方面更為優秀，正在日漸流行，但其每GB折算價格卻接近磁盤式硬盤的10倍,另外，閃存技術在2020年之前很可能會遇到性能發展上的瓶頸，這使基 于閃存的SSD硬盤即使在10年或更久
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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