- Intel與鎂光的閃存合資企業IMFT在新加坡的新閃存工廠近日舉辦了正式開業儀式。這間工廠耗資近30億美元，員工人數有望達到1200人。這間工廠從去年中期開始已經在生產25nm制程NAND閃存芯片產品，目前正在提升該產品的產量，預計今年晚些時候該廠將能開足馬力進行生產。
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- 英特爾與美光稱上周宣布了20納米Nand閃存制造技術，英特爾稱利用這一技術將有望制造出業界體積最小、密度最高的閃存裝置。
英特爾的非揮發性內存解決方案部門的總經理Tom Rampone表示，“英特爾與美光的合作是制造業的楷模，因為我們將會在制程技術上持續領導業界轉換至越來越微小的技術。”
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- 在2011年的國際固態電路會議(ISSCC)上，海力士、三星和東芝公布了各自關于尖端NAND部件的更多細節。
在一段時間內，由于手機、平板電腦和固態存儲等產品市場的強勁需求，NAND閃存廠商一直有著驚人的增長速度。
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- Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布已經擴大業內最快速的NOR閃存產品系列，從而為新一代汽車、消費電子和游戲等應用注入強勁創新力。Spansion GL-S系列針對快速數據訪問、提升互動性和啟動性能而開發，使得電子設備在按鍵后幾乎能夠立即啟動，提供最快的交互用戶體驗。這次擴大的GL-S系列密度范圍包括128Mb至2Gb，相比同類競爭NOR產品性能優勢提升最高達45%。
Spansion GL-S系列產品是基于獲得高度成功的、針對交互游戲應用的2Gb GL-S產品，該產品已于2
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- 無線連接、定位與音頻平臺領導廠商CSR與TSMC昨日共同發布擴大雙方合作關系，CSR已采用TSMC先進的90納米嵌入式閃存制程技術、硅知識產權與射頻CMOS制程推出新一代的無線產品。
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- 根據摩爾定律，性價比更高的閃存將取代硬盤，飛快占領存儲市場。
有些嘎吱作響的東西很容易讓人聯想到文物，比如硬盤。
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- 包裝信息可能包含：指定目標設備、代碼版本、大小、日期和其它對用戶有用的信息。這個信息可警告操作員正在使用一個較低版本的固件，從而會使設備的部分性能降低，或者正在裝載一個不支持的指定設備。在如今競爭激烈
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- 2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級別，2011年則將成為20nm級別普及的開端，同時10nm級別工藝的投資和研發也即將陸續開始。
SanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營業費用投資就是研發，包括Fab 5晶圓廠上線投產，以及(10nm級別)和更先進NAND閃存制造工藝的技術投資。”
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- 據iSuppli公司，作為多種消費電子產品的事實性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實現兩位數的增長。
2010年NAND閃存銷售額創下最高紀錄，增長38%。預計今年銷售額將達到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預計2011年增長72%，達到193億GB。
盡管增長勢頭強勁，但2011年底市場形勢可能發生變化。考慮到目前市場中樂觀氣氛彌漫，而且供應商可能過度投資擴大生產，風險可能在2011年底浮現，屆時供應可能超過需求。預計201
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- 據國外媒體報道，美國國際貿易委員會(以下簡稱“ITC”)當地時間周四裁定，三星及其客戶沒有侵犯飛索半導體(以下簡稱“飛索”)的兩項芯片專利。
如果三星及其客戶侵犯了飛索的專利，蘋果、RIM等公司的多項產品將被禁止進入美國市場。飛索曾經是NOR閃存領域的領頭羊。
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- JEDEC 固態技術協會, 微電子產業全球領導標準制定機構日前宣布，將于近期發布下一代閃存存儲器標準 - 。在近期所舉辦的JEDEC委員會上，該標準制定取得的重大進展。該標準旨在成為智能手機與平板電腦等移動電子設備所使用的基于閃存的最先進的存儲規范。UFS標準的開發宗旨是為了滿足不斷提高的設備性能需求。其最初所支持的數據吞吐速率是每秒300兆字節，并支持指令排隊功能，以便提高隨機讀寫速度。該標準預計將在未來3個月內完成。
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- 基于SPIFI外設的Cortex-M MCU嵌入式閃存選型解決方案,新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI閃存接口技術(SPIFI，已申請專利)可以幫助32位嵌入式系統設計人員以小尺寸、低成本的串行閃存替代大尺寸、高成本的并行閃存。利用SPIFI (讀音與spiffy諧音，意為ldquo
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- 正當涉足NAND閃存業務整整一年之際，美光于12月2日新推出一種功能強大且封裝緊密的25nm MLC處理器，這可使美光在當前的閃存市場處于更加有利的地位。
這款命名為ClearNAND的芯片分為標準型和增強型兩個版本，標準版的存儲容量為8GB和32GB， ClearNAND增強版的存儲容量為16GB和64GB。
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- 海力士半導體(Hynix)M8產線未來將以代工事業為重心。據南韓電子新聞報導，近期海力士以部分IC設計公司為對象，提出運用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導體、發光二極管(LED)驅動芯片、顯示器用驅動芯片(DDI)、傳感器專門IC設計等企業皆為協商對象。
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- 應用于閃存微控制器的“新閃存”架構技術, 簡介 嵌入式微控制器越來越多樣化，可以滿足嵌入式系統市場的應用需求，而主流已經從傳統的掩模ROM微控制器轉向了內置閃存(可擦寫的非易失性只讀存儲器)的閃存微控制器。 閃存微控制器目前有兩種主要應用：
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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