英特爾至強6處理器家族，性能與能效的平衡之道當下，生成式 AI 浪潮正席卷全球，各行各業都在經歷前所未有的變革。隨著企業應用場景變得日益多元且復雜，數據中心已然成為推動創新的 “數字心臟” ，助力各領域不斷取得突破。然而，算力需求的增長如何與能耗協同、通用架構如何與場景多元化匹配、技術迭代如何與生態步伐協同，構成當前企業應用算力過程中亟待解決的問題。深耕數據中心領域多年，英特爾始終以技術創新為基石，為行業提供更高效、更靈活、更可持續的解決方案。我們深知，真正的創新是通過技術的縱深突破，為企業提供“性能不妥
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英特爾 算力配置
據路透社報道，一名聯邦法官周三駁回了針對英特爾的訴訟，該訴訟指責該公司及其管理層隱瞞了其半導體制造部門在 2023 年的財務困境。舊金山的美國地區法官 Trina Thompson 裁定，原告未能提供證據證明 Intel 及其高管犯下了任何不當行為。該案在無損權利的情況下被駁回，這意味著原告可以提交具有更有力證據的修改后的起訴狀。原告辯稱，英特爾及其時任首席執行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）和時任首席財務官大衛·津斯納（David Zinsner）隱瞞了其英特爾代工部門在 2023 年虧損
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英特爾 基辛格
盡管英特爾希望減少對臺積電制造服務的使用，但該公司將在可預見的未來繼續從這家總部位于中國臺灣的代工廠訂購芯片，一位高級管理人員昨天在一次技術會議上表示。英特爾的宏偉計劃是在英特爾代工內部生產盡可能多的產品，但由于這可能不是最佳策略，它目前正在評估其產品的百分比應該在臺積電生產?！拔艺J為一年前我們在談論盡快將[TSMC的使用量]降至零，但這已經不是策略了，”英特爾企業規劃和投資者關系副總裁John Pitzer在摩根士丹利技術、媒體和電信會議上說?！拔覀冋J為，至少與臺積電合作的一些晶圓總是好的。他們是一個很
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18A 英特爾 臺積電
上周在 IEEE 國際固態電路會議 （ISSCC） 上，先進芯片制造領域最大的兩個競爭對手 Intel 和 TSMC 詳細介紹了使用其最新技術 Intel 18a 和 TSMC N2 構建的關鍵內存電路 SRAM 的功能.多年來，芯片制造商不斷縮小電路規模的能力有所放緩，但縮小 SRAM 尤其困難，因為 SRAM 由大型存儲單元陣列和支持電路組成。兩家公司最密集封裝的 SRAM 模塊使用 0.02
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納米晶體管 SRAM 英特爾 Synopsys TSMC 內存密度
新聞亮點：●? ?集成AI功能的英特爾至強6系統級芯片，與前幾代產品相比，可帶來高達2.4倍的無線接入網（RAN）容量提升1，和70%的每瓦性能提升2；●? ?集成的人工智能加速器將AI RAN性能提升了高達3.2倍3；●? ?與5G核心網解決方案合作伙伴的深度合作，加快了英特爾?至強?6能效核處理器在整個生態系統中的應用；●? ?基于 5G核心網工作負載的獨立驗證確認了英特爾?至強?6能效核處理器機架性能的提高、能耗的降低以
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MWC 英特爾 至強6 基礎網絡設施
SK海力士將于2025年3月（協議預設的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業務的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業級固態硬盤（SSD）方面。隨著AI技術的普及和應用，存儲需求正在不斷增長，HBM領域的領導者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭?！?2020年10月，SK海力士與英特爾達成協議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業務；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
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SK海力士 英特爾 NAND 閃存
3月4日消息，據媒體報道，NVIDIA和博通正在對Intel的18A制程技術進行測試，如果一切順利，IFS（Intel代工服務）有可能獲得“數億美元”的制造合同。Intel的18A制程技術采用了RibbonFET晶體管和PowerVia背面供電技術，其性能指標被認為介于臺積電當前和下一代節點之間。這為Intel在代工市場提供了難得的競爭機會，NVIDIA和博通的測試是Intel能否成功進入目前由臺積電主導的代工市場的關鍵一步。不過報道還稱Intel18A制程的第三方IP模塊認證被推遲了六個月，這可能會影響
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英偉達 博通 英特爾
3月4日消息，據知情人士透露，芯片設計公司英偉達與博通正在與英特爾進行芯片制造工藝測試，展現出對英特爾的先進生產工藝的初步信心。這兩項此前未曾報道的測試表明，英偉達與博通正在接近決定是否將數億美元的制造合同交給英特爾。如果最終做出這樣的決定，英特爾的合同制造業務不僅將獲得豐厚收入，其技術實力也有望贏得市場認可。尤其是在英特爾的制造工藝長期受延遲問題困擾的情況下。英特爾的合同制造業務迄今為止尚未宣布獲得來自知名芯片設計公司的訂單。此外，AMD也在評估英特爾的18A制造工藝是否符合其需求，但目前尚不清楚該公司
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【環球時報綜合報道】美國半導體巨頭英特爾近日宣布，其斥資280億美元在俄亥俄州建設的尖端芯片制造基地將延期5年投產。據路透社2月28日報道，英特爾表示，在該州的首座晶圓工廠投產時間將從原計劃的2025年推遲至2030年，第二座工廠預計延至2032年投產。英特爾是獲得美國《芯片與科學法》最多資金支持的本土芯片企業，美國科技媒體WinBuzzer網站3月1日稱，英特爾此前已將該工廠的建設計劃由2025年延期至2027年，兩次投產延期引發人們對僅靠政府資金能否振興美國芯片業的擔憂。英特爾全球運營執行副總裁錢德拉
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據路透社報道，半導體大廠英特爾近日表示，半導體設備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺尖端高數值孔徑（High NA）光刻機已在其工廠正式投入生產，且早期數據顯示，這些設備的性能比之前的機型更可靠。報道稱，英特爾資深首席工程師Steve Carson在加利福尼亞州圣何塞舉行的一次會議上指出，英特爾已經利用ASML高數值孔徑光刻機在一個季度內生產了3萬片晶圓，這些晶圓是足以生產數千個計算芯片的大型硅片。2024年，英特爾成為全球第一家接收這些先進設備的芯片制造商，與之前的ASML設備相比，這些機器可望制造出更小
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2月26日消息，ASML Twinscan EXE:5000 EUV是當今世界上最先進的EUV極紫外光刻機，支持High-NA也就是高孔徑，Intel去年搶先拿下了第一臺，目前已經在俄勒岡州Fab D1晶圓廠安裝部署了兩臺，正在緊張地研究測試中。Intel資深首席工程師Steve Carson透露，迄今為止，兩臺EUV光刻機已經生產了3萬塊晶圓，當然不算很多，但別忘了這只是測試和研究使用的，并非商用量產，足以證明Intel對于新光刻機是多么的重視。Steve Carson還強調，完成同樣的工作，新款光刻機
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據路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場會議上表示，英特爾已經安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產，早期數據表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve
Carson指出，新的High NA
EUV光刻機能以更少曝光次數完成與早期設備相同的工作，從而節省時間和成本。英特爾工廠的早期結果顯示，High NA EUV
機器只需要一次曝光和“個位數”的處理步驟，即可完成早期機器需要三次曝光和約40個處
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英特爾24日表示，ASML首批的兩臺先進曝光機已投產，早期數據顯示比之前機型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數值孔徑（High NA）曝光機一季內生產 3 萬片晶圓，即生產數千顆運算芯片的大型硅片。英特爾去年成為全球第一間接收這些設備的芯片制造商，與之前ASML設備相比，這些機器可望制造出更小、更快的運算芯片。 此舉是英特爾策略轉變，因英特爾采用上代極紫外光（EUV）曝光機時落后競爭對手。英特爾花了七年才將之前機器全面投產，導致領先優勢被臺積電超越。 生產
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近日，英特爾宣布，其18A制程節點（1.8納米）已經準備就緒，并計劃在今年上半年開始設計定案。該制程將導入多項先進半導體技術。18A制程相較于英特爾3nm制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計劃將18A制程應用于即將推出的Panther
Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務器CPU，這兩款產品預計將于年底前上市。18A制程的一大突破是PowerVia背面供電技術。該技術透過將粗間距金屬層與凸塊移至芯片背面，并采用納米級硅穿孔（through-silicon
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英特爾介紹
公司簡介
英特爾公司（Intel Corporation）（NASDAQ：INTC，港交所：4335），總部位于美國加利弗尼亞州圣克拉拉。英特爾的創始人Robert Noyce和Gordon Moore原本希望他們新公司的名稱為兩人名字的組合——Moore Noyce，但當他們去工商局登記時，卻發現這個名字已經被一家連鎖酒店搶先注冊。不得已，他們采取了“INTegrated Electron [
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