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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

        碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

        快速二極管MOSFET在三相逆變器拓?fù)渲械膽?yīng)用

        • 高效率和節(jié)能是家電應(yīng)用中首要的問題。三相無刷直流電機(jī)因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢而被廣泛應(yīng)用在家電設(shè)...
        • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  MOSFET  逆變器  

        MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用

        • 下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹,特性,驅(qū)動以及應(yīng)用電路。 在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動  電路設(shè)計(jì)    

        Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴(kuò)大了該系列產(chǎn)品的電壓和封裝占位選項(xiàng),使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產(chǎn)品的獨(dú)家供應(yīng)商。
        • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  SiZ300DT  SiZ910DT  

        AOS推出適用便攜式應(yīng)用的功率MOSFET

        •   日前,集設(shè)計(jì),開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司(AOS),發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。   新的產(chǎn)品上應(yīng)用了AOS的AlphaMOS專利技術(shù)。這些技術(shù)的好處在于它可以延長電池的使用壽命,還可以使設(shè)計(jì)變的更簡單緊湊,適用于便攜式產(chǎn)品,例如:平板電腦、智能手機(jī),電子書、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)及便攜式音樂播放器。   AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET,它們的RDS(ON)是目前市
        • 關(guān)鍵字: AOS  MOSFET  

        羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

        • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設(shè)備,與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì),由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn),從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性,同時實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
        • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  MOS  

        羅姆開發(fā)出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊

        • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動,開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂,世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作,并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現(xiàn)小型和低成本封裝,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
        • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  

        采用開關(guān)器件提高PFC效率

        • 在CCMPFC中,通過改善MOSFET技術(shù)可以減少開關(guān)損耗,甚至可通過SiC技術(shù)改善升壓二極管來減少M(fèi)OSFET的開關(guān)損...
        • 關(guān)鍵字: 開關(guān)  PFC  MOSFET  

        在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較

        • 開關(guān)電源(SwitchModePowerSupply;SMPS)的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇,即開關(guān)管和整流...
        • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  IGBT  MOSFET  

        飛兆半導(dǎo)體在線設(shè)計(jì)和模擬工具

        • 當(dāng)前,設(shè)計(jì)人員正面臨為各種應(yīng)用產(chǎn)品的電源設(shè)計(jì)反激電路的挑戰(zhàn),現(xiàn)在找到能夠簡化工作的方法。全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)發(fā)布一款易于使用、功能強(qiáng)大的在線仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW),這款工具可讓設(shè)計(jì)人員無需應(yīng)用指南,也可以像電源專家一樣進(jìn)行“自動化設(shè)計(jì)”、優(yōu)化或“先進(jìn)設(shè)計(jì)”。
        • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  PSW  

        MAX5054-MAX5057雙、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器

        • 概述  MAX5054-MAX5057雙、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器可供出和吸收高達(dá)4A的峰值電流。這些器件具有20ns的快速傳輸 ...
        • 關(guān)鍵字: MAX5054  MAX5057  MOSFET  驅(qū)動器  

        大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

        • 超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
        • 關(guān)鍵字: LED  GaN  MOSFET  

        Vishay推出新款n溝道功率MOSFET

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的,分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應(yīng)用,這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的性能。
        • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

        理解功率 MOSFET 的電流

        • 通常,在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁,列出了連續(xù)漏極電流ID,脈沖漏極電流IDM,雪崩電流IAV的額定值,然后對于許多電子工程師來說,他們對于這些電流值的定義以及在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中,它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
        • 關(guān)鍵字: 電流  MOSFET  功率  理解  

        羅姆半導(dǎo)體: “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強(qiáng)勁動力

        • 據(jù)羅姆中國營業(yè)本部村井美裕介紹,面對未來的50年,羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
        • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  LED  

        國際整流器公司推出車用AUIRS2332J柵極驅(qū)動IC

        •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC,適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。   AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器具備三個獨(dú)立的高低側(cè)參考輸出通道。IR專有的 HVIC 技術(shù)使單片式結(jié)構(gòu)堅(jiān)固耐用,而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容,低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過外部電流感應(yīng)電阻來進(jìn)行橋電流模擬反饋的集成接地參考運(yùn)算放大器
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        碳化硅(sic)mosfet介紹

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