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	碳化硅(sic)mosfet
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
        
                	
        碳化硅(sic)mosfet 文章
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        NXP推出超緊湊型中等功率MOSFET
        
                                                            
          
                    	
        • 　　恩智浦半導體NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設計。
　　
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        • 關鍵字：
                        NXP  MOSFET                          
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        Vishay推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
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        • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
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        恩智浦推出超緊湊型電源管理解決方案
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設計。
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        • 關鍵字：
                        恩智浦  MOSFET  PBSM5240PF                          
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        Vishay將舉辦中國西部電源研討會
        
                                                            
          
                    	
        •  日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布將于中國電子展同期舉辦中國西部電源研討會(West China Power Seminars)，時間和地點分別是8月23日上午9點30分至12點10分在成都明悅大酒店，8月25日在西安曲江國際會展中心。每場研討會將有4位專家做技術報告，探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中的應用。研討會面向研發(fā)工程師，用中文講解，CEF的觀眾可以免費參加。
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        • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
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        提供低損耗大功率的MOSFET
        
                                                            
          
                    	
        • 硅功率二極管的PN結(jié)通常有大約1.2V的壓降。這個壓降使得功率二極管上消耗了相當?shù)哪芰浚瑥亩斐呻娫葱?..
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        • 關鍵字：
                        低損耗  大功率  MOSFET                          
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        根據(jù)應用恰當選擇MOSFET的技巧
        
                                                            
          
                    	
        • 鑒于MOSFET技術的成熟，為設計選擇一款MOSFET表面上看是十分簡單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的...
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        • 關鍵字：
                        MOSFET  導通阻抗  開關電源                          
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        MOSFET應用案例解析
        
                                                            
          
                    	
        • 1.開關電源應用從定義上而言，這種應用需要MOSFET定期導通和關斷。同時，有數(shù)十種拓撲可用于開關電源，這...
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        • 關鍵字：
                        MOSFET  應用案例                          
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        MOSFET的選型基礎
        
                                                            
          
                    	
        • MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動電路比較簡單。MOSF...
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        • 關鍵字：
                        MOSFET  選型  應用概覽                          
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        求解每個熱源功率損耗的新方法
        
                                                            
          
                    	
        • 一引言DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)。可以測量出這些特征參數(shù)，...
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        • 關鍵字：
                        熱源功率  損耗  MOSFET                          
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        功率器件更加智能，高能效功率電子技術新進展
        
                                                            
          
                    	
        • 工藝與材料的創(chuàng)新隨著時間的推移，功率晶體管技術得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小，功率密度越...
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        • 關鍵字：
                        功率器件  工藝材料  MOSFET                          
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        SiC寬帶功率放大器模塊設計分析
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 引言　　隨著現(xiàn)代技術的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術已成為現(xiàn)代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場
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        • 關鍵字：
                        設計  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC                          
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        大功率開關電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術
        
                                                            
          
                    	
        • 功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關電源（switch-modepowersupplies，SMPS...
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        • 關鍵字：
                        大功率  開關電源  功率  MOSFET  驅(qū)動                          
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        大功率MOSFET驅(qū)動技術詳解
        
                                                            
          
                    	
        • 功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關電源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整...
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        • 關鍵字：
                        功率  MOSFET  變換器  柵極驅(qū)動                          
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        汽車電子功率MOSFET解決方案
        
                                                            
          
                    	
        • 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐...
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        • 關鍵字：
                        電子系統(tǒng)  MOSFET  瞬態(tài)高壓                          
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        用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效
        
                                                            
          
                    	
        • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關鍵作用。

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        • 關鍵字：
                        CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)                          
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        碳化硅(sic)mosfet介紹
        
      			
        
		      	
        
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
         
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
        
    		
        
  		
        
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
        
    		
        
      			
        
        			
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