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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊
高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧
- 隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場(chǎng)提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過(guò)去，MOSFET設(shè)計(jì)工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場(chǎng)的
- 關(guān)鍵字： MOSFET 高精度 設(shè)計(jì)技巧
IR推出新系列40V至200V車(chē)用MOSFET
- 全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝，電壓范圍從 40V 至 200V。標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平柵級(jí)驅(qū)動(dòng) MOSFET 都為 IR 車(chē)用塑料封裝 MOSFET 產(chǎn)品系列設(shè)定了導(dǎo)通電阻性能新標(biāo)準(zhǔn)。基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐，60V 下最大為2.1 毫歐，75V 下為 2.6 毫歐，100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達(dá) 240A。
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET
新日本無(wú)線推出有30V耐圧、4A輸出的半橋驅(qū)動(dòng)器
- 為了減輕對(duì)環(huán)境的影響，最新的電子設(shè)備急需高效率化，并且對(duì)其中配備的電機(jī)、LED等功率器件的控制也逐漸形成用微處理器/DSP等來(lái)控制的趨勢(shì)（軟件控制）。因此，電子設(shè)計(jì)工程師除了需要微處理器/DSP的知識(shí)之外，關(guān)于功率器件的驅(qū)動(dòng)知識(shí)也是必不可少。
- 關(guān)鍵字： 新日本無(wú)線 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器NJW4800
IR推出新系列40V至200V車(chē)用MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出車(chē)用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力汽車(chē)平臺(tái)上的其它重載應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET
英飛凌推單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車(chē)電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。 新推出的器件系列采用多種標(biāo)準(zhǔn)封裝，電流范圍為50A至180A，囊括30多個(gè)器件型號(hào)，其中包括通態(tài)電阻最低的車(chē)用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準(zhǔn)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 汽車(chē)電源 MOSFET
英飛凌推出的汽車(chē)電源管理OptiMOS P2芯片
- 英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車(chē)電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET 40V OptiMOS P2
MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)
- 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也...
- 關(guān)鍵字： MOSFET MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
PMOS開(kāi)關(guān)管的選擇與電路圖
- 首先要進(jìn)行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道M...
- 關(guān)鍵字： PMOS 開(kāi)關(guān)管 MOSFET 二極管
安森美半導(dǎo)體推出汽車(chē)級(jí)非同步升壓控制器
- 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出用于汽車(chē)系統(tǒng)自安嶄新的可調(diào)節(jié)輸出非同步升壓控制器。 NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件，能用于驅(qū)動(dòng)外部N溝道MOSFET。此器件包含的內(nèi)部穩(wěn)壓器為門(mén)驅(qū)動(dòng)器提供電荷，它在休眠模式下的靜態(tài)電流為3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它還具有可同步開(kāi)關(guān)頻率特性，提供兩種分別可設(shè)定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
- 關(guān)鍵字： 安森美半導(dǎo)體 MOSFET 非同步升壓控制器 NCV8871
碳化硅(sic)mosfet介紹
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