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	碳化硅(sic)mosfet
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
        
                	
        碳化硅(sic)mosfet 文章
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        智能MOSFET驅(qū)動(dòng)器提升電源性能的設(shè)計(jì)方案
        
                                                            
          
                    	
        • 在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào)，以便以最快的速度打開和...
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        • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  電源性能                          
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        車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合
        
                                                            
          
                    	
        • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在
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        • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  車用  保護(hù)  性能                            
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        IR推出一系列采用TSOP-6封裝系列產(chǎn)品
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。
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        • 關(guān)鍵字：
                        IR  MOSFET                          
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        適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
        
                                                            
          
                    	
        • 功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一，在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過(guò)75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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        • 關(guān)鍵字：
                        電源應(yīng)用  碳化硅  肖特基二極管                            
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        技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（二）
        
                                                            
          
                    	
        • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時(shí)，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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        • 關(guān)鍵字：
                        氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED                          
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        技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（一）
        
                                                            
          
                    	
        • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
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        • 關(guān)鍵字：
                        SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻                          
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        電源設(shè)計(jì)小貼士 43：分立器件――一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案
        
                                                            
          
                    	
        • 在電源設(shè)計(jì)小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實(shí)現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動(dòng)電流。在本設(shè)計(jì)小貼士中，我們來(lái)了解一下自驅(qū)動(dòng)同整流器并探討何時(shí)需要分
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        • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  卓越  解決方案  集成  替代  設(shè)計(jì)  分立  器件                          
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        一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案
        
                                                            
          
                    	
        • 在電源設(shè)計(jì)小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23晶體管...
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        • 關(guān)鍵字：
                        電源設(shè)計(jì)  分立器件  MOSFET                          
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        飛兆與英飛凌就創(chuàng)新型汽車無(wú)鉛封裝技術(shù)達(dá)成協(xié)議
        
                                                            
          
                    	
        • 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進(jìn)汽車MOSFET封裝技術(shù)達(dá)成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO無(wú)鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
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        • 關(guān)鍵字：
                        飛兆  英飛凌  MOSFET                          
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        英飛凌科技推出全新650V CoolMOS  CFDA
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 英飛凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS  CFDA，壯大其車用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個(gè)配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案，可滿足最高汽車質(zhì)量認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。650V CoolMOS  CFDA尤其適用于混合動(dòng)力汽車和純電動(dòng)汽車的電池充電、直流/直流轉(zhuǎn)換器和HID(高強(qiáng)度放電)照明等諧振拓?fù)洹?/li>
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        英飛凌  MOSFET                          
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        電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種
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        • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  選擇  控制器  開關(guān)  系統(tǒng)  電源                          
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        Power Trench MOSFET讓更高功率密度成可能
        
                                                            
          
                    	
        • 引言對(duì)于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點(diǎn)，因?yàn)樾⌒透咝У碾娫聪到y(tǒng)意味著...
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        Power  Trench  MOSFET                          
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        飛兆與英飛凌簽署汽車級(jí)封裝工藝許可協(xié)議
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車級(jí)MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
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        • 關(guān)鍵字：
                        英飛凌  飛兆  MOSFET                          
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        可編程大電流熱插拔控制
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板，不會(huì)中斷原電路板正在進(jìn)行的工作狀態(tài)，并且同時(shí)啟動(dòng)添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當(dāng)電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時(shí)，保護(hù)MOSFET器件。
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        • 關(guān)鍵字：
                        熱插拔  MOSFET                          
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        采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集
        
                                                            
          
                    	
        • 采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集,人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開發(fā)無(wú)線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
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        • 關(guān)鍵字：
                        IMEC  SiC  生物電信號(hào)采集                            
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        碳化硅(sic)mosfet介紹
        
      			
        
		      	
        
		      			      			      	您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
         
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
        
    		
        
  		
        
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
        
    		
        
      			
        
        			
        熱門主題
        
      			
        
      			
        
       	          						樹莓派   
					linux   
      			
        
    		
        
  		
        
		
        
	
        
	
        

        

        
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