- 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業內最低的導通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設計師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性，同時通過減少元件的使用從而減少這些設計的電路板空間。
800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和熱特性，使其成為各種應用的理想之選
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Fairchild MOSFET
- 摘要：在很多消費電子設備中用到了軟啟動電路與防反接電路，其保護作用非常顯著。多數的設計中，這兩種電路獨立存在，或者僅有一種保護電路，導致部分保護功能缺失或者電路設計復雜。本設計提出一種設計方法，同時實現軟啟動與防反接保護功能，且電路簡單。
軟啟動與防反接保護電路對電子設備有很好的保護作用，由于消費電子客戶存在多次開關機的應用場景和輸入接反的可能性。但是由于成本與電路設計的復雜性，很多設計中只提供了一種保護電路。本文基于提供全面保護與降低成本、降低設計復雜性的角度，提出一種電路，整合了軟啟動與防反
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保護電路 軟啟動 繼電器 MOSFET 反接電路 二極管 201503
- 摘要：本文針對傳統驅動電源電能損耗大、效率和智能化程度低的缺點，設計了一款適用于大功率LED路燈的高性能可智能控制型驅動電源。本文選擇了多級驅動方案，即功率因數校正(PFC)電路、LLC諧振控制電路和多路恒流輸出的三級式結構。本文采用合理的設計，優化了功率校正因數，增大了輸入電壓范圍，提高了整機效率，使輸出電流在全負載范圍內更加穩定，同時增加了PWM調光控制功能，可根據外界環境的變化智能控制LED路燈的亮度，從而達到進一步節能減排的效果。
引言
由于具有高光效、長壽命、燈具效率高、環保和易
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LED 驅動電源 PFC LLC PWM MOSFET 201503
- 摘要：探討了SiC的技術特點及其市場與應用。
近期，全球知名半導體制造商ROHM在清華大學內舉辦了以“SiC功率元器件技術動向和ROHM的SiC功率元器件產品”為主題的交流學習會。此次交流學習會上，ROHM在對比各種功率器件的基礎上，對SiC元器件的市場采用情況和發展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產品陣容、開發以及市場情況做了詳盡的介紹。
各種功率器件的比較
功率元器件主要用于轉換電源，包括四大類：逆變器、轉換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉換器、矩陣
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SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503
- 意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節能應用帶來技術優勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發電、高能效驅動器、電源以及智能電網設備。
意法半導體是業界少數具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導體研發的領導廠商之一，并始終致力于技術的研發與升級。這次推出的1200V SCT20N120進一步擴大了碳化硅MOSFET產品系列，具有小于290m?的通態電阻 (RDS(ON
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意法半導體 SCT20N120 MOSFET
- 要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場營銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅動設計的心得。
一、不要使用雙極型功率器件
DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個，所以一些設計師為了降低LED驅動成本而使用雙極型功率器件，這樣會嚴重影響電路的可靠性，因為隨著LED驅動電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會迅速縮小，這樣會導致器件在溫度
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LED MOSFET
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護。DMN2023UCB4的低導通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級封裝則使設計人員能夠利用省下來的空間來提高電池容量。新產品的目標終端市場包括智能手機、平板電腦、照相機、便攜式媒體播放器，以及對其尺寸丶重量和電池壽命都至關重要的同類型消費性產品。
DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ，旨在以最低的導通電阻來減低功耗。此外，其雙N通
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Diodes MOSFET
- 我曾經遇到過節假日有客人上門，必須跑到商店，在關門前挑選幾件物品的情況。我當時就意識到“跑”這個單詞會有多少種意思呢。我聽說單單作為動詞，他就有645個意思，并且還在不斷增加!表面上看起來很簡單的事情實際上會很復雜。想一想，功率MOSFET只有三個引腳(柵極、源極、漏極)。長假過后，當回到辦公室開始設計全新的電源管理熱插拔應用時，我想到看起來簡單的功率MOSFET會有多么復雜，還有就是在為熱插拔應用和功率轉換分別選擇一款MOSFET時會有什么不同。
熱插拔電路使用一個功率
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MOSFET 熱插拔控制器
- 日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。此外，TI面向低電壓電池供電型應用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實現了比同類競爭器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設計，敬請訪問：www.ti.co
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德州儀器 MOSFET CSD16570Q5B
- 從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時間，在國內率先實現了碳化硅單晶襯底自主研發和產業化。
不久前，中國科學院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達藍光半導體有限公司(以下簡稱天科合達)合作，解決了6英寸擴徑技術和晶片加工技術，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。
從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時間，在國內率先實現了碳化硅單晶襯底自主研發和產業化。
第三代半導體材料
研究人員告訴記者，上世紀
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碳化硅 晶片
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對1A額定值的40V緊湊型柵極驅動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式電源以及電機驅動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開關時間，有助于盡量降低開關損耗、改善功率密度，以及提升整體轉換效率。
新驅動器作為低功率控制IC的高增益緩沖級，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅動電流
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Diodes 驅動器 MOSFET
- 領先的高性能集成電路和系統解決方案提供商Exar公司，即日宣布發布一款6V至40V的工作電壓范圍，四路輸出可編程通用PMIC-XR77129。其專利性的控制架構，采用17-bit寬PID電壓型輸入前饋方式，非常適合40V輸入電壓范圍。該控制器提供單輸入電壓，四路輸出電壓軌，降壓式控制器內部集成MOSFET門極驅動和雙LDO輸出該產品還可以通過I2C總線實時監測電源狀態，動態控制輸出電壓參數。五個可配置GPIO可以用于狀態指示和時序控制，以加速電源系統設計。
XRP77129使用Exar設計工具P
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MOSFET SMBus LDO
- 第一代半導體材料Si點燃了信息產業發展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產業群，促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。
目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。曾經的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發展的材料極限，難以滿足當今社會發展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環境以及輕便小型
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LED SiC MOSFET
- I.引言
高效率已成為開關電源(SMPS)設計的必需要求。為了達成這一要求，越來越多許多功率半導體研究人員開發了快速開關器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實現低導通電阻，以降低開關損耗和導通損耗。這些快速開關器件容易觸發開關瞬態過沖。這對SMPS設計中電路板布局帶來了困難，并且容易引起了柵極信號振蕩。為了克服開關瞬態過沖，設計人員通常采取的做法是借助緩沖電路提高柵極電阻阻值，以減慢器件開關速度，抑制過沖，但這會造成相對較高的開關損耗。對于采用標準通孔封裝的快速開關器件，總是存在效率與易用性的
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寄生電感 MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
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