日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅動下具有0.38Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。
SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
關鍵字：
Vishay MOSFET
金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發展
關鍵字：
MOSFET 雙峰效 方法
Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉換器對基本切換功能的嚴格要求。
Diodes 這次推出的四款產品提供四種不同的行業標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
關鍵字：
Diodes MOSFET
功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現于1976年。與那些少數載流子器件相比，這些多數載流子器件速度更快、更堅固，并且具有更高的電流增益。因此開關型電源轉換技術得以真正商用化。早期臺式電腦的AC/DC開關電
關鍵字：
領域 應用 轉換 電源 MOSFET 功率
前言
Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號用而開發出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。
上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內置在PhotoMOS中構成控制電路的獨特的光電元件的特點、構造、布線等。
FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路
圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
關鍵字：
Panansonic PhotoMOS MOSFET
高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)已于近日宣布開始供應第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導體晶體管)產品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產品作為面向DC/DC轉換器的功率半導體器件，主要面向計算機服務器和筆記本電腦等的應用。
本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進一步推進
關鍵字：
瑞薩電子 MOSFET
b觸點型“PhotoMOS”的開發
隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設備、OA設備、FA設備及其他廣泛的領域。為了滿足大眾進一步的需求，本公司開發出了“可通過機械實現、并擁有所有觸點構成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。
為實現該產品的開發，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
關鍵字：
Panasonic MOSFET PhotoMOS
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統輸出級等高頻開關應用。
新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優化，來改善總諧波失真
關鍵字：
IR MOSFET
采用功率MOSFET及其驅動器和光纖收發器件，研究了激光觸發開關脈沖功率源控制技術中的快上升沿(≤5 ns)觸發信號產生、驅動、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關鍵技術。給出了激光器外觸發控制電路的設計及測試結果，并對其應用特點進行了分析和討論。
關鍵字：
MOSFET 激光器 觸發系統
Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。
Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應用。占板面積節省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產品的要求。
現階段推出的SOT963封裝產品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOS
關鍵字：
Diodes MOSFET BJT TVS
我們先來看看MOS關模型：
關鍵字：
MOSFET 驅動器 功耗計算
之前，我們介紹了如何對正向轉換器輸出整流器開啟期間兩端的電壓進行緩沖。現在，我們來研究如何對反向轉換器的 FET 關斷電壓進行緩沖。圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于
關鍵字：
轉換器 緩沖 設計 MOSFET TI 德州儀器
前言:
Panasonic電工的“PhotoMOS”是一款采用光電元件以及功率MOSFET進行輸出的輸出光電耦合器。面試二十年間，在全世界的銷量達到八億個，堪稱是一款銷售成績驕人的商品。“PhotoMOS”滿足了小型·輕量·薄形化的需求，作為適應電子化的輸出光電耦合器，增加了①高靈敏性、高速響應;②從傳感器輸入信號水平到高頻的控制;③從聲音信號到高頻用途的對應;④高可靠性和長使用壽命;⑤可進行表面安裝的SMD型;⑥多功能
關鍵字：
松下電工 MOSFET PhotoMOS 光電耦合器
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態電阻。
基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T
關鍵字：
英飛凌 MOSFET
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態電阻。
基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T2器件成為大
關鍵字：
英飛凌 MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473