日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU，擴充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
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Vishay MOSFET
全球高性能模擬混合信號半導體設計和制造領導廠商Intersil公司(納斯達克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，<0}推出以最小功率耗散提供電源冗余和保護的堅固、緊湊型ORing FET控制器。
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Intersil MOSFET ISL6146
在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組
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MOSFET 同步降壓 電阻比
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼：NXPI)近日發布了LFPAK56D產品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET，專為燃油噴射、ABS和穩定性控制等汽車應用而設計。恩智浦LFPAK56D系列產品完全符合AEC-Q101標準，具有一流的性能和可靠性;同時，與通常需要使用兩個器件的DPAK解決方案相比，節省了77%的占位面積。
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恩智浦 LFPAK56D MOSFET
LED 領域的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1 cm-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1 cm-2。
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科銳 LED 碳化硅
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術型企業滿足日益嚴格的生態設計標準對功率和能效的要求，瞄準太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應用。
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意法 晶體管 MOSFET LED
科銳材料產品經理 Vijay Balakrishna博士表示：“科銳擁有在碳化硅領域100毫米外延片的強大量產能力。最新的150毫米技術將進一步提升碳化硅晶圓片的標準。科銳的垂直整合能力確保能夠為客戶提供針對高品質150毫米碳化硅外延片的完整解決方案，并為電力電子市場的領先企業提供穩定的供貨保障。
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科銳 碳化硅 LED
LED領域的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品質、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片。科銳通過推出更大直徑的外延片，從而繼續引領碳化硅材料市場的發展。此項最新技術能夠降低設備成本，并能夠利用現有150毫米設備工藝線。新型150毫米外延片擁有高度均一的厚度為100微米的外延層，并已開始訂購。
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科銳 LED 碳化硅
進入21世紀，開關電源技術將會有更大的發展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業和學術各界努...
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開關電源 轉換器 碳化硅（SiC）
雖然工程師都熟諳MOSFET數據手冊上的品質因數，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業知識對各個具體應用的不同規格進行全面仔細的考慮。例如，對于服務器電源中的負載開關這類應用，由于MOSFET基本上
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MOSFET
本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。通
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MOSFET 熱插拔 方法
本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數據表中的常用主要參數,以幫助設計者更好的使用功率MOSFET進行設計。 數據表中的參數分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
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MOSFET 數據表 分析
提升功率密度和輕載效率是服務器、電信和AC-DC電源設計人員的主要考慮問題。此外，這些開關電源(SMPS)設計中的同步整流需要具有高性價比的電源解決方案，以便最大限度地減小線路板空間，同時提高效率和降低功耗。
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飛兆 MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發動機壓電噴射系統。
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IR MOSFET
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