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        飛兆半擴展PowerTrench MOSFET系列

        —— 中等電壓MOSFET器件采用高性能硅片減低品質因數,提高同步整流應用的可靠性
        作者: 時間:2012-08-16 來源:電子產品世界 收藏

          提升功率密度和輕載效率是服務器、電信和AC-DC電源設計人員的主要考慮問題。此外,這些開關電源(SMPS)設計中的同步整流需要具有高性價比的電源解決方案,以便最大限度地減小線路板空間,同時提高效率和降低功耗。有鑒于此,半導體公司(Fairchild Semiconductor)擴展PowerTrench® 系列來幫助設計人員應對電源設計挑戰。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/135812.htm

          這些產品屬于中等電壓產品系列成員,是結合低柵極電荷(QG)、低反向恢復電荷(Qrr)和軟反向恢復體二極管的優化功率開關產品,可以實現快速開關。這些器件備有40V、60V和80V額定電壓型款,由于采用優化的軟反向恢復體二極管,減少了緩沖器電路的功耗,與競爭解決方案相比,可將電壓尖刺減少多達15%。

          這些器件采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵極結構,從而達到較高的功率密度、較低的振鈴和更好的輕載效率。通過使用這項技術,新器件獲得了較低的品質因數(QG × RDS(ON)),同時降低驅動損耗來提高功率效率。

          這一系列的首批器件包括采用Power56封裝的40V FDMS015N04B和80V FDMS039N08B器件,以及采用TO-220 3引腳封裝的60V FDP020N06B和80V FDP027N08B器件。  

         

          特性和優勢

        • 較小的封裝尺寸(Power56和TO-220 3引腳封裝),具有最大的熱性能/系統尺寸比
        • 較低的QG以降低柵極驅動損耗
        • 低QGD/QGS比,防止不必要的誤導通,提高系統可靠性
        • 低動態寄生電容,減少高頻應用的柵極驅動損耗
        • 100% UIL測試
        • 滿足RoHS要求

          新增的PowerTrench® 器件豐富了半導體中等電壓范圍MOSFET產品陣容,作為齊全的PowerTrench技術產品系列的一部分,它能夠滿足現今電子產品的電氣和散熱性能要求,在實現更高能效水平方面發揮重要的作用。

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        關鍵詞: 飛兆 MOSFET

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