臺積電董事長張忠謀在近來的多次演講中，皆提及未來 2011~2014年半導體產業呈現溫和成長態勢。惟晶圓廠之間先進制程技術競賽不停歇，臺積電甫于2月底宣布切入22奈米，然而在美西時間13日的臺積電技術論壇上，突然表態將跳過22奈米，直接切入20奈米，預計2012年第3季導入生產。雖然此舉是臺積電基于替客戶創造價值而作的決定，但外界認為，這也是為了拉大與競爭對手Global Foundries的技術差距。
延續張忠謀對先進制程的看法，臺積電研究發展資深副總經理蔣尚義隨后在會中的演講中表示，該公司將
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臺積電 22nm 晶體管
塑料RFID標簽將是第一款使用了打印的納米管晶體管的產品。
無線射頻識別(RFID)標簽使得繳納通行費和公共交通費變得輕而易舉。但是由硅制成的標簽還是太貴，無法替代無處不在的條形碼通過遠程掃描仍在籃子里的貨物那樣加快商場結賬的速度。
卷軸：如果開發者能將價格降到1美分甚至更低，用滾筒式打印的塑料RFID標簽或許可以替代條形碼。
廉價的塑料RFID標簽可能很快會改變這種情況。韓國順天的研究人員已經利用一系列工業方法在塑料薄膜上打印了RFID標簽：滾筒式打印、噴墨打印和硅橡膠沖壓。他們使
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RFID 晶體管
SUMCO把它在俄亥俄州近Cincinnati的半導體生產線待售, 目前正在尋找買主, 可能不是謀求先進技術, 包括太陽能, 電池, 甚至數據中心。
該生產線有30年歷史，工廠占地面積100英畝, 位于Cincinnati北面30英里, 它采用5-6英寸硅片或外延片, 進行分立器件生產，包括晶體管, 二極管, 閘流管及控制器。
生產線有200，000平方英尺，包括>70,000平方英尺的凈化級別的100-10,000凈化廠房。公司表示盡管是老廠房，但是經過逐年改造還是有大量的現代化和
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SUMCO 晶體管 二極管 閘流管及控制器
國產的隧道二極管全都是鍺材料做成的，其峰值電壓約為0.25伏左右，若這種鍺的遂道二極管要與硅晶體管并聯使用時，則遂道二極管BG2要串接反向二極管BG1（同了圖5（a），反向二極管是一種變種的隧道二極管，其峰點電流
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使用 組合 晶體管 二極管 隧道
在摩爾定律引領下的集成電路生產正在逼近物理定律的極限，芯片產業迫切需要替代技術。目前尚處于研發狀態中的各種新的芯片生產技術—分子計算、生物計算、量子計算、石墨烯等技術中，誰將最終勝出?
1965年，芯片產業的先驅戈登-摩爾(GordonMoore)發布了著名的摩爾定律：集成電路芯片的復雜程度每過兩年就會增加一倍。此后的幾十年來，在這一定律的指引下，芯片制造工藝的進步讓芯片的晶體管尺寸得以不斷縮小，從而使電氣信號傳輸的距離更短，處理速度也更快。
對電子行業和消費者來說，摩爾定律意
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英特爾 摩爾定律 晶體管
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產品。該產品家族分成兩種優化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開關晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，正如其名，它們為減少打開導通電阻確立了新的基準，使開關時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管
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NXP 晶體管 VCEsat
Avago Technologies(安華高科技)今日宣布推出兩款新經濟型容易使用的通用InGaP異質結雙極晶體管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方塊放大器產品，適合各種不同的無線通信應用。于DC到6,000MHz頻帶工作，Avago的AVT-51663/53663增益方塊可以作為寬帶增益方塊或驅動放大器使用，這些面向移動通信基礎設施應用設計的增益方塊也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、衛星電視和機頂盒等各種其他無線通信應
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Avago 放大器 晶體管 HBT
愛爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學家最近宣稱他們成功制出了業內首款非節型晶體管，并稱此項發明對10nm級別制程意義重大，可大大簡化晶體管的制造工藝復雜 程度。這種晶體管采用類似Finfet的結構，將晶體管的柵極制成婚戒型的結構，并在柵極中心制出硅質溝道，溝道的尺寸僅有數十個原子的直徑加起來那么大。
該研發團隊是由Jean-Pierre Colinge教授領導的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態，而且還具備漏電電流小，門限電壓低以及耐溫性好的優點，而且還可以兼容于CMOS工藝。
硅溝道中的電
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晶體管 CMOS
CISSOID，在高溫半導體解決方案的領導者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A，4A及8A。它們補充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。
VENUS 功率 MOSFETs 表現出色的高溫性能。在攝氏 225
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恩智浦半導體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管，擴充Trench 6 MOSFET產品線。新產品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產品出色的性能和可靠性，為客戶提供眾多實用價值。
LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過優化設計實現最佳熱/電性能、成本優勢和可靠性。LFPAK是汽車行業標準AEC-Q101唯一認可的
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NXP 晶體管 MOSFET
法國研究人員最新開發出一種新型智能晶體管，它能夠模仿神經系統的運行模式，對圖像進行識別，幫助電腦完成更加復雜的任務。
法國國家科研中心和法國原子能委員會的研究人員在最新一期《先進功能材料》雜志上介紹說，普通晶體管功能單一，無法完成圖像識別和處理等復雜任務。
他們此次開發的這種名為Nomfet的新型晶體管中，含有一種納米微粒，它能像人腦的神經系統一樣靈活調整電子信號。
參與研究的多米尼克·維堯姆介紹說，在信息處理的過程中，Nomfet還可以與周邊晶體管互通有無，更好地對不
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晶體管 圖像識別
美國耶魯大學23日發表新聞公報稱，該校及韓國光州科學技術研究院科學家最近合作制成世界上首個分子晶體管，制作分子晶體管的材料是單個苯分子。
研究人員說，苯分子在附著到黃金觸點上后，就可以發揮硅晶體管一樣的作用。研究人員能夠利用通過觸點施加在苯分子上的電壓，操縱苯分子的不同能態，進而控制流經該分子的電流。
負責這項研究的耶魯大學工程和應用科學系教授馬克·里德說：“這就像推一個球滾過山頂，球就代表電流，而山的高度則代表苯分子的不同能態。我們能夠調整山的高度，山低時允許電
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材料 晶體管 硅晶體管
晶體管圖示儀是電路設計中常用的電子儀器，它能夠顯示晶體管的輸入特性、輸出特性和轉移特性等多種曲線和參數。它不僅可以測量晶體二極管和三極管，還可以測量場效應管、隧道二極管、單結晶體管、可控硅和光耦
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CPLD 應用于 晶體管 圖示儀
0 引言 TIP41C是一種中壓低頻大功率線性開關晶體管。該器件設計的重點是它的極限參數。設計反壓較高的大功率晶體管時，首先是如何提高晶體管的反壓，降低集電區雜質濃度NC。但由于電阻率ρC的增大，集電區體電阻
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芯片 設計 晶體管 平面 低頻 大功率 TIP41C
晶體管介紹
【簡介】
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管，是內部含有兩個P [
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