晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)如何確保晶體管性能可比較性

在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，為確保電源晶體管的性能評(píng)估準(zhǔn)確性，選擇合適的器件至關(guān)重要。理想情況下，功率半導(dǎo)體供應(yīng)商提供的數(shù)據(jù)表應(yīng)包含一致且可比較的動(dòng)態(tài)參數(shù)。然而，在實(shí)際操作中，尤其是針對(duì)表征寬帶gap（WBG）功率晶體管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性測(cè)試，實(shí)現(xiàn)使寄生蟲保持較小且從系統(tǒng)之間保持一致的挑戰(zhàn)。本文聚焦于設(shè)計(jì)一套標(biāo)準(zhǔn)化的雙脈沖測(cè)試（DPT）系統(tǒng)，旨在實(shí)現(xiàn)不同測(cè)試系統(tǒng)間動(dòng)態(tài)特性結(jié)果的可關(guān)聯(lián)性。文中詳細(xì)闡述了在設(shè)計(jì)此類系統(tǒng)時(shí)需考慮的關(guān)鍵因素，包括如何最小化寄生參數(shù)影響及確保系統(tǒng)間測(cè)試條件的一致性。原則上，DPT設(shè)置很簡(jiǎn)單，如
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臺(tái)積電推1.4nm 技術(shù)：第2代GAA晶體管，全節(jié)點(diǎn)優(yōu)勢(shì)2028年推出

臺(tái)積電公布了其 A14（1.4 納米級(jí)）制造技術(shù)，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢(shì)。在周三舉行的 2025 年北美技術(shù)研討會(huì)上，該公司透露，新節(jié)點(diǎn)將依賴其第二代全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管，并將通過 NanoFlex Pro 技術(shù)提供進(jìn)一步的靈活性。臺(tái)積電預(yù)計(jì) A14 將于 2028 年進(jìn)入量產(chǎn)，但沒有背面供電。計(jì)劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本。“A14 是我們的全節(jié)點(diǎn)下一代先進(jìn)芯片技術(shù)，”臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級(jí)副總
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英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開關(guān)應(yīng)用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時(shí)間較長(zhǎng)，那么這種情況就會(huì)更加嚴(yán)重，導(dǎo)致效率低于目標(biāo)值。目前功率器件設(shè)
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單相整流

整流是通過固態(tài)半導(dǎo)體器件將交流電源連接到直流負(fù)載的過程。整流通過二極管、晶閘管、晶體管或轉(zhuǎn)換器將振蕩的正弦交流電壓源轉(zhuǎn)換為恒定的直流電壓供應(yīng)。這一整流過程可以采取多種形式，包括半波、全波、不可控和全控整流器，將單相或三相電源轉(zhuǎn)換為恒定的直流電平。在本教程中，我們將探討單相整流及其所有形式。整流器是交流電源轉(zhuǎn)換的基本構(gòu)建模塊之一，半波或全波整流通常由半導(dǎo)體二極管執(zhí)行。二極管允許交流電流在正向流動(dòng)，同時(shí)阻止反向電流流動(dòng)，從而產(chǎn)生固定的直流電壓電平，使其成為理想的整流器件。然而，通過二極管整流的直流電并不像從電
關(guān)鍵字：單相整流，二極管，晶閘管，晶體管，轉(zhuǎn)換器，整流器

功放的ABCD類

1、純Class A（甲類）功率放大器純甲類功率放大器又稱為A類功率放大器（Class A），它是一種完全的線性放大形式的放大器。在純甲類功率放大器工作時(shí)，晶體管的正負(fù)通道不論有或沒有信號(hào)都處于常開狀態(tài)，這就意味著更多的功率消耗為熱量。純甲類功率放大器在汽車音響的應(yīng)用中比較少見，像意大利的Sinfoni高品質(zhì)系列才有這類功率放大器。這是因?yàn)榧兗最惞β史糯笃鞯男史浅５停ǔＶ挥?0-30%，音響發(fā)燒友們對(duì)它的聲音表現(xiàn)津津樂道。小信號(hào)放大器主要包括：共射極放大器、共基極放大器、共集極放大器，如果這種小信號(hào)放
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麻省理工學(xué)院：新型晶體管以納秒級(jí)速度開關(guān)

新的晶體管技術(shù)可能會(huì)對(duì)電子產(chǎn)品產(chǎn)生重大影響。
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基于運(yùn)算放大器和晶體管的模擬方波發(fā)生器設(shè)計(jì)

模擬振蕩器電路通常用于產(chǎn)生用于同步電路定時(shí)的方波時(shí)鐘信號(hào)。本文介紹了模擬方波發(fā)生器的理論、設(shè)計(jì)和關(guān)鍵特性。許多電子系統(tǒng)需要定時(shí)機(jī)制。這通常是通過時(shí)鐘信號(hào)完成的，時(shí)鐘信號(hào)是特定頻率的方波。對(duì)于許多應(yīng)用，時(shí)鐘信號(hào)是通過方波振蕩器在系統(tǒng)內(nèi)生成的。然而，該方波信號(hào)也可以作為系統(tǒng)的輸入。由于許多模擬和數(shù)字電路都可以用作方波振蕩器，我們的目標(biāo)是涵蓋這兩種類型；然而，在本文中，我們將討論模擬振蕩器的設(shè)計(jì)，介紹它們的工作原理，并回顧它們的優(yōu)缺點(diǎn)。使用可調(diào)多諧振蕩器的運(yùn)算放大器方波發(fā)生器我們將研究的第一個(gè)電路是一個(gè)稱為非穩(wěn)
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下一代半導(dǎo)體：二維材料未來7年路線圖

二維材料從研究到工業(yè)應(yīng)用的轉(zhuǎn)變帶來了各種挑戰(zhàn)。
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晶體管施密特觸發(fā)器工作原理，圖文+實(shí)際案例

今天給大家分享的是：晶體管施密特觸發(fā)器工作原理。施密特觸發(fā)器是一種邏輯輸入類型，可為上升沿和下降沿提供遲滯或兩個(gè)不同的閾值電壓電平。當(dāng)我們想要從有噪聲的輸入信號(hào)中獲取方波信號(hào)時(shí)，使用晶體管施密特觸發(fā)器，可以避免錯(cuò)誤。晶體管施密特觸發(fā)器電路包含 2 個(gè)晶體管和 5 個(gè)電阻，為了更好的地解釋原理，下面直接分析電路。晶體管施密特觸發(fā)器工作原理假設(shè) Uin 輸入為0V，意味著晶體管 T1 截止且不導(dǎo)通。另一方面，晶體管 T2 導(dǎo)通，因?yàn)?B 節(jié)點(diǎn)處的電壓約為 1.98V，我們可以將電路的這一部分視為分壓
關(guān)鍵字：晶體管施密特觸發(fā)器電路設(shè)計(jì)

還不會(huì)設(shè)計(jì)晶體管施密特觸發(fā)器？不要錯(cuò)過

今天給大家分享的是晶體管施密特觸發(fā)電路設(shè)計(jì)。主要是關(guān)于：1、晶體管搭建的施密特觸發(fā)器2、如何設(shè)計(jì)晶體管施密特觸發(fā)電路？3、怎么改進(jìn)晶體管施密特觸發(fā)電路一、施密特觸發(fā)器有什么作用？施密特觸發(fā)器是一個(gè)決策電路，用于將緩慢變化的模擬信號(hào)電壓轉(zhuǎn)換為2 種可能的二進(jìn)制狀態(tài)之一，具體取決于模擬電壓是高于還是低于預(yù)設(shè)閾值。二、不能用 CMOS 來設(shè)計(jì)施密特觸發(fā)器嗎？CMOS器件CMOS 器件可以用來設(shè)計(jì)施密特觸發(fā)器，但是不能選擇閾值電壓，只能在有限的電源電壓范圍內(nèi)工作，例如：4HC14 在 +5v 下運(yùn)行，閾值通常為
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使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管

為特定CMOS工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的SPICE模型可以增強(qiáng)集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設(shè)計(jì)的高級(jí)SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對(duì)NMOS晶體管進(jìn)
關(guān)鍵字： CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型

幾年的原理圖沒白干，總結(jié)了這么多晶體管的應(yīng)用知識(shí)~

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動(dòng)作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇泶蜷_或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
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一文讀懂｜晶體管是怎么來的

現(xiàn)在，3nm制程工藝的CPU已經(jīng)在大面積使用了。那么，你知道芯片里面這個(gè)3nm晶體管是怎么來的嗎？它到底有什么神奇功能？1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速發(fā)展。正因?yàn)樗绱说刎S富了人們的生活，就其貢獻(xiàn)度而言，作為發(fā)明者的3位物理學(xué)家 —— 肖克萊博士、巴丁博士和布拉頓博士，當(dāng)之無愧地獲得了諾貝爾獎(jiǎng)。恐怕今后的發(fā)明都難以與晶體管的發(fā)明相提并論。總之，晶體管為現(xiàn)代
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研究人員開發(fā)出新型 2D 晶體管，可模仿蝗蟲大腦實(shí)現(xiàn)避障

IT之家 4 月 23 日消息，印度理工學(xué)院孟買分校和倫敦國王學(xué)院的研究人員合作開發(fā)了一種超低功耗的二維晶體管，能夠模擬蝗蟲的神經(jīng)元來實(shí)現(xiàn)避障功能，有望降低未來人工智能的能源消耗。圖源 Pexels自動(dòng)駕駛和機(jī)器人自主移動(dòng)一直是機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能研發(fā)人員夢(mèng)寐以求的目標(biāo)，而避障則是這項(xiàng)技術(shù)能否在現(xiàn)實(shí)世界落地應(yīng)用的關(guān)鍵。為此，雙方研究人員致力于創(chuàng)造一種能以極低功耗實(shí)現(xiàn)避障的解決方案。研究人員在研究避障行為時(shí)，發(fā)現(xiàn)蝗蟲身上有一種名為“小葉巨人運(yùn)動(dòng)檢測(cè)器 (LGMD)”的神經(jīng)元，當(dāng)大型物體接近蝗蟲時(shí)，該
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通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動(dòng)作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇泶蜷_或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
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晶體管介紹

【簡(jiǎn)介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]