- 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 近日發布業內首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無引腳DFN封裝的中功率晶體管。這款BC69PA晶體管采用獨特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料SMD封裝,是恩智浦中功率晶體管家族中的首位小型晶體管成員。
- 關鍵字:
恩智浦 晶體管 BC69PA
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
- 關鍵字:
晶體管 Airfast RF功率 飛思卡爾
- 過去,RF功率的性能完全取決于線性效率。如今,開發者遇到更加復雜的挑戰:需要滿足多種標準、信號變化和嚴格的帶寬要求等。針對這一問題,飛思卡爾半導體推出新型硅片RF LDMOS功率晶體管Airfast RF功率解決方案
- 關鍵字:
重新 定義 晶體管 性能 解決方案 功率 使用 新型 Airfast
- 中心議題: 開關電源中開關晶體管的損耗 開關電源中開關晶體管的電子輻照實驗 電子輻照雙極晶體管和鉗位型雙極晶體管的比較
功率雙極晶體管的損耗是開關電源總損耗中的最多的器件之一, 采用10M eV電子輻照
- 關鍵字:
晶體管 損耗 影響 雙極 功率 輻照 開關電源 電子
- 該MAT12是雙匹配的NPN晶體管配對,專門設計以滿足超低噪音的要求,音響系統。憑借其極低的輸入基地擴展電阻(成果 ...
- 關鍵字:
雙匹配 音頻NPN 晶體管 MAT12
- 中心議題: 功率晶體管二次擊穿的原因 避免功率晶體管二次擊穿的措施 開關電源中可選用的緩沖電路解決方案: 耗能式關斷緩沖電路 耗能式開通緩沖電路 無源回饋關斷緩沖電路 無源回饋開通緩沖電
- 關鍵字:
防護 擊穿 晶體管 功率 開關電源
- (一)晶體管材料與極性的判別 1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產晶體管型號命名的第二部分用英文字母AD表示晶體管的材料和極性。其中,“A”代表鍺材料PNP型管,“B”代表鍺材料
- 關鍵字:
晶體管 檢測 經驗
- 1功率放大器用場效應管或雙極型晶體管(以下簡稱晶體管)作前級和后級對信號進行放大處理。而采用場效應管做的 ...
- 關鍵字:
音響 場效應管 雙極型 晶體管
- 晶體管聲,數碼聲和電磁干擾聲介紹晶體管聲:聽過晶體管放大器(分立元件)的和聽過集成電路放大器的人一定都會說 ...
- 關鍵字:
晶體管 數碼聲 電磁干擾聲
- 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導體廠商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出新款SiGe:C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04,可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網絡系統、衛星無線電及類似應用。本裝置的制程采用全新開發的硅鍺:碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領先業界的低噪聲效能。
- 關鍵字:
瑞薩 晶體管 SiGe:C HBT
- 新型低VCEsat BJT技術為傳統的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設計人員設計出成本更低、更具競爭優勢的產品。 便攜式產品(如手機、數碼照相機、
- 關鍵字:
比較 MOSFET 晶體管 雙極結 VCEsat
- 在某些直流/直流轉換器中,芯片上的逐周期限流措施在短路期間可能不足以防止故障發生。一個非同步升壓轉換器...
- 關鍵字:
晶體管 短路保護
- 雙極結型三極管相當于兩個背靠背的二極管 PN 結。正向偏置的 EB 結有空穴從發射極注入基區,其中大部分空穴能 ...
- 關鍵字:
晶體管 三極管
- 據美國物理學家組織網8月29日報道,一個國際科研團隊首次研制出了一種含巨大分子的有機半導體材料,其結構穩定,擁有卓越的電學特性,而且成本低廉,可被用于制造現代電子設備中廣泛使用的場效應晶體管。科學家們表示,最新突破將會讓以塑料為基礎的柔性電子設備“遍地開花”。相關研究發表在材料科學領域最著名的雜志《先進材料》上。
- 關鍵字:
有機半導體 晶體管
- 在電費占運營成本 (OPEX) 很大一部分,而運營成本則占總成本約 70% 的情況下,降低功耗對運營商來說已刻不容緩。以前,芯片提供商想辦法通過晶體管和工藝技術來降低功耗。雖然晶體管是產生功耗的主要原因,但并非唯一因素,而且通過晶體管來降低功耗作用是有限的。
- 關鍵字:
賽靈思 晶體管
晶體管介紹
【簡介】
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關,和一般機械開關(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管,是內部含有兩個P [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473