工藝文章最新資訊

我國(guó)大規(guī)模集成電路制造重大專項(xiàng)進(jìn)入實(shí)施階段

　　新華網(wǎng)北京3月27日電記者 27日從科技部獲悉,我國(guó)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項(xiàng)進(jìn)入全面實(shí)施階段? 　　據(jù)介紹,“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項(xiàng)旨在開(kāi)發(fā)集成電路關(guān)鍵制造裝備,掌握具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的成套先進(jìn)工藝及相關(guān)新材料技術(shù),打破我國(guó)高端集成電路制造裝備與工藝完全依賴進(jìn)口的狀況,帶動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)提升和結(jié)構(gòu)調(diào)整? 　　重大專項(xiàng)是實(shí)現(xiàn)我國(guó)中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃的一項(xiàng)重要內(nèi)容,黨中央?國(guó)務(wù)院高度重視重大專項(xiàng)的實(shí)施工作,多次召開(kāi)
關(guān)鍵字：集成電路工藝

怎樣可以降低RFID應(yīng)答器設(shè)計(jì)中的功耗

應(yīng)答器設(shè)計(jì)的成本依賴于幾個(gè)因素，而不僅僅是硅的成本。事實(shí)上，芯片制造工藝的成本(就其復(fù)雜性和成熟程度...
關(guān)鍵字：功耗低功耗驅(qū)動(dòng) 工藝溫度電壓

基于0.18μm RF CMOS工藝的低相噪寬帶LC VCO設(shè)計(jì)

壓控振蕩器(VCO)是射頻集成電路(RF-ICs)中的關(guān)鍵模塊之一。近年來(lái)隨著無(wú)線通信技術(shù)的快速發(fā)展，射頻收發(fā)機(jī)也有了新的發(fā)展趨勢(shì)，即單個(gè)收發(fā)機(jī)要實(shí)現(xiàn)寬頻率多標(biāo)準(zhǔn)的覆蓋，例如用于移動(dòng)數(shù)字電視接收的調(diào)諧器一般要實(shí)現(xiàn)T-DMB、DMB-T等多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，并能覆蓋VHF、UHF和LBAND等多個(gè)頻段。本文所介紹的VCO設(shè)計(jì)采用如圖1(a)所示的交叉耦合電感電容結(jié)構(gòu)，相對(duì)于其他結(jié)構(gòu)的VCO來(lái)說(shuō)該結(jié)構(gòu)更加易于片上集成和實(shí)現(xiàn)低功耗設(shè)計(jì)，并且利用LC諧振回路的帶通濾波特性，能獲得更好的相位噪聲性能。
關(guān)鍵字：寬帶 LC VCO 設(shè)計(jì) 相噪工藝 0.18 RF CMOS 基于

基于CMOS工藝的數(shù)字步進(jìn)衰減器的設(shè)計(jì)

本文基于Peregrine(派更)半導(dǎo)體公司的單片數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA，Digital Step Attenuator)產(chǎn)品系列，闡述了DSA通用設(shè)計(jì)方法、RF CMOS工藝以及這些器件的性能。
關(guān)鍵字： CMOS 工藝步進(jìn) 數(shù)字

村田：研發(fā)新材料挑戰(zhàn)新領(lǐng)域

制程工藝技術(shù)發(fā)展探討

IBM聯(lián)盟開(kāi)發(fā)出可在32納米芯片中加速實(shí)現(xiàn)一種被稱為“high-k/metal gate(高電介質(zhì)金屬柵極)”的突破性材料。這種新方法是基于被稱為“high-k gate-first(高電介質(zhì)先加工柵極)”加工工藝的方法，為客戶轉(zhuǎn)向高電介質(zhì)金屬柵極技術(shù)提供了一種更加簡(jiǎn)單和更省時(shí)間的途徑，由此而能夠帶來(lái)的益處包括性能的提高和功耗的降低。通過(guò)使用高電介質(zhì)金屬柵極，IBM與聯(lián)盟合作伙伴成功地開(kāi)發(fā)出比上一代技術(shù)體積小50%的芯片，同時(shí)提高了眾多性能。使用這種新技術(shù)的
關(guān)鍵字：制程工藝

評(píng)中芯國(guó)際與IBM簽訂45納米技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議

資深評(píng)論人莫大康按國(guó)際工藝路線圖指引,全球半導(dǎo)體07年才進(jìn)入45納米制程。其中英特爾首先采用高k及金屬柵工藝,將CMOS工藝推向一個(gè)新的里程碑。連戈登摩爾也坦誠(chéng),由此將定律可延伸又一個(gè)10年。此次中芯國(guó)際能成功與國(guó)際最先進(jìn)的技術(shù)輸出者,IBM達(dá)成45納米的技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議意義十分深遠(yuǎn)。首先表征中芯國(guó)際愿意繼續(xù)追趕國(guó)際最先進(jìn)工藝水平,加入全球最先進(jìn)
關(guān)鍵字： 45納米中芯國(guó)際 IBM 工藝

嵌入式實(shí)時(shí)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的軟硬件考慮和關(guān)鍵工藝

嵌入式實(shí)時(shí)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的軟硬件考慮和關(guān)鍵工藝,本文將描述嵌入式系統(tǒng)和實(shí)時(shí)系統(tǒng)的關(guān)鍵特性，并探討在選擇或開(kāi)發(fā)硬件和軟件組件的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)高效嵌入式系統(tǒng)的解決方案，同時(shí)詳細(xì)說(shuō)明嵌入式系統(tǒng)和實(shí)時(shí)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)所特有的關(guān)鍵工藝技術(shù)。
關(guān)鍵字：考慮關(guān)鍵工藝軟硬件開(kāi)發(fā) 實(shí)時(shí) 系統(tǒng) 嵌入式

45nm用或不用都是個(gè)問(wèn)題

　　與其說(shuō)45nm剛剛走到我們面前，不如說(shuō)我們已經(jīng)可以準(zhǔn)備迎接32nm工藝時(shí)代，因?yàn)閾?jù)三星存儲(chǔ)合作伙伴透露，今年底或明年初三星將開(kāi)始試產(chǎn)30nm工藝半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片，其閃存芯片更是早于Intel邁向了50nm量產(chǎn)階段。無(wú)疑，我們只不過(guò)在Intel強(qiáng)大的宣傳攻勢(shì)下，認(rèn)為似乎CPU才是所有半導(dǎo)體的制程工藝的領(lǐng)先者，但也許再向下Intel也會(huì)感到有些力不從心。　　當(dāng)然，我們今天討論的重點(diǎn)不是誰(shuí)的制程工藝更先進(jìn)，而是要討論45nm究竟該不該采用，亦或準(zhǔn)確的說(shuō)是要不要采用的問(wèn)題。　　從技術(shù)的角度來(lái)說(shuō)，45
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體制程 45nm 工藝晶圓成本芯片

二線晶圓廠先進(jìn)工藝紛向一線大廠看齊將打破工藝分水嶺局勢(shì)

　　近期全球二線晶圓廠紛搶進(jìn)0.13微米以下先進(jìn)工藝，包括馬來(lái)西亞晶圓代工廠Silterra、以色列晶圓廠寶塔半導(dǎo)體(Tower Semiconductor)分別宣布，計(jì)劃以募資、借貸方式來(lái)擴(kuò)充先進(jìn)工藝產(chǎn)能，未來(lái)隨著二線晶圓廠紛跳脫成熟工藝藩籬、邁入先進(jìn)工藝，不僅恐造成先進(jìn)工藝價(jià)格雪上加霜，并將讓0.13微米、90納米工藝不再是一線晶圓廠獨(dú)霸天下，甚至得重新改寫(xiě)“先進(jìn)工藝”定義。　　目前90納米、0.13微米工藝由臺(tái)灣晶圓代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電稱霸，其中，臺(tái)積電90納米、0.13微米工藝各占營(yíng)收比重達(dá)2
關(guān)鍵字：晶圓廠工藝其他IC 制程

利用Virtex-5 FPGA 降低功耗

VirtexTM-5系列產(chǎn)品的推出，使得Xilinx公司再一次成為向FPGA客戶提供新技術(shù)和能力的主導(dǎo)力量。...
關(guān)鍵字：工藝納米散熱泄漏

微電子工藝專有名詞（3）

101 LATCH UP 栓鎖效應(yīng) 當(dāng)VLSI線路密度增加，Latch-Up之故障模式于MOS VLSI中將愈來(lái)愈嚴(yán)重，且僅發(fā)生于 CMOS電路，所有COMS電路西寄生晶體管所引起的LATCH-UP問(wèn)題稱之為SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER）LATCH-UP，在S1基體內(nèi)CMOS中形成兩個(gè)雙截子晶體管P-N-P-N形式的路徑，有如一個(gè)垂直的P+-N-P與一個(gè)水平N+-P-N晶體管組合形成于CMOS反向器，如果電壓降過(guò)大或受到外界電壓、電流或光的觸發(fā)時(shí)，將造成兩個(gè)晶體管互相
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微電子工藝專有名詞（4）

151 RESOLUTION 解析力 1. 定義：解析力在IC制程的對(duì)準(zhǔn)及印刷（Align & Print）過(guò)程中站著相當(dāng)重要的地位，尤其演進(jìn)到VLSI后，解析力的要求就更高了。它是對(duì)光學(xué)系統(tǒng)（如對(duì)準(zhǔn)機(jī)、顯微鏡、望遠(yuǎn)鏡等）好壞的評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)之一，現(xiàn)今多以法國(guó)人雷萊（Rayleigh）所制定的標(biāo)準(zhǔn)遵循之。物面上兩光點(diǎn)經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)頭于成像面上不會(huì)模糊到只被看成一點(diǎn)時(shí)，物面上兩點(diǎn)間之最短距離。若此距離越小，則解析力越大。（通常鏡面大者，即NA大者，其解析力也越大）解析力不佳時(shí)，例如對(duì)準(zhǔn)機(jī)對(duì)焦不清時(shí)，就會(huì)造成C
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微電子工藝專有名詞（1）

1 Active Area 主動(dòng)區(qū)（工作區(qū)）主動(dòng)晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)（ACTIVE AREA）。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過(guò)程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場(chǎng)氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會(huì)受到鳥(niǎo)嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來(lái)的小，以長(zhǎng)0.6UM之場(chǎng)區(qū)氧化而言，大概會(huì)有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是說(shuō)ACTIVE AREA比原在之
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微電子工藝專有名詞（2）

51 DRAM , SRAM 動(dòng)態(tài),靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存隨機(jī)存取記憶器可分動(dòng)態(tài)及靜態(tài)兩種，主要之差異在于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM），在一段時(shí)間（一般是0.5ms～5ms）后，資料會(huì)消失，故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫(xiě)（refresh），此為其最大缺點(diǎn)，此外速度較慢也是其缺點(diǎn)，而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元（bit）指需一個(gè)Transistor（晶體管）加一個(gè)Capacitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫(xiě)、速度快之優(yōu)點(diǎn)，但是密度低，每一記憶單元（bit）有兩類
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