上個月臺積電（TSMC）宣布，有意增加1000億美元投資于美國先進半導體制造，擴大投資計劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進封裝設施、以及一間主要的研發團隊中心。臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab
21，前后花了大概五年時間才完成第一間晶圓廠。不過隨著項目的推進，臺積電在當地的設施建造速度變得更快。據TrendForce報道，臺積電打算將FOPLP封裝技術帶入美國，以滿足當地客戶日益增長的需求。臺積電正在確定FOPLP封裝的最終規格，以加快大規模生產的時間表。初代產品預計采用300mm
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英偉達 在 GTC 2025 大會上宣布推出 Spectrum-X Photonics 和
Quantum-X Photonics 網絡交換器平臺，采用硅光子（silicon photonics）技術。
新的平臺將每個端口的數據傳輸速度提升至1.6 Tb/s，總傳輸能力達400 Tb/s，使數百萬顆GPU能無縫協作運行。 英偉達
表示，與傳統網絡解決方案相比，新交換器提供更高帶寬、更低功耗損失及更高可靠性。據悉，Spectrum-X Photonics Ethernet 和 Quantum-X
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11月28日消息，據報道，臺積電（TSMC）在其歐洲開放創新平臺（OIP）論壇上宣布，正在按計劃對其超大版本的CoWoS封裝技術進行認證。此項革新性技術核心亮點在于，它能夠支持多達9個光罩尺寸（Reticle Size）的中介層集成，并配備12個高性能的HBM4內存堆棧，專為滿足最嚴苛的性能需求而生。然而，超大版CoWoS封裝技術的實現之路并非坦途。具體而言，即便是5.5個光罩尺寸的配置，也需仰賴超過100
x 100毫米的基板面積，這一尺寸已逼近OAM 2.0標準尺寸的上限（102 x
165m
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隨著半導體行業的快速發展，先進封裝技術成為了提升芯片性能和功能密度的關鍵。近年來，作為2.5D和3D封裝技術之間的一種結合方案，3.5D封裝技術逐漸走向前臺。什么是3.5D封裝技術3.5D封裝技術最簡單的理解就是3D+2.5D，通過將邏輯芯片堆疊并將它們分別粘合到其他組件共享的基板上，創造了一種新的架構。能夠縮短信號傳輸的距離，大幅提升處理速度，這對于人工智能和大數據應用尤為重要。不過，既然有了全新的名稱，必然要帶有新的技術加持 —— 混合鍵和技術（Hybrid Bonding）。混合鍵合技術的應用為3.
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據媒體報道，為滿足未來人工智能（AI）對算力的需求，臺積電正在研究一種新的先進芯片封裝方法，使用矩形基板，而不是傳統圓形晶圓，從而在每個晶圓上放置更多的芯片。多位知情人士表示，臺積電正在與設備和材料供應商合作開發這種新方法，不過商業化可能需要幾年時間。AI算力加速建設，國際大廠引領先進封裝技術持續迭代。華福證券表示，后摩爾時代來臨，先進封裝大放異彩。據Yole預測，2022-2028年先進封裝市場將以10.6%的年化復合增長率增至786億美元，且2028年先進封裝占封裝行業的比重預計將達到57.8%，先進
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日經亞洲（Nikkei Asia）引述多方消息人士說法指出，臺積電正在開發一個先進芯片封裝的新技術，在此波由人工智能（AI）需求對運算能力的熱潮，這家全球芯片制造龍頭冀望藉此維持技術領先地位。 知情人士透露，臺積電與設備和材料供貨商正就最新方法進行合作，但要走向商業化可能還需幾年時間。日經亞洲引述6人說法，新方法的基礎構想是利用矩形基板，而非目前的傳統圓形晶圓，這樣可以在每個晶圓上放置更多組芯片。據悉，此研究仍在初步階段，但一旦研發成功，將會是臺積電技術上的一大躍進。過去曾經評估利用矩形基板的難度太高，因
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隨著AI和高性能電腦對計算能力和數據處理速度的需求日益增長。半導體行業也邁入了異構時代，即封裝中廣泛采用多個“Chiplet”。在這樣的背景下，信號傳輸速度的提升、功率傳輸的優化、設計規則的完善以及封裝基板穩定性的增強顯得尤為關鍵。然而，當前廣泛應用的有機基板在面對這些挑戰時顯得力不從心，因此，尋求更優質的材料來替代有機基板。玻璃基板，是英特爾作出的回答。英特爾已在玻璃基板技術上投入了大約十年時間。去年9月，英特爾宣布率先推出用于下一代先進封裝的玻璃基板，并計劃在未來幾年內向市場提供完整的解決方案，從而使
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處理器，無論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運行，都離不開 RAM，特別是 DRAM（動態隨機存取存儲器），它已經成為各種系統（PC，手機，數據中心等）中內存的代名詞。根據應用不同，系統對芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標準 DDR（雙倍數據速率）、LPDDR、GDDR 等，當然，主要就是這三類。其中，DDR 是相對于 SDR（單數據速率）而言的，將 I/O 時鐘加倍了，主要為 PC 和數據中心的 CPU 服務，目前已經發展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
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在封裝開發中，如何正確使用數據表的熱特性參數以做出設計決策經常存在一定的誤區。之前我們討論了穩態數據和瞬態數據的解讀與多輸入瞬態模型，今天我們將繼續分析各種模型下的瞬態響應。多結器件和瞬態響應上一部分中提到了多輸入瞬態模型。正如熱系統的穩態描述一樣，也可以構建多結器件的瞬態描述。如果遵循矩陣方法，唯一區別是矩陣的每個元素都是時間的函數。對于器件中的每個熱源，都會有一條“自發熱”瞬態響應曲線；對于系統中的每個其他關注點，都會存在一條“相互作用”瞬態響應曲線。在同樣的限制性假設的約束下，線性疊加和互易原理仍然
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近年來摩爾定律增速不斷放緩，而新型應用對高效節能芯片的要求越來越強烈，半導體業界正在積極探索解決方案，包括3D封裝，片上系統（SOC）到系統級封裝（SIP）技術。在SEMICON China 2020的“先進封裝論壇”中，討論了先進封裝、異構集成的前沿技術、發展路線和產業生態，以及產業發展的機會。Co-Chair of HIR, Chairman of 3MTS Bill Bottoms先生在開幕致辭指出，摩爾定律誕生55年之后，世界不斷發生著變化，而現下CMOS縮放不再是推動半導體產業進步的步伐。“我們
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UV-LED單個芯片面積小，便于靈活設計;但相應的是單個芯片的輻射功率也較低，在很多應用中難以滿足高輻射功率密度的要求，這也是目前UV-LED在眾多領域很
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近年來，隨著LED芯片材料的發展，以及取光結構、封裝技術的優化，單芯片尺寸的功率(W)越做越高，芯片的光效(lm/W)、性價比(lm/$)也越來越好，在這樣的
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攻克可穿戴醫療存儲器件封裝難題-可穿戴醫療設備通常設計得盡可能隱蔽。因此，在盡可能小的封裝中達到所需的存儲密度非常必要。種種創新要求在有限的外形尺寸中存儲更多的數據。要滿足這一點，許多醫療設備設計人員轉而采用創新型裸片存儲器解決方案。
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在日前召開的第三屆中國國際醫療電子技術大會（CMET2010）工藝工作坊中，偉創力總部技術部高級副總裁上官東鎧博士以《醫療電子中的微型化封裝與裝配技術》為題發表了精彩演講.
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光LED的問世，利用熒光體與藍光LED的組合，就可輕易獲得白光LED，這是行業中最成熟的一種白光封裝方式。藍光led的...
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封裝技術介紹
所謂“封裝技術”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術。以CPU為例，我們實際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內核的大小和面貌，而是CPU內核等元件經過封裝后的產品。
封裝對于芯片來說是必須的，也是至關重要的。因為芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運輸。由于封裝技術的好壞還直接影響到芯片自身性能的發揮 [
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