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        存儲器 文章 最新資訊

        新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應用

        • 摘要: 本文介紹了針對高端存儲應用的最新非易失性存儲器NVSRAM。可以根據應用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構。關鍵詞: Flash;EEPROM;SRAM;NVSRAM 概述眾所周知,在非易失性存儲器領域,市場熱度節節攀升。近日,SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫,即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器,并介紹NVSRAM的特點和優勢, NVSRAM 的應用以及工作方式。 非易失性存儲器應用
        • 關鍵字: 0701_A  NVSRAM  SRAM  消費電子  雜志_技術長廊  存儲器  消費電子  

        MRAM:內存的新潮流(上)

        • 摘要: Freescale運用自旋電子技術制作了新的非易失性RAM,本文對此進行了詳細介紹。關鍵詞: MRAM;自旋電子;位線;字線 在半導體業界,微處理器是一種更有魅力,利潤更高,而且更難以設計的產品,而內存芯片在推動半導體技術向前發展的過程中則會起到關鍵性的作用。Intel早期的成功,來源于其1970年推出的、當時業界第一款DRAM芯片,1kb的1103。兩年后,1103成為業界銷售情況最好的內存芯片,在很多新的系統設計中取代了磁芯存儲器。DRAM在過去的歲月中成為半導體技術發展
        • 關鍵字: 0701_A  MRAM  消費電子  雜志_技術長廊  存儲器  消費電子  

        首款單碟60GB 1.8英寸硬盤面世

        •     希捷科技公司日前宣布,開始向全球客戶發售其Lyrion硬盤。Lyrion作為業內首款單碟60GB 1.8英寸硬盤在容量方面實現了突破,采用了垂直記錄技術,厚度只有5毫米。      由于消費者在日常生活中越來越依賴于他們的消費電子設備,包括個人媒體播放器、便攜式導航系統、數字視頻照相機或便攜式存儲設備,因此在這些設備中裝備高可靠性硬盤變得越來越重要,而這些硬盤必須具備專門為便攜式手持設備市場設計的功能。據悉,
        • 關鍵字: 希捷  存儲器  

        DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍

        •   DRAM 8英寸線將逐漸退出   隨著半導體工藝制程技術的進步,90納米及以下制程產品的比重增大以及12英寸硅片的優越性逐漸擴大,首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現。   臺灣力晶半導體的黃崇仁表示,2006年是轉折點,DRAM中的8英寸芯片性價比已不具有優勢,一批較早的8英寸芯片廠,已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲器。   臺灣拓璞產業研究所最近發表的看法認為,五大集團三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達主導了全球的DRAM業,全球DRAM(動態隨機存儲器)應用中,有
        • 關鍵字: 8英寸  DRAM  IC制造  單片機  理性突圍  嵌入式系統  存儲器  

        適用于圖像檢測壓縮系統的內存存取方式

        • 為了兼具可擴展性和數據處理速度,對于各種應用,如圖像數據偵錯、視頻數據壓縮、音頻數據增益、馬達控制等,可編程數據處理模塊(Programmable Data Processing Module)是時勢所需。在處理的數據量越來越大的情況下,所需的內存容量隨之增大,以往的先進先出隊列(First-In-First-Out, FIFO)無法滿足其高速度與大容量的需求,許多硬件工程師開始考慮使用DRAM的可能性。DRAM具備可快速存取、可依照設計者規劃使用空間、大容量等優點,但是內存數組需要重新充電,而雙倍數據速
        • 關鍵字: 測量  測試  消費電子  存儲器  消費電子  

        DRAM 8英寸生產線趨減 IC制造須理性突圍

        •   推動全球半導體工業進步的兩個輪子,一個是縮小特征尺寸,另一個是增大硅片直徑,通常總是以不斷地縮小特征尺寸為先。如今,全球正進入12英寸,65納米芯片生產線的興建高潮,業界正在為何時進入18英寸硅片生產展開可行性討論。在此前提下,業界關心全球8英寸芯片生產線的現狀,以及何時將退出歷史舞臺。縱觀全球半導體業發展的歷史過程,進入8英寸硅片時代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右,所以8英寸硅片目前仍處于平穩發展時段,顯然90納米及65納米產品已開始上升。    &
        • 關鍵字: 8英寸  DRAM  IC  存儲器  

        微型硬盤驅動技術與嵌入式應用整合方案

        • 目前,硬盤驅動器采用的主流接口是高技術配置接口標準(ATA),即IDE接口,而且絕大多數硬盤驅動器都采用了并行ATA接口。部分硬盤驅動器同時也支持CF (Compact Flash)規范、安全數字輸入/輸出(SDIO)標準和串行ATA規范。由于并行ATA和CF是便攜手持市場的最普遍的兩個標準,因此本文側重討論這兩個規范。CF 3.0規范能夠在與標準IDE完全相同的真IDE模式下操作。與CF2.1相比,CF3.0增加了極端直接內存訪問(Ultra DMA)模式。通常,硬盤驅動器并不需要支持所有的模式。目前,
        • 關鍵字: 單片機  嵌入式系統  微型硬盤  消費電子  存儲器  消費電子  

        內容可尋址存儲器MCM69C232及其應用

        • 內容可尋址存儲器cam(content-addressable memory)是以內容進行尋址的存儲器,是一種特殊的存儲陣列ram,它的主要工作機制就是將一個輸入數據項與存儲在cam中的所有數據項自動同時進行比較,判別該輸入數據項與cam中存儲的數據項是否相匹配,并輸出該數據項對應的匹配信息,美國motorola公司的cam芯片mcm69c232在市場上是性價比較高的產品,因而被廣泛地應用于網絡通信,模式識別等領域,其用于數據檢索的優勢是軟件無法比擬的,可以極大的提高系統性能。 1 mcm69c
        • 關鍵字: 存儲器  

        用單片機實現SRAM工藝FPGA的加密應用

        •   在現代電子系統設計中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性,而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用sram工藝,要求每次上電,對fpga器件進行重配置,這就使得可以通過監視配置的位數據流,進行克隆設計。因此,在關鍵、核心設備中,必須采用加密技術保護設計者的知識產權。 1 基于sram工藝fpga的保密性問題   通常,采用sram工藝的fpga芯片的的配置方法主要有三種:由計算機通過下載電纜配置、用專用配置芯片(如altera公司的epcx系列芯片)配置、采用
        • 關鍵字: 存儲器  

        SDRAM控制器的設備與VHDL實現

        • 在高速實時或者非實時信號處理系統當中,使用大容量存儲器實現數據緩存是一個必不可少的環節,也是系統實現中的重點和難點之一。sdram(同步動態隨機訪問存儲器)具有價格低廉、密度高、數據讀寫速度快的優點,從而成為數據緩存的首選存儲介制裁。但是sdram存儲體結構與ram有較大差異,其控制時序和機制也較復雜,限制了sdram的使用。目前,雖然一些能家長微處理器提供了和sdram的透明接口,但其可擴展性和靈活性不夠,難以滿足現實系統的要求,限制了sdram的使用。 在詳細闡讀sdram數據文檔的前提下
        • 關鍵字: 存儲器  

        OTPROM型單片機內內部存儲器的使用研究

        • 隨著變頻調速以及微機控制技術的發展,適應電機控制的intel 8xc196mc系列單片機應用越來越廣泛。 與80c196mc相比,87c196mc單片機帶有16 kb的otprom(one tline programmable read-only memory),可以進行片內編程操作,而且可以增強加密功能。對于普通的控制系統來說,其存儲容量足夠大,不必再使用外部擴展存儲器。然而87c196mc單片機的otprom存在一個缺點:不可擦除,也就是說只能編程一次,不能實現重復編程,不利于大量普及使
        • 關鍵字: 存儲器  

        基于CPLD的容錯存儲器的設計實現

        • 隨著各種電路和芯片的性能(速度、集成度等)不斷提高,尤其是在軍事、航空航天等用途中對可靠性的要求往往是第一位的,人們對于系統的可靠性方面的要求日益增加,這對電路系統的設計和制造都提出了嚴格的目標要求。 存儲器是電路系統中最常用的器件之一,采用大規模集成電路存儲芯片構成。實際統計表明,存儲器在太空應用中的主要錯誤是由瞬態錯誤(也叫單個事件擾動,seu)所引起的一位錯[1]或者相關多位錯,而隨機獨立的多位錯誤極少。半導體存儲器的錯誤大體上分為硬錯誤和軟錯誤,其中主要為軟錯誤。硬錯誤所表現的現象是在
        • 關鍵字: 存儲器  

        基于Submerge Frame方法的CAN-以太網網關

        • 以太網憑借其成本低、開放性強以及具有廣泛的開發、應用軟硬件支持等明顯優勢,已經成為目前應用最為廣泛的局域網絡技術之一,而can總線也以星火燎原之勢成為應用最普遍的現場總線之一[1]。由于can總線的傳輸速率受到傳輸距離的限制,在應用中往往以can總線作為現場控制局部網絡,連接現場監控設備和高級智能設備,而將以太網作為企業信息傳輸主干網,連接各個現場控制局部網絡,傳統的can-以太網網關往往無法適應較大規模和重網絡負荷環境,本文對在不改變操作系統、網絡協議且不增加硬件成本的基礎上實現高效的can總線的以太網
        • 關鍵字: 存儲器  

        FM20L08型鐵電存儲器的原理及應用

        • 1 引言 在一些需要下位機單獨工作的場合(如汽車行駛記錄儀、高速存儲測試設備等),其數據的高速存儲和掉電不丟失尤為重要,ramtron公司推出的fm20l08型非易失性鐵電存儲器除具有其他鐵電存儲器的一般特點外,彌補了已有鐵電存儲器存儲量小的缺點,其數據存儲量達1mb,可完全代替標準異步靜態隨機存儲器(sram)。 2 fm20l08的特點和引腳功能 fm20l08型非易失性鐵電存儲器的存儲容量為128k×8位,和無限次擦寫,掉電后數據可保存10年,工作電壓為3v
        • 關鍵字: 存儲器  

        液晶顯示器漢字字模存儲方法

        • 液晶顯示器件(lcd)獨具的低壓、微功耗特性使他在單片機系統中特得到了廣泛的應用,常用的液晶顯示模塊分為數顯液晶模塊、點陣字符液晶模塊和點陣圖形液晶模塊,其中圖形液晶模塊在我國應用較為廣泛,因為漢字不能象西文字符那樣用字符模塊即可顯示,要想顯示漢字必須用圖形模塊。 1 液晶模塊顯示漢字方法 使用圖形液晶模塊以點陣形式來顯示漢字和圖形,每8個點組成1個字節,每個點用一個二進制位表示,存1的點顯示時在屏上顯示一個亮點,存0的點則在屏上不顯示,最常用的16×16的漢字點陣由32個字節組成。
        • 關鍵字: 存儲器  
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        存儲器介紹

        什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統中的記憶設備,用來存放程序和數據。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構成 構成存儲器的存儲介質,目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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