Ramtron推出首個4兆位非易失性FRAM存儲器

　　Ramtron International Corporation宣布推出半導體業界首個4兆位 (Mb) FRAM存儲器，這是目前最高容量的FRAM產品，其容量是原有最大FRAM存儲器容量的四倍。FM22L16是采用44腳薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、幾乎無限的讀/寫次數和低功耗等特點。FM22L16與異步靜態 RAM (SRAM) 在管腳上兼容，并適用于工業控制系統如機器人、網絡和數據存儲應用、多功能打印機、自動導航系統，以及許多以SRAM為基礎的系統設計。

　　Ramtron 副總裁Mike Alwais解釋道：“4Mb FRAM開辟了全新的技術領域，把Ramtron和FRAM技術引入嶄新和新穎的應用中。FM22L16將FRAM技術引進至主流中，而來目德州儀器公認的工藝節點則提供許多全新的獨立和集成式產品機會。新產品的推出將FRAM定位成理想的非易失性存儲解決方案，擁有具大的潛力改變存儲器的現狀。”

　　產品特點

　　FM22L16是256K x 16非易失性存儲器，采用工業標準并行接口實現存取，存取的時間為55ns，  
周期為110ns。該器件以“無延遲” (NoDelay?) 寫入的總線速度進行讀寫操作，耐久性至少為1e14 (100萬億)次寫入和10年的數據保存能力。 

　　這種4Mb FRAM是標準異步SRAM完全替代器件，但其性能卻優越很多，因為它在進行數據備份時毋需電池，并且具有單片芯片方式固有的高可靠性。FM22L16是真正的表面安裝解決方案，與SRAM不同的是它不在需要電池而且具有很高的耐潮濕、抗沖擊和振動特性。

　　FM22L16備有便于與現今高性能微處理器相連的接口，兼具高速頁面模式，可以高達40MHz的速度進行4字節Burst讀/寫操作，這比普通RAM的總線速度高出很多。該器件較標準SRAM具有更低的工作電流，讀/寫操作時為18mA，在超低電流睡眠模式下僅為5uA。FM22L16在整個工業溫度范圍內 (-40℃至+85℃)于2.7V至3.6V電壓工作。要了解有關FM22L16更詳細的信息，請訪問公司網站 http://www.ramtron.com/4MbFRAM/Default.asp。

　　關于德州儀器的高級130納米 (nm) FRAM工藝 

　　FM22L16以德州儀器公認及先進的130nm CMOS制造工藝為基礎。在標準CMOS 130nm邏輯工藝內嵌入非易失性FRAM模塊時僅使用了兩個額外的掩模步驟。德州儀器和Ramtron在今天發布的另一份新聞稿中，詳細描述了其商用制造的安排，以及針對Ramtron的FRAM產品而設德州儀器 130nm工藝的情況。