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存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器 文章 最新資訊
基于Xilinx ISE的DDR SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

- 在高速信號(hào)處理系統(tǒng)中,需要緩存高速、大量的數(shù)據(jù),存儲(chǔ)器的選擇與應(yīng)用已成為系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器,它采用雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)來(lái)完成高速操作。DDR SDRAM一個(gè)時(shí)鐘周期只能傳輸一個(gè)數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù),因此在相同的數(shù)據(jù)總線寬度和工作頻率下,DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DDR SDRAM
2012年半導(dǎo)體市場(chǎng)狀況分析
- 2012年全球半導(dǎo)體營(yíng)收年成長(zhǎng)率約3.3%,整體產(chǎn)值來(lái)到3,232億美元,優(yōu)于去年的1.25%,而2012年半導(dǎo)體市況須等下半年才會(huì)反彈,預(yù)估第三季需求就會(huì)轉(zhuǎn)強(qiáng)。 iSuppli半導(dǎo)體分析師杰洛尼克(LenJelinek)表示,今年存儲(chǔ)器將是所有半導(dǎo)體表現(xiàn)最差的產(chǎn)業(yè),預(yù)期今年全球DRAM產(chǎn)值將年下滑26.8%,比去年下滑的16.1%更
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Ramtron推出低功耗非易失性存儲(chǔ)器
- Ramtron)宣布推出低功耗非易失性存儲(chǔ)器。該16 kb器件的型號(hào)為FM25P16,是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器,為對(duì)功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開創(chuàng)了全新的機(jī)遇。FM25P16是Ramtron低功耗存儲(chǔ)器系列中的首個(gè)產(chǎn)品,其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一,并具有快速讀/寫特性和幾無(wú)乎無(wú)限次的耐用性。 Ramtron市場(chǎng)推廣副總裁Scott Emley表示:“非易失性F-RAM存儲(chǔ)器的快速寫入能力與創(chuàng)新性IC設(shè)計(jì)相結(jié)合,讓我們可以實(shí)現(xiàn)迄今為止最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器,典型主動(dòng)電流只有
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Ramtron推出2兆位串口非易失性F-RAM存儲(chǔ)器

- 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation(簡(jiǎn)稱Ramtron)宣布推出2兆位(Mb)高性能串口F-RAM器件FM25V20。該器件是Ramtron公司V系列F-RAM存儲(chǔ)器中的一員,具有2.0 - 3.6V的寬工作電壓范圍。FM25V20具有快速訪問(wèn)、無(wú)延遲(NoDelay?)寫入、幾乎無(wú)限的讀/寫次數(shù)(1e14)及低功耗特性。這款最新F-RAM器件是2Mb 串行閃存和串行EEPROM 存儲(chǔ)器的普適型(drop
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μC/OS-II在DSP Flash存儲(chǔ)器中運(yùn)行的關(guān)鍵問(wèn)題

- μC/OS-II在DSP Flash存儲(chǔ)器中運(yùn)行的關(guān)鍵問(wèn)題,引言 在作為國(guó)家863計(jì)劃子項(xiàng)目挖掘機(jī)智能化控制系統(tǒng)的開發(fā)中,出現(xiàn)了智能化挖掘機(jī)軌跡控制系統(tǒng)不按照預(yù)先設(shè)定好的軌跡運(yùn)行和嵌入式實(shí)時(shí)多任務(wù)操作系統(tǒng)mu;C/OS-Ⅱ調(diào)度紊亂等失控問(wèn)題。該智能化系統(tǒng)中采用了mu;C
- 關(guān)鍵字: 關(guān)鍵 問(wèn)題 運(yùn)行 存儲(chǔ)器 DSP Flash C/OS-II
任奇?zhèn)ィ捍蛟熘袊?guó)的存儲(chǔ)器IDM巨頭
- 在工業(yè)和信息化部的指導(dǎo)下,由中國(guó)電子工業(yè)科學(xué)技術(shù)交流中心(工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心)(簡(jiǎn)稱CSIP)和濟(jì)南市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)共同主辦的2011中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第六屆“中國(guó)芯”頒獎(jiǎng)典禮于12月16日在濟(jì)南隆重召開。 以下是華芯半導(dǎo)體有限公司副總裁任奇?zhèn)ピ诒緦么筚愵C獎(jiǎng)典禮上的講話實(shí)錄: 各位領(lǐng)導(dǎo)、各位專家、各位嘉賓:大家上午好!大概分幾個(gè)部分,首先看一下存儲(chǔ)器產(chǎn)品的現(xiàn)狀和面臨的挑戰(zhàn)。再就是想跟大家匯報(bào)一下華芯半導(dǎo)體的現(xiàn)狀以及我們所提供的存儲(chǔ)器產(chǎn)品
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三星存儲(chǔ)器營(yíng)收逆勢(shì)成長(zhǎng) 將不會(huì)宣布減產(chǎn)
- 三星上季DRAM拿下近45%市占率,2012年DRAM、NAND Flash景氣唯三星馬首是瞻,由于三星目前掌握兩大存儲(chǔ)器最龐大的產(chǎn)能,價(jià)格漲跌有絕對(duì)性的影響作用,存儲(chǔ)器業(yè)者分析,上一季三星在兩大存儲(chǔ)器的市占率已經(jīng)超過(guò)40%,為了不要踩到50%的紅線區(qū),三星在DRAM、NAND Flash要再大幅度沖高產(chǎn)能機(jī)率不大,然而DRAM因?yàn)楦?jìng)爭(zhēng)對(duì)手已經(jīng)奄奄一息,三星也不會(huì)公開宣布減產(chǎn)讓對(duì)手有喘息的機(jī)會(huì)。 由于制程轉(zhuǎn)進(jìn)順利、市占率穩(wěn)固,三星在存儲(chǔ)器廠中2011年?duì)I收呈現(xiàn)逆勢(shì)成長(zhǎng)。由于受到DRAM價(jià)格及市占
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單片機(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)
- 單片機(jī)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)分析
我們來(lái)思考一個(gè)問(wèn)題,當(dāng)我們?cè)诰幊唐髦邪岩粭l指令寫進(jìn)單片要內(nèi)部,然后取下單片機(jī),單片機(jī)就可以執(zhí)行這條指令,那么這條指令一定保存在單片機(jī)的某個(gè)地方,并且這個(gè)地方在單片機(jī)掉電后依然可 - 關(guān)鍵字: 結(jié)構(gòu) 存儲(chǔ)器 單片機(jī)
實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器--相變存儲(chǔ)器

- 實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器--相變存儲(chǔ)器,從下面的幾個(gè)重要特性看,相變存儲(chǔ)器(PCM)技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求:容量
ndash; 因?yàn)橄M(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、通信三合一的應(yīng)用趨勢(shì),所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長(zhǎng),數(shù)據(jù)增長(zhǎng)速率甚 - 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 新型 相變 模型 使用 全新 實(shí)現(xiàn)
Cypress與諾西達(dá)成協(xié)議 撤銷訴訟
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corp. )周一表示,該公司已經(jīng)與諾基亞西門子通信(Nokia Siemens Networks)達(dá)成協(xié)議,撤銷向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)投訴諾西有關(guān)Cypress的SRAM專利侵權(quán)。 Cypress的申訴主要涉及GSI科技公司產(chǎn)品的存儲(chǔ)技術(shù)。 目前,Cypress與諾基亞西門子的交易條款尚未披露。 Cypress存儲(chǔ)器產(chǎn)品部執(zhí)行副總裁在一份聲明中稱,“我們很高興能與諾基亞西門子通信達(dá)成協(xié)議,有效地避免其他客戶牽
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Ramtron任命Scott Emley擔(dān)任市場(chǎng)推廣副總裁
- 世界領(lǐng)先的低功耗非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron) 宣布任命Scott Emley為市場(chǎng)推廣副總裁。Emley 先生將領(lǐng)導(dǎo)全球市場(chǎng)推廣團(tuán)隊(duì),全面負(fù)責(zé)包括應(yīng)用和技術(shù)支持的產(chǎn)品線推廣,并向Ramtron首席執(zhí)行官Eric Balzer報(bào)告。
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存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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