- 摘要:部分3D打印廠商分享了其最新的產品策略,芯片廠商介紹了3D打印機的安全芯片。
3D打印市場將增長4倍
據《Wohlers 2014》報告,到2016年全球3D打印增材制造市場規模將超過70億美元,2018年將比2013年翻4倍,達到125億美元。可見,3D打印市場在快速增長,3D打印已經成為電子、機械制造、汽車等領域快速原型制作、定制化方面不可或缺的部分。”
3D打印有兩大核心技術——FDM?熔融成積技術(Fused Depositi
- 關鍵字:
3D打印 建模 存儲器 201501
- 存儲器撞墻效應誰來解?許多業者將改善記憶體撞墻效應的希望寄托在HMC技術上,不過目前為止的推進仍很緩慢,截至目前為止仍未見有采行HMC記憶體的電腦系統,預計2015年才會登場,即便如期登場,從技術到系統也歷經4年時間。
- 關鍵字:
存儲器 AMD SDRAM
- 12月2日,Cypress和Spansion宣布價值40億美元的全股交換,兩家公司合并。從對國際產業影響來講,這是一件小事,然后它引發的思索在我的腦海中卻像云蔓青絲,慢慢展開,揮之不去:幾年前曾經建議國內一個與Spansion深度關聯的公司去收購它,而最近國內還有力量準備并購Spansion,借此來探索發展中國的存儲器產業。
近來產業新聞頻頻,高通、英特爾、聯發科和紫光“你方唱罷我登臺”,占據了媒體的大部分篇章,好像集成電路就是通信基帶芯片。
固然通信基帶芯片是未來
- 關鍵字:
存儲器 Cypress Spansion
- LED點陣顯示屏是集微電子技術、計算機技術、信息處理技術于一體的大型顯示屏系統。它以其色彩鮮艷,動態范圍廣,亮度高,壽命長,工作穩定可靠等優點而成為眾多顯示媒體以及戶外作業顯示的理想選擇。目前,已經被廣泛應用到軍事、車站、賓館、體育、新聞、金融、證券、廣告以及交通運輸等許多行業。本文介紹幾種LED點陣的設計與實現,供大家參考。
基于STM32的LED點陣屏的設計與實現
本文介紹的LED 書寫點陣屏,不但可以像普通顯示屏一樣作為信息輸出設備,而且可以通過光筆直接在LED 顯示屏上進行信息輸入
- 關鍵字:
微電子 存儲器
- 引言:馬拉松賽場上,剩余的幾名選手在經過體力和精神的雙重損耗和折磨后,終于看到了終點,準備用最后的氣力去撞線的時候,裁判突然說“對不起,游戲規則改變了,還要再跑一個馬拉松,才能決出勝負”。一場沒有終點的馬拉松,這就是存儲器產業的現狀;賽場上選手越來越少,我們躍躍欲試,準備入場,但怎樣入,卻還沒想好,這就是中國存儲器產業的現狀。
一場沒有終點的馬拉松:中國怎樣發展存儲器產業?
12月2日,Cypress和Spansion宣布價值40億美元的全股交換,兩家公司合并。從對
- 關鍵字:
存儲器 Cypress Spansion
- 在嵌入式開發中,系統軟件設計特別是各種存儲器的規劃是必不可少的一個環節,它也直接體現在鏈接腳本的撰寫上。 因鏈接腳本的語法相對復雜和篇幅較大,前期撰寫和后期維護對工程師來講難度都很大, 但對使用AndesCore做開發的工程師來講,Andes SAG是一大福音,它提供簡單直觀的描述語言替代了復雜的鏈接腳本。我們收到的反饋也證明,越來越多的工程師開始采用Andes SAG替代linker,之前我們有一篇技術文章對SAG的語法格式做了介紹并說明如何使用,本文將展示四個實際工程開發的例子,以幫助廣大開發者更
- 關鍵字:
晶心科技 Andes SAG 嵌入式 存儲器
- 兩家公司盤后股價皆因此狂飆逾10%,漲停板?這是Cypress宣布收購Spansion后的市場反應。而后市會否互相推舉,則要取決于雙方業務的契合程度。
- 關鍵字:
Cypress Spansion 存儲器
- 三星電子(Samsung Electronics)過去最大獲利來源─半導體事業,自2011年第3季起被其另一獲利支柱─IM(Information technology & Mobile communications)事業部取代,至3年后的2014年第3季,方因IM事業獲利急轉直下,供需結構已趨于穩定的半導體事業再度成為三星最大獲利來源。
因包括標準型(Standard)、行動裝置、伺服器用DRAM位元需求量皆較前季增溫,三星2014年第3季DRAM營收較前季成長18.7%,達5.32兆
- 關鍵字:
存儲器 三星 DRAM
- 混合記憶體立方聯盟(HMCC)宣布HMCC 2.0規范已定案并公開。透過將資料傳輸率從15Gb/秒提高到30Gb/秒,同時將相關通道模型從短距離(SR)遷移到非常短距離(VSR),HMC第二代規范為記憶體性能建立了新的門檻,為該創新記憶體技術開發過程的一個重要里程碑,并預示其后續應用。
Open-Silicon矽智財(IP)和工程運營副總裁Hans Boumeester表示,HMCC 2.0為設計師提供了成熟的解決方案,以解決記憶體瓶頸并提供具有突破性記憶體性能的新一代系統。此次新標準得到批準,
- 關鍵字:
存儲器 HMCC 美光
- 可編程邏輯控制器(PLC),它采用一類可編程的存儲器,用于其內部存儲程序,執行邏輯運算、順序控制、定時、計數與算術操作等面向用戶的指令,并通過數字或模擬式輸入/輸出控制各種類型的機械或生產過程。PLC使用方便,編程簡單,性價比高,在現代工業中應用極廣。本文為大家介紹10個PLC的實用案例設計方案。
PLC在恒壓供水系統中的應用設計
本文設計的系統采用PLC作為控制中心,完成PID閉環運算、多泵上下行切換、顯示、故障診斷等功能,由變頻器調速方式自動調節水泵電機轉速,達到恒壓供水的目的。
- 關鍵字:
存儲器 PID Windows CE
- 半導體產業在經過整并之后,全球新秩序成型,對三星電子、SK海力士(SK Hynix)這兩家記憶體業的領導廠商而言,如何拉高利潤成為當務之急,擴產已不是他們的重點考量。以此來看,明(2015)年半導體市場供需有望更加平衡。
韓國時報16日報導,三星電子半導體部門一位主管表示,該公司的記憶體晶片事業會把重點放在保持供需平衡、穩定晶片價格上面,目前沒有理由以擴產的方式破壞市場。
該名主管指出,第4季市況展望仍然強勁,因為三星將依照計畫刺激行動DRAM與NAND型快閃記憶體的需求。他說,節制供應量
- 關鍵字:
三星 存儲器
-
?
英特爾副總裁暨實驗室執行總監王文漢展示與工研院合作開發的新陣列記憶體原型。
英特爾在臺舉辦亞洲區創新高峰會,展示和工研院合作開發的新記憶體技術,較現有DDR DRAM記憶體更省電,耗電降低至少25倍,未來可望為行動運算裝置延長電池使用時間。
英特爾是在2011年宣布將分5年投入500萬美元,由英特爾實驗室和工研院共同開發新的記憶體技術,以改善現有記憶體速度與耗電。可運用于手機、平板電腦、PC,到超級運算或大型資料中心。今天的亞洲區創新高峰會上英特爾則宣布和臺灣產
- 關鍵字:
英特爾 存儲器
- 根據DRAM研調機構DRAMeXchange最新研究報告顯示,第三季三大DRAM廠積極調配旗下產能以應付蘋果iPhone新機龐大行動式存儲器的需求﹔在排擠效應下,標準型存儲器產出減少,帶動第三季合約價格持續上漲,供貨吃緊下標準型存儲器蟬聯毛利最高的DRAM產品。DRAMeXchange表示,明年雖然平均銷售單價將逐季往下,但在位元產出仍持續增加的拉抬下,DRAM整體產值將持續攀升。
該機構表示,今年第三季DRAM產值達120億美元,較上季成長11%,單季營收再度創下新高。在產業寡占結構下,市場仍
- 關鍵字:
美光 DRAM 存儲器
- 引言
近年來,消費者對電子產品的更高性能和更小尺寸的要求持續推動著SoC(系統級芯片)產品集成水平的提高,并促使其具有更多的功能和更好的性能。要繼續推動這種無止境的需求以及繼續解決器件集成領域的挑戰,最關鍵的是要在深亞微米半導體的設計、工藝、封裝和測試領域獲得持續的進步。
SoC是采用IP復用技術的一種標準設計結構,在多功能電子產品中得到了廣泛的應用。SoC的典型結構包括CPU、存儲器、外圍邏輯電路、多媒體數字信號編解碼器和接口模塊等。現在的SoC中,存儲器通常占據整個芯片的大部分面積,并
- 關鍵字:
嵌入式 存儲器 測試
- 在傳統的大規模ASIC和SoC設計中,芯片的物理空間大致可分為用于新的定制邏輯、用于可復用邏輯(第三方IP或傳統的內部IP)和用于嵌入式存儲三部分。
當各廠商為芯片產品的市場差異化(用于802.11n的無線DSP+RF、藍牙和其他新興無線標準)而繼續開發各自獨有的自定義模塊,第三方IP(USB核、以太網核以及CPU/微控制器核)占用的芯片空間幾乎一成未變時,嵌入式存儲器所占比例卻顯著上升(參見圖1)。
圖1:當前的ASIC和SoC設計中,嵌入式存儲器在總可用芯片
- 關鍵字:
ASIC SoC 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器(Memory)是計算機系統中的記憶設備,用來存放程序和數據。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質,目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473