- 摘 要：本文提出了一種在MPEG-4 SP級解碼器中的SDRAM接口設計，并巧妙地利用了一種新穎的填充方法,使得程序執(zhí)行的效率大幅度提高。關鍵詞：SDRAM；MPEG-4；填充 引言圖像處理系統都需要用到容量大、讀寫速度高的存儲介質。SRAM操作簡單，但其昂貴的價格會使產品成本上升。相比較而言，SDRAM的控制較RAM復雜，但具有價格便宜、體積小、速度快、功耗低等優(yōu)點,所以從降低成本的角度出發(fā)，本文采用SDRAM實現MPEG-4 SP(Simple Profile)級解
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MPEG-4 SDRAM 填充 存儲器
- 摘 要：本文介紹了基于PCI專用芯片PCI9054和CPLD的DVB碼流接收系統的硬件設計。該設計采用了PCI9054+CPLD的數字處理方案，并采用一種新的方法更高效地利用雙端口RAM，保證了高速、大容量數據流的實時處理。關鍵詞：DVB；PCI；CPLD；雙端口RAM；WDM模式 前言通過PC接收DVB(數字視頻廣播)碼流已成為一項新的多媒體數據接收技術。因此，設計基于PC平臺的DVB碼流接收卡，是數字廣播電視發(fā)展的需要。由于DVB傳輸流的平均傳輸速率為6
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CPLD DVB PCI WDM模式 雙端口RAM 存儲器
- 摘 要：本文在分析了非對稱同步FIFO的結構特點及其設計難點的基礎上，采用VHDL描述語言，并結合FPGA，實現了一種非對稱同步FIFO的設計。關鍵詞：非對稱同步FIFO；VHDL；FPGA；DLL；BlockRAM引言FIFO是一種常用于數據緩存的電路器件，可應用于包括高速數據采集、多處理器接口和通信中的高速緩沖等各種領域。然而在某些應用，例如在某數據采集和處理系統中，需要通過同步FIFO來連接8位A/D和16位數據總線的MCU，但是由于目前同步FIFO器件的輸入與輸
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BlockRAM DLL FPGA VHDL 非對稱同步FIFO 存儲器
- LSI邏輯公司于2005年1月24日宣布，全球五大服務器生產商中有四家已成功地選用LSI邏輯的SAS設計方案，并準備推出第一代SAS企業(yè)級平臺，他們將使用LSI邏輯上SAS設計方案中的控制器IC、HBA、MegaRAID® 存儲適配器等。SAS設計方案的成功將使LSI邏輯繼續(xù)保持其在存儲市場中的領先地位，目前LSI邏輯已開始批量供應其4端口、8端口SAS 控制器IC和SASx12擴展器。 這些設計方案的成功進一步印證了LSI邏輯存儲技術的領先地位、率先向市場（first-to-marke
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LSI邏輯 存儲器
- 瑞薩科技加入Symbian同盟技術計劃
倫敦和東京，2005年1月19日－今天瑞薩科技公司宣布，瑞薩科技的superAND閃存存儲器使用的驅動器軟件，將包括在Symbian OS™的發(fā)貨中，提供給Symbian 操作系統許可使用商。通過Symbian同盟技術計劃，瑞薩科技將為使用Symbian操作系統生產智能電話的手機生產商提供簡單、低風險的機制，以評估其電話中使用的superAND閃存存儲器。通過授權許可使用，世界領先的移動電話生產商可以使用Symbian OS™。
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瑞薩 存儲器 存儲器
- 2004年9月A版
在下一代存儲器的開發(fā)中，強電介質存儲器MRAM(磁膜RAM)、OUM(雙向一致存儲器)是最有力的修補者，多家公司都進行產品化。不過各家公司的產品戰(zhàn)略有所不同，其產品或邏輯電路與強電介質存儲器結合而成系統LSI，或做成替代EEPROM、內存及DRAM的單個存儲器。
強電介質存儲器(FERAM/FRAM)為非易失性存儲器，除了象DRAM及SRAM一樣無需數據保持電源外，比起同樣非易失的閃速存儲器及EEPROM來，在寫入時間、寫入電壓、耐改寫性(寫入次數)、數據保存時間方面也十分
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存儲器 存儲器
- 日前瑞薩科技公司宣布推出H8S/2189F 16位片上閃存存儲器微控制器，可以提供業(yè)界首個軟件IP（知識產權）保護。在2005年1月7日，將從日本開始樣品發(fā)貨。
H8S/2189F包括完整的標準片上外設功能，通過安裝網絡、圖像處理或其它專用軟件IP，這些外設功能可以用在很多領域。
H8S/2189F的特性總結如下。
(1) 軟件IP保護功能，可以防止非法讀出。
片上閃存存儲器中有64K字節(jié)的區(qū)域用于軟件IP安裝。實現對此區(qū)域的保護可以防止外部對它的訪問，
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瑞薩科技 存儲器
- 日立集團（NYSE：HIT）全資子公司日立數據系統有限公司（HDS）發(fā)布拓展全球中小型企業(yè)市場的重要舉措，即推出專為渠道優(yōu)化的、構建在最新日立 Thunder 9520VTM 工作組模塊存儲系統之上的 SAN 整合與數據備份的解決方案。這些解決方案將主要面向微軟 Windows 2003 服務器平臺市場，是日立數據系統推出的首款渠道專用的解決方案。日立數據系統將通過日立 TrueNorthTM 全球渠道合作伙伴進行銷售，其中包括亞洲的聯想和宏基、美洲的 Gateway 等電腦巨頭，以及歐洲的 MAXD
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日立 存儲器
- 意法半導體（紐約證券交易所：STM）推出了一款64兆位的串行代碼存儲閃存，這個器件是世界上速度最快的64兆位串口閃存，數據傳輸時鐘頻率達被提高到50MHz，數據讀取吞吐量高達50兆位每秒，簡單的四線SPI串行外設接口大大簡化了系統設計，減少了封裝的引腳數量，深節(jié)能模式（power-down）僅消耗1微安電流，從而大幅度降低了系統功耗。M25P64是STM25P閃存產品家族中最新的密度最大的產品，特別適用于一體化打印機、PC主板、機頂盒、CD唱機和DVD視盤機、數字電視、數碼相機、圖形卡和平面顯示器等各種應
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意法半導體 存儲器
- 意法半導體近日推出了一款64兆位的串行代碼存儲閃存，這個器件是世界上速度最快的64兆位串口閃存，數據傳輸時鐘頻率達被提高到50MHz，數據讀取吞吐量高達50兆位每秒，簡單的四線SPI串行外設接口大大簡化了系統設計，減少了封裝的引腳數量，深節(jié)能模式（power-down）僅消耗1微安電流，從而大幅度降低了系統功耗。
M25P64是STM25P閃存產品家族中最新的密度最大的產品，特別適用于一體化打印機、PC主板、機頂盒、CD唱機和DVD視盤機、數字電視、數碼相機、圖形卡和平面顯示器等各種應用的代碼存
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存儲閃存 存儲器
- 2004年8月A版 6月22日，全球部分主要電子媒體聚集到英飛凌(Infineon)科技公司的存儲器生產基地—德國德累斯頓市，聆聽了存儲器產品事業(yè)部首席技術官(CTO)W. Beinvogl博士的講演，了解了這家世界主要的存儲器公司在非易失存儲器(NVM)方面所取得的一些研究成果。 盡管DRAM、Flash(閃存)等存儲器發(fā)展如日中天，但世界存儲器市場的主要供應商—英飛凌早已意識到現有的存儲器都有一定的技術局限，因此為了滿足未來更高性能、更低成本需求，需要創(chuàng)新性地開發(fā)一些新技術/產品(圖1)。
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存儲器
- 2004年8月A版 存儲器與處理器、邏輯電路并稱為IC的三大主流器件。存儲器可分為易失與非易失兩類，在市場上現存的存儲器歸類如圖1所示。 市場調查公司Gartner 2003年的研究認為，2003年整個存儲器的市場規(guī)模為334億美元左右，各種存儲器的市場份額如圖2所示，半導體存儲器的增長勢頭如圖3所示?？梢姰斀馜RAM、NOR閃存和NAND閃存的市場及前景最吸引業(yè)界的眼光。 當前SoC中也集成了存儲器，并且有容量越來越大的趨勢。實際上，單片的存儲器器件與SoC中的存儲器各有千秋，其
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存儲器
- 電子系統設計師很少考慮他們下一個設計中元器件的成本，而更關注它們能夠達到的最高性能。
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DDR 存儲器 接口設計
- IDT公司今天宣布推出最新先進存儲器緩沖器(AMB) 樣品，服務于多種全緩沖雙插線存儲器模塊（FB-DIMM）的生產商。這個新產品完全兼容JEDEC的AMB標準，是下一代高帶寬應用產品的必備技術，比如服務器和工作站，這些設備都要求更高的性能和大型的存儲容量。
FB-DIMM信道架構的一個關鍵功能就是在信道中的存儲控制器和模塊之間實現高速度、串行、點對點的連接。每個FB-DIMM上的AMB芯片負責收集和分配來自DIMM 的數據，在芯片上進行內部數據緩沖，并將數據轉發(fā)至下一個DIMM或者存儲控制器。
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IDT 存儲器
- 英飛凌科技公司在2004年IEEE（電子和電氣工程師學會 2004年12月13～15日于美國舊金山舉行）國際電子器件會議（IEDM）上，展示了該公司具有高生產性的、適合未來DRAM產品的70 nm工藝技術，此技術以在300 mm晶圓上的深溝（DT）單元為基礎。目前全球25％的DRAM生產都是以溝槽技術為基礎的。在其報告中，英飛凌闡述了全部集成計劃和主要技術特征――包括首次在基于溝槽技術的DRAM生產流程中使用高介電常數物質。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術突破，顯示了溝槽技術的可伸縮性。
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DRAM 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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