- 5月11日消息，全球第二大半導體制造商三星電子預計2006年計算機內存芯片全球銷售將步入連續第二年衰退。 三星電子在香港準備給投資人的文件中表示，動態隨機存取內存DRAM銷售今年將衰退4%，明年估計萎縮12% 。 據港臺媒體報道，DRAM供過于求導致Infineon等制造商出現虧損。 三星電子表示，供過于求的情況將持續至第三季，第四季才可能出現供需相符的情況。 三星電子
- 關鍵字：
三星 存儲器
- DDR-2內存如我們預期地目前已開始調整售價并可在下半年取代DDR內存在市場的主流位置，不過DDR-2內存眾所周知目前主要的問題也在于其高延遲性（CL 4/5）設計而大大影響了產品性能。如在同級的DDR與DDR-2內存對比當中DDR的性能肯定要高于DDR-2，但DDR-2未來始終還是會得益于其高工作頻率設定可達成更高的內存帶寬而將取代最高不過667MHz的DDR，無論如何DDR-2的高延遲特性如不能得到一定改良的話其性能表現始終是不能有太大的突破，而這個情況
- 關鍵字：
CL 存儲器
- 4月29日消息，韓國現代半導體（Hynix Semiconductor）和意法半導體公司本周四在中國江蘇省無錫市舉行了高級內存芯片加工廠建設的破土動工儀式。 韓國時報報道，這個內存芯片加工廠是根據現代半導體和意法半導體去年11月份達成的合資企業協議建設的。這個合資企業將在今年年底投入商業性生產。無錫市在聲明中稱，這個工廠首先使用8英寸晶圓進行生產，然后在2006年晚些時候過渡到12英寸晶圓。這個工廠
- 關鍵字：
現代 存儲器
- Synopsys公司為其Galaxy測試解決方案推出DFT編譯器和自動測試模式生成工具TetraMAX。其中DFT的快速掃描綜合技術和標準測試DRC引擎可加速掃描插入與測試設計規則檢查，從而使設計人員在短時間內完成測試性設計。而改進的TetraMAX ATPG算法將有助于數百萬門設計中優化壓縮的模式生成。www.synopsys.com
- 關鍵字：
Synopsys 存儲器
- Renesas公司近期宣布加入由Cypress、Infineon及Micron三家公司聯合倡導的CellularRAM標準聯合開發組。CellularRAM產品被設計用來進行2.5G和3G手機設計，是一種嵌入式替換方案，引腳和功能都與用于當前手機設計中的異步低功耗SRAM兼容。www.renesas.com
- 關鍵字：
Renesas 存儲器
- 飛利浦電子公司發布了全球第一款DVD+R/+RW和硬盤驅動器結合的半導體參考設計。該參考設計基于 PNX7100 MPEG-2解碼器，具有完整的硬件圖單、材料單、業界標準的軟件堆棧、全面的Nexperia Home開發工具包以及相關文件。為亞洲的消費電子OEM廠商提供了低材料成本及快速的上市時間。www.semiconductors.philips.com
- 關鍵字：
飛利浦 存儲器
- 摘 要：本文介紹了一種以TMS320C54x為核心的移動存儲終端，終端中使用NAND Flash作為存儲器件。討論了TMS320C54x對NAND Flash的編程以及接口設計。關鍵詞：DSP；NAND；Flash
引言移動存儲終端包括手機、掌上電腦、PDA和數碼相機等手持設備及各種信息家電。在這類產品中既要結合存儲功能，又需要具備一定的信號處理能力，因此基于DSP芯片的設計方案成為這些產品的主流方案。同時，為了降低產品成本，采用具有較高容量/價格比的NAND Fla
- 關鍵字：
DSP Flash NAND 存儲器
- 按慣例，設計人員總把SRAM 作為其最基本的形式，即單端口、單時鐘域器件。在需要更高性能時，設計人員通常會選擇更高的時鐘頻率和更寬的總線。盡管這樣可以顯著提高 SRAM 性能，但卻并不是唯一的方法。我們也可以開發用于先進通信系統的存儲器，這就將工作重點轉向了帶寬，而不是時鐘頻率。存儲器帶寬的定義為：給定時間內可通過器件訪問的數據量。通常單位為Mbps乃至極高性能存儲器的Gbps。帶寬的主要組成部分為 I/O 速度、接入端口寬度以及存儲器可用的接入端口數量。用以下簡單的方程式可計算出帶寬：帶寬=I/O速度
- 關鍵字：
SRAM 存儲器
- 摘 要：本文對高速、高精度大容量數據采集板卡所采用的SDRAM控制器技術進行了討論，詳細介紹了基于FPGA的SDRAM控制器的設計、命令組合以及設計仿真時序，并將該技術應用于基于PCI總線的100MHz單通道 AD9432高速大容量數據采集板卡，最后給出了板卡測試結果。關鍵詞：SDRAM；FPGA；AD9432
引言高速數據采集具有系統數據吞吐率高的特點，要求系統在短時間內能夠傳輸并存儲采集結果。因此，采集數據的快速存儲能力和容量是制約加快系統速度和容許采集時間的主要因素之一。通常用于數據采
- 關鍵字：
AD9432 FPGA SDRAM 存儲器
- 根據彭博資訊(Bloomberg)，證券業者花旗集團旗下半導體分析師，宣布將DRAM業者包括美光集團科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評等調高，理由是認為DRAM價格下跌的狀態將開始減緩。 據了解，花旗將Infineon和南亞科技的評等由“持有”調高至“買進”，Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調高至“持有”，韓國三星電子評等維持不變在“持有”。分析師指出，價格可能在下個月或其后一個約觸底，而全球
- 關鍵字：
DRAM 存儲器
- 軟誤差是半導體器件中無法有意再生的“干擾”(即數據丟失)。它是由那些不受設計師控制的外部因素所引起的，包括α粒子、宇宙射線和熱中子。許多系統能夠容忍一定程度的軟誤差。例如，如果為音頻、視頻或靜止成像系統設計一個預壓縮捕獲緩沖器或后置解壓縮重放緩沖器，則一個偶然出現的缺陷位可能不會被察覺，而且對用戶而言也許并不重要。然而，當存儲元件在關鍵任務應用中負責控制系統的功能時，軟誤差的不良影響就會嚴重得多，不僅會損壞數據，而且還有可能導致功能缺失和關鍵系統故障。本文將討論產生這些軟誤差的根源、不同的測量技術以及抵御
- 關鍵字：
賽普拉斯 存儲器
- 引言當前電子設計的趨勢是復合功能化以及更廣泛地使用模擬、數字混合技術。在設計、建模和測試諸如3G手機及機頂盒等混合了視頻、音頻及數據信號的系統時，需要緊密集成與基頻采樣頻率、失真和觸發特性相匹配的數字及模擬數據采集和發生硬件。模擬及數字儀器不再是具有完全相異的定時引擎和不匹配模擬性能的獨立系統。另外，隨著這些具有類似時鐘的設備在全球范圍內廣泛地制造，產品必須在極寬的溫度范圍內具有穩定性和性能一致性，以便進行可靠的、高性能的功能測試。NI設計的同步及存儲磁心(SMC)作為一種針對高速模塊化儀器的通用結構回應
- 關鍵字：
NI 存儲器
- 意法半導體(ST)公布的一項新技術rSRAM，完全可以消除近年來不斷困擾電子設備制造商的 “軟錯誤”難題。由于該技術對標準SRAM存儲單元的改進方法是在單元結構內以垂直方式增裝附加電容器，因此，芯片面積以及制造成本都不會受到較大的影響。www.st.com
- 關鍵字：
ST 存儲器
- 4月28日，意法半導體(STMicro)與韓國現代半導體(Hynix)在無錫舉行了奠基典禮，在中國建設首家存儲器芯片前端制造廠。合資廠計劃總投資20億美元，將制造DRAM存儲器和NAND閃存芯片。
點評
與前幾年的建線熱相比，2005年我國IC制造領域冷清了許多。這一方面是受到全球半導體市場回升緩慢的影響，另一方面也是主流晶圓制造廠商在為下一步的發展在資金和工藝等方面進行積累和蓄勢。而在集成電路制造業方面也有一些利好的消息，有媒體報道稱，臺灣廠商在祖國大陸投資建設晶圓廠的限制將進一步放寬，
- 關鍵字：
ST 存儲器 Hynix
- 摘 要：本文根據FPGA器件的特點，介紹了應用FPGA設計某通信設備中PCM碼流處理模塊的一種方案。并就設計中遇到的問題進行了分析。關鍵詞：FPGA；RAM引言由于FPGA器件可實現所有數字電路功能 ，具有結構靈活、設計周期短、硬件密度高和性能好等優點，在高速信號處理領域顯示出愈來愈重要的作用。本文研究了基于FPGA技術對PCM碼流進行處理的實現方法。變換后的數據寫入RAM，與DSP配合可完成復雜的信號處理功能。設計方案某新型通信設備中，在完成調度功能的板子上，需要進行
- 關鍵字：
FPGA RAM 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
