IDT推出最新先進(jìn)存儲器緩沖器(AMB) 樣品

　　IDT公司今天宣布推出最新先進(jìn)存儲器緩沖器(AMB) 樣品，服務(wù)于多種全緩沖雙插線存儲器模塊（FB-DIMM）的生產(chǎn)商。這個新產(chǎn)品完全兼容JEDEC的AMB標(biāo)準(zhǔn)，是下一代高帶寬應(yīng)用產(chǎn)品的必備技術(shù)，比如服務(wù)器和工作站，這些設(shè)備都要求更高的性能和大型的存儲容量。

　　FB-DIMM信道架構(gòu)的一個關(guān)鍵功能就是在信道中的存儲控制器和模塊之間實現(xiàn)高速度、串行、點對點的連接。每個FB-DIMM上的AMB芯片負(fù)責(zé)收集和分配來自DIMM 的數(shù)據(jù)，在芯片上進(jìn)行內(nèi)部數(shù)據(jù)緩沖，并將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至下一個DIMM或者存儲控制器。這種獨特的信道結(jié)構(gòu)減少了在帶寄存器的DIMM技術(shù)中很常見的緩沖時延問題，能夠使設(shè)計人員在單一的系統(tǒng)中應(yīng)用大量的DIMM。