cl 文章 最新資訊
CL 2.5水平低延遲DDR-2內(nèi)存芯片即將量產(chǎn)
- DDR-2內(nèi)存如我們預(yù)期地目前已開始調(diào)整售價并可在下半年取代DDR內(nèi)存在市場的主流位置，不過DDR-2內(nèi)存眾所周知目前主要的問題也在于其高延遲性（CL 4/5）設(shè)計而大大影響了產(chǎn)品性能。如在同級的DDR與DDR-2內(nèi)存對比當(dāng)中DDR的性能肯定要高于DDR-2，但DDR-2未來始終還是會得益于其高工作頻率設(shè)定可達(dá)成更高的內(nèi)存帶寬而將取代最高不過667MHz的DDR，無論如何DDR-2的高延遲特性如不能得到一定改良的話其性能表現(xiàn)始終是不能有太大的突破，而這個情況
- 關(guān)鍵字： CL 存儲器
| 共2條 1/1 1 |
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473