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半導(dǎo)體?測(cè)試?系統(tǒng)?
半導(dǎo)體?測(cè)試?系統(tǒng)? 文章 最新資訊
[未來(lái)可測(cè)]系列之二:憶阻器單元基礎(chǔ)研究和性能研究測(cè)試方案

- _____憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示,與電阻R,電容C,電感L構(gòu)成四種基本無(wú)源電路器件,它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶,其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能,是一種新一代高速存儲(chǔ)單元,通常稱為阻變存儲(chǔ)器(RRAM)。憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括:非易失存儲(chǔ)(Nonvolatile memory),邏輯運(yùn)算(Logic computing),以及類腦神經(jīng)形態(tài)計(jì)算(Brain-inspired neuromorphic computing)等。這三種截然不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)路線,為發(fā)展信息
- 關(guān)鍵字: 憶阻器單元 基礎(chǔ)研究 測(cè)試
半導(dǎo)體投資放緩,今年有3400多家芯片公司消失了

- 數(shù)據(jù)顯示,2022年1月至8月30日前8個(gè)月內(nèi),中國(guó)吊銷、注銷芯片相關(guān)企業(yè)達(dá)到3470家,超過(guò)往年全年企業(yè)數(shù)量。這意味著,隨著新冠疫情反復(fù)、消費(fèi)需求低迷等因素,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)無(wú)法撐住,最終陸續(xù)退出賽道。(圖片來(lái)源:Unsplash) 近兩年中國(guó)芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資熱潮,如今出現(xiàn)“寒冬”跡象。 鈦媒體App?日前從企查查處獨(dú)家獲得的一份數(shù)據(jù)顯示:2017-2021年,中國(guó)吊銷、注銷芯片相關(guān)企業(yè)分別為461家、715家、1294家、1397家、3420家。2022年1月至8月30日前8個(gè)月內(nèi),
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體8寸晶圓行情“急轉(zhuǎn)直下”,少數(shù)晶圓廠已同意延期拉貨
- 據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》,半導(dǎo)體景氣下行已延伸至最上游的硅晶圓材料領(lǐng)域。業(yè)界人士透露,近期8寸硅晶圓市況“急轉(zhuǎn)直下”,后續(xù)12寸硅晶圓產(chǎn)品也難逃沖擊,環(huán)球晶、臺(tái)勝科、合晶等臺(tái)廠警戒。其中,合晶8吋矽晶圓產(chǎn)品比重最高,恐率先感受市況波動(dòng),環(huán)球晶、臺(tái)勝科也將逐步受影響。受半導(dǎo)體市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)弱沖擊,業(yè)界人士指出,有部分矽晶圓廠商已同意一些下游長(zhǎng)約客戶的要求,可延后拉貨時(shí)程。 業(yè)界人士透露,近期8寸晶圓市況突然急轉(zhuǎn)直下,估計(jì)后續(xù)可能蔓延到12寸記憶體用硅晶圓,再延伸到12寸邏輯IC應(yīng)用,預(yù)期客戶端于第四季度到明年第
- 關(guān)鍵字: 晶圓 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體人才流入低于其他行業(yè),60%高管認(rèn)為公司品牌形象較差
- 日前,麥肯錫公司發(fā)布調(diào)查文章《半導(dǎo)體制造商如何將人才挑戰(zhàn)轉(zhuǎn)化為競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)》,解讀行業(yè)內(nèi)人才困境。研究顯示,目前存在于半導(dǎo)體行業(yè)的三大關(guān)鍵挑戰(zhàn)在于人才獲取、留住人才和組織健康。 過(guò)去一年的芯片短缺,讓世界上一些最重要的行業(yè)放緩了前進(jìn)步伐。汽車制造、電力和醫(yī)療保健等行業(yè),都因?yàn)榘雽?dǎo)體資源匱乏而導(dǎo)致生產(chǎn)和創(chuàng)新受阻。作為響應(yīng),幾家大型芯片制造商已承諾在美國(guó)和歐洲建立新工廠,旨在減輕亞洲生產(chǎn)商的壓力。然而,有一個(gè)因素可能會(huì)破壞他們的計(jì)劃:在激烈的競(jìng)爭(zhēng)中,半導(dǎo)體公司發(fā)現(xiàn)吸引和留住人才比以往任何時(shí)候都更加困難。
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 競(jìng)爭(zhēng)
印度出臺(tái)半導(dǎo)體激勵(lì)計(jì)劃 預(yù)計(jì)至少投資250億美元
- 9月22日消息,印度信息技術(shù)部副部長(zhǎng)拉杰夫·錢(qián)德拉塞卡(Rajeev Chandrasekhar)周三宣布,印度政府計(jì)劃增加對(duì)新半導(dǎo)體和顯示設(shè)備制造行業(yè)的支持力度,預(yù)計(jì)將爭(zhēng)取至少250億美元的總投資。 在他公布上述消息的幾個(gè)小時(shí)前,印度政府將對(duì)新半導(dǎo)體設(shè)施的財(cái)政支持提高到項(xiàng)目成本的50%,并表示將取消允許投資的最高上限,以激勵(lì)顯示器本地制造。 根據(jù)總規(guī)模達(dá)100億美元的芯片和顯示器生產(chǎn)激勵(lì)計(jì)劃,印度總理納倫德拉·莫迪(Narendra Modi)領(lǐng)導(dǎo)的政府正在尋求吸引更多大額投資,旨在使印度成為全
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蓄電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)*

- 摘 要:本文研究了一種基于LT8714的蓄電系統(tǒng)。該蓄電系統(tǒng)由六個(gè)模塊組成,工作時(shí)結(jié)合系統(tǒng)象限控制原 理,通過(guò)輸出電感電流檢測(cè)信號(hào)和誤差放大器的輸出口信號(hào)展開(kāi)對(duì)比,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)占空比的控制輸出。最后對(duì)所 研究的蓄電系統(tǒng)展開(kāi)調(diào)試。測(cè)試數(shù)據(jù)表明,該系統(tǒng)輸出電壓精度較高。關(guān)鍵詞:系統(tǒng);電路;功能;測(cè)試*基金項(xiàng)目:福建省2020年中青年教師教育科研項(xiàng)目(JAT201066)。0 引言?隨著綠色能源概念的倡導(dǎo),蓄電池 [1] 在電動(dòng)汽車、 便攜式電子 [2] 設(shè)備、無(wú)線充電 [3] 等應(yīng)用中具有廣闊的
- 關(guān)鍵字: 202209 系統(tǒng) 電路 功能 測(cè)試
蘋(píng)果正式推送iOS 16系統(tǒng)更新

- 今天,蘋(píng)果正式發(fā)布了iOS 16。iOS 16在iPhone 8及更高版本上可用,蘋(píng)果今年放棄了對(duì)iPhone 6s,iPhone 7和原始iPhone SE的支持。iOS 16通常伴隨著iPadOS 16,但蘋(píng)果仍在研究iPadOS 16的功能,因此iPadOS 16已被推遲,iPadOS 16.1更新將在不久的將來(lái)與iOS 16.1一起推出。更新的鎖屏體驗(yàn)是iOS 16中最顯著的變化,現(xiàn)在可以自定義鎖屏的外觀,可以選擇要顯示的壁紙、字體甚至小部件。特定的對(duì)焦模式和 Apple Watch 面孔甚至可以
- 關(guān)鍵字: 蘋(píng)果 iOS 系統(tǒng)
鴻海印度半導(dǎo)體合資廠有譜 傳落腳地已拍板
- 鴻海集團(tuán)(2317)和印度大型跨國(guó)集團(tuán)Vedanta在半導(dǎo)體的合作布局有譜,傳已完成選址作業(yè),相中的廠地落腳在印度總理莫迪(Narendra Modi)家鄉(xiāng)古吉拉特邦(Gujarat),且最快在本周就將簽訂MOU(合作備忘錄),算是為「兩年內(nèi)啟動(dòng)首批生產(chǎn)」的內(nèi)部規(guī)畫(huà),跨出了成功的第一步。據(jù)悉為了促成此投資計(jì)劃,Vedanta曾派員造訪印度西部馬哈拉什特拉省(Maharashtra)普那市(Pune),勘查了一塊占地達(dá)160公頃的土地,并將該處設(shè)定為設(shè)廠首選。除此之外,Vedanta也將鄰近的古吉拉特邦(G
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【未來(lái)可測(cè)】系列之一:碳基芯片將成未來(lái)主流,半導(dǎo)體材料及電子器件測(cè)試是研究基礎(chǔ)

- 碳基半導(dǎo)體材料,是在碳基納米材料的基礎(chǔ)上發(fā)展出來(lái)的。所謂的納米材料,是指三維空間尺度至少有一維處于納米量級(jí)(1-100nm)的材料,包括:零維材料 – 量子點(diǎn)、納米粉末、納米顆粒;一維材料 – 納米線或納米管;二維材料 – 納米薄膜,石墨烯;三維材料 -? 納米固體材料。按組成分,納米材料又可以分為金屬納米材料、半導(dǎo)體納米材料、有機(jī)高分子納米材料及復(fù)合納米材料。由于納米材料某一維度達(dá)到納米尺寸,其特性將表現(xiàn)出異于宏觀尺寸的材料,這些特性包括:表面與界面效應(yīng) - 熔點(diǎn)降低,比熱增大;小尺寸效應(yīng) -
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KLA談5G對(duì)半導(dǎo)體及制造工藝的挑戰(zhàn)
- 1. 5G發(fā)展會(huì)帶來(lái)的影響和好處有哪些? 5G 的發(fā)展會(huì)為半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)哪些挑戰(zhàn)?5G,即第五代無(wú)線網(wǎng)絡(luò)技術(shù),為移動(dòng)電話帶來(lái)超高速率(數(shù)據(jù)傳輸比 4G LTE 快 100-200 倍),在流媒體應(yīng)用上響應(yīng)更快、延遲更少,并為人工智能 (AI)、虛擬現(xiàn)實(shí) (VR)、混合現(xiàn)實(shí)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、自動(dòng)駕駛、精密的云應(yīng)用程序服務(wù)、機(jī)器間連接、醫(yī)療保健服務(wù)等領(lǐng)域的發(fā)展鋪平了道路。然而,為了充分實(shí)現(xiàn) 5G 的潛在應(yīng)用場(chǎng)景,我們需要許多其他的組件來(lái)支持該全新的基礎(chǔ)設(shè)施,其中半導(dǎo)體設(shè)備的比重也不斷增加。其包括高容量
- 關(guān)鍵字: KLA 5G 半導(dǎo)體 制造 工藝
瞄準(zhǔn) 3D 結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體制造封裝需求,尼康力圖實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)出貨量倍增

- 集微網(wǎng)消息,據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道,尼康公司日前提出半導(dǎo)體光刻設(shè)備新的業(yè)務(wù)發(fā)展目標(biāo),即到 2026 年 3 月為止的財(cái)年,將光刻機(jī)年出貨量較目前的三年平均水平提高一倍以上。報(bào)道稱,尼康將積極開(kāi)拓除英特爾以外的其他客戶,特別是日本本土和中國(guó)地區(qū)客戶,計(jì)劃將英特爾在光刻機(jī)設(shè)備營(yíng)收中所占比重從 80% 降低到 50%。尼康還將推出適應(yīng) 3D 堆疊結(jié)構(gòu)器件如存儲(chǔ)半導(dǎo)體、圖像傳感器制造需求的光刻機(jī)新產(chǎn)品,已提高其在成熟制程設(shè)備市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力,目前,該公司平均每年售出 16 臺(tái) ArF 光刻機(jī)(含二手翻新)。
- 關(guān)鍵字: 尼康 光刻機(jī) 半導(dǎo)體
電子產(chǎn)業(yè)未來(lái)的材料——氧化鎵(Ga2O3)

- 可以說(shuō),人類在20世界下半葉開(kāi)始,絕大部分的科技成果都建立在電子計(jì)算機(jī)之上,而半導(dǎo)體材料,就是各類現(xiàn)代信息技術(shù)的基石。自上世紀(jì)50年代,以硅和鍺為代表的第一代半導(dǎo)體材料為人類信息技術(shù)的高速發(fā)展走出了第一步;時(shí)間來(lái)到20世紀(jì)90年代,第二代半導(dǎo)體橫空出世,以砷化鎵、磷化銦為代表的材料為人類在無(wú)線電通訊、微波雷達(dá)及紅光 LED方面起到了舉足輕重的作用;而近十年來(lái),也被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料的氮化鎵和碳化硅、氧化鋅等第三代半導(dǎo)體,直接推動(dòng)了功率器件、短波長(zhǎng)光電器件、光顯示、光存儲(chǔ)、 光探測(cè)、透明導(dǎo)電等領(lǐng)域的高速發(fā)
- 關(guān)鍵字: 氧化鎵 半導(dǎo)體 新材料
俄公民被禁止考托福?美宣布新一輪對(duì)俄制裁,針對(duì)俄羅斯“硅谷”和半導(dǎo)體行業(yè)

- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二(8月2日),美國(guó)宣布了新一輪對(duì)俄羅斯的制裁,主要針對(duì)俄羅斯的金融和技術(shù)領(lǐng)域,尤其是俄羅斯的高科技和半導(dǎo)體行業(yè)。據(jù)悉,此次被制裁的對(duì)象包括被稱作“俄羅斯硅谷”的斯科爾科沃科技園(Skolkovo)、莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)、世界最大鋼鐵生產(chǎn)商之一馬格尼托哥爾斯克鋼鐵集團(tuán)公司(MMK)及其董事會(huì)主席等。此外,俄知名化工企業(yè)佛薩卡集團(tuán)的創(chuàng)始人安德烈·古里耶夫(Andrey Guryev)也在制裁名單內(nèi)。不過(guò)報(bào)道指出,該集團(tuán)本身暫未在制裁名單上。根據(jù)美國(guó)國(guó)務(wù)院發(fā)布的官方文件,被制裁的對(duì)象在美國(guó)
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東芝第三代 SiC MOS 性能提升 80%,將在 8 月下旬量產(chǎn)

- 據(jù)東芝近日官網(wǎng)宣布,他們的第三代 SiC MOSFET(碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管)計(jì)劃在今年 8 月下旬開(kāi)始量產(chǎn)。據(jù)了解,該新產(chǎn)品使用全新的器件結(jié)構(gòu),具有低導(dǎo)通電阻,且開(kāi)關(guān)損耗與第二代產(chǎn)品相比降低了約 20%。2020 年 8 月,東芝利用這項(xiàng)新技術(shù)量產(chǎn)了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。這是一種將 SBD 嵌入 MOSFET 的結(jié)構(gòu),將其與 PN 二極管 并聯(lián)放置 ,能將可靠性提升 10 倍 。雖然上述器件結(jié)構(gòu)可以顯著提升可靠性,可它卻有著無(wú)法規(guī)避的缺點(diǎn) —— 特定導(dǎo)通電阻和性能
- 關(guān)鍵字: 東芝 半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)管
美日連手將成立新的聯(lián)合國(guó)際半導(dǎo)體研究中心
- 日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣萩生田光一(Koichi Hagiuda)今天在華盛頓的記者會(huì)指出,美日已決定成立一個(gè)新的聯(lián)合國(guó)際半導(dǎo)體研究中心。路透社報(bào)導(dǎo),美日在經(jīng)濟(jì)會(huì)談中同意,將共同研發(fā)次世代半導(dǎo)體,以建立這種重要組件一個(gè)安全的來(lái)源。美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)雷蒙多(Gina Raimondo)表示,雙方今天深入討論「有關(guān)日本和美國(guó)如何進(jìn)行合作,尤其是在先進(jìn)半導(dǎo)體方面」。「日經(jīng)亞洲」(Nikkei Asia)稍早報(bào)導(dǎo),日本將于今年底之前與美國(guó)合作開(kāi)設(shè)一個(gè)次世代2奈米芯片研發(fā)中心,這是兩國(guó)致力建構(gòu)安全芯片供應(yīng)鏈行動(dòng)的一環(huán)。美日計(jì)劃研
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半導(dǎo)體?測(cè)試?系統(tǒng)?介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條半導(dǎo)體?測(cè)試?系統(tǒng)?!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)半導(dǎo)體?測(cè)試?系統(tǒng)?的理解,并與今后在此搜索半導(dǎo)體?測(cè)試?系統(tǒng)?的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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