國產雄起！合肥長鑫19nm DRAM內存芯片產能增加

存儲器產品占到了我國每年進口半導體芯片中的大頭，其中DRAM內存芯片占比最高，有20%以上。

最新報道稱，合肥長鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的產能，目標是月產4萬片晶圓。

在9月份開幕的201 9世界制造業大會上，合肥長鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長鑫內存芯片自主制造項目投產，將生產國產第一代10nm級8Gb DDR4內存。

長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明介紹，投產的8Gb DDR4通過了多個國內外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產。

據悉，長鑫的DRAM技術主要來自已經破產的奇夢達，包括將后者一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據收歸囊中。