- 據摩根斯坦利公司的分析師Frank Wang稱，DDR2芯片的價格未來將繼續上漲，并很有可能會超過DDR3芯片的售價，不過漲價期應該不會超過6個月，而DDR3芯片則將在這段時間內漸成市場主流。據Wang分析，驅動最近DDR2芯片價格上漲的主要因素是各大內存芯片廠商紛紛將產能轉而投放到DDR3芯片的生產上。三星，海力士，爾必達以及鎂光幾家大廠均在積極抬高DDR3芯片的產能，同時壓低DDR2芯片的產能。
盡管如此，如果中國大陸國慶節期間DDR2芯片的市場需求不如預期的強勢，那么DDR2芯片的價格仍有
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DDR2 內存芯片 DDR3
- 爾必達公司近日宣布已經完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內存芯片的研發工作，今年11月份這種芯片將進入送樣階段，年底前則可實現正式批量供貨。據爾必達公司表示，這種新芯片的面積更小，總體良品率 方面也比過去的50nm制程DDR3產品提升44%，而1.6Gbps數據傳輸率的產品良率更可達100%。
比較舊有的50nm制程產品，新40nm 2Gb DDR3內存驅動電流只有前者的2/3左右，支持1.2V/1.35V的較低工作電壓，同時也可以在DDR3標準的1.5V電壓下工作。這樣這種芯片的
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爾必達 40nm SDRAM 內存芯片
- 全球最大內存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示，盡管半導體業已由2年的低迷谷底重振，公司對前景仍抱持謹慎態度。
三星電子半導體部門總裁權五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國臺灣臺北舉辦的移動解決方案年度論壇上表示，由于政府鼎力相助，此行業現發展情況優于公司當初預期。然而他指出：“盡管如此，我們抱持的觀點仍偏向謹慎，預估歐美感恩節假期時，將是銷售情況的轉折點。”
感恩節假期在美國落在11月，加拿大則為10月。
權五鉉另表示，目
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三星 內存芯片 LCD
- 全球最大內存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示，盡管半導體業已由2年的低迷谷底重振，公司對前景仍抱持謹慎態度。
三星電子半導體部門總裁權五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國臺灣臺北舉辦的移動解決方案年度論壇上表示，由于政府鼎力相助，此行業現發展情況優于公司當初預期。然而他指出：“盡管如此，我們抱持的觀點仍偏向謹慎，預估歐美感恩節假期時，將是銷售情況的轉折點。”
感恩節假期在美國落在11月，加拿大則為10月。
權五鉉另表示，目
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Samsung 內存芯片 DRAM
- 三星公司半導體事業部總裁Oh-Hyun Kwon透露，三星公司正在逐步增加其DDR3內存芯片的產能，因此預計最近市場上出現的內存芯片供應緊張的局面很快便會有所緩解。據Kwon表示，最近市場對DDR3內存芯片的需求漲勢很旺，甚至超過了三星的預期，為了滿足市場的需求，三星準備增大DDR3芯片的產能，另外Kwon還宣稱三星目前已經在使用40nm制程技術生產內存芯片產品，而明年40nm制程則將成為三星的主力制程。
另外Kwon還表示三星將主要通過制程技術升級等技術升級手段來達到增加產能的目的，他并稱建造
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三星 內存芯片 DDR3
- 北京時間9月22日消息，據國外媒體報道，韓國工業巨頭曉星(Hyosung)周二稱，公司已向海力士半導體發出了收購要約，欲購入后者的大部分股份。
曉星的發言人稱，公司已經向海力士的九家大股東發出了收購函。海力士的股東包括韓國外匯銀行與韓國發展銀行。
該發言人拒絕透露收購可能涉及的金額。
海力士周二收于22050韓元。以此計算，其大股東所持公司28%股份，價值約為3.65萬億韓元，合30.3億美元。
而韓國外匯銀行的一位官員在周二早些時候稱，該行計劃在今年11月同收購方討論此次交易
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海力士 內存芯片
- 9月21日消息，據彭博社報道，臺灣最大的電腦內存芯片制造公司南亞科技日前表示，因為原材料供應緊缺，公司將于10月上半月將內存芯片價格提高20%。此前公司在9月18日剛剛宣布將價格上調10%。
南亞科技發言人白培霖(Pai Pei-lin)在電話中表示：“我們的一些客戶抱怨說，我們的價格太高了，同時我們又不能完成所有的訂單，因為目前原材料供應十分緊缺。我們將同那些接受我們價格的客戶展開談判和溝通。”
該芯片制造商計劃在連續兩個月抬升價格后，在10月上半月再次提高售價1
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南亞科技 內存芯片
- 據國外媒體報道，2002年當三星電子市值超過索尼的時候就引起了市場震驚，這標志著三星電子成為全球電子行業真正的主要成員，從那時開始三星的品牌形象就開始持續改進。目前，這個世界排名第二的韓國電子巨頭的市值將要趕上美國芯片巨頭英特爾。
分析師預計三星電子市值將在一年左右時間超過英特爾。因為自從始于雷曼兄弟倒閉的全球經濟危機席卷全球以來，三星電子經歷了個非常成功的一年。截至去年年底，三星電子在全球內存芯片市場的份額從21%上升至了27%。三星電子同時還是全球最大的電視制造商以及排名第二的手機制造商。三
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三星 內存芯片 液晶面板
- 據國外媒體報道，2002年當三星電子市值超過索尼的時候就引起了市場震驚，這標志著三星電子成為全球電子行業真正的主要成員，從那時開始三星的品牌形象就開始持續改進。目前，這個世界排名第二的韓國電子巨頭的市值將要趕上美國芯片巨頭英特爾。
分析師預計三星電子市值將在一年左右時間超過英特爾。因為自從始于雷曼兄弟倒閉的全球經濟危機席卷全球以來，三星電子經歷了個非常成功的一年。截至去年年底，三星電子在全球內存芯片市場的份額從21%上升至了27%。三星電子同時還是全球最大的電視制造商以及排名第二的手機制造商。三
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三星 內存芯片 手機
- 自今年初芯片價格達到數年來的最低點后開始上揚，8月份繼續上揚，終于達到盈利水平。
Gartner報告指出，8月1Gb DDR3芯片合同價格上漲了18.9%，為每個1.58美元;老款芯片DDR2合同價格上漲了13.7%，為每個1.45美元。
內存芯片價格上漲正值PC廠商生產并向全球市場發送PC之際。對許多國家而言，返校季節即將來臨，許多學生會攜新筆記本返?；蚱涓改纲徺I臺式機。因返校季節成為銷售旺季，會使內存市場價格上揚，有時價格會一直上揚至12月底，年底將是圣誕銷售旺季。
今年微軟Wi
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奇夢達 內存芯片 DDR3 DDR2
- 據臺灣媒體報道，臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導致茂德、力晶等內存芯片公司向旺宏賣廠求現的美夢破碎，恐促使DRAM(動態隨機存儲器)廠雪上加霜。
旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內存芯片廠，積極擴廠后，更將坐穩獲利龍頭寶座。
旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃，已向臺灣當局遞交文件，申請進駐中科后里園區。第一期建廠預計年底前動工，2011年初投產，兩座新廠規劃產能約8萬片，并導入60納米以下最新技術。
為配合旺宏建廠計
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力晶 DRAM 內存芯片
- 據市場研究公司iSuppli稱，2009年第二季度全球DRAM內存芯片的銷售收入達45億美元，比今年第一季度的34億美元增長了34%。今年第一季度全球DRAM內存芯片的銷售收入比去年第四季度下降了19%。不過，與去年同期相比，第二季度的DRAM內存芯片的銷售收入下降了33.5%。
日本內存芯片供應商Elpida Memory第二季度的DRAM內存銷售收入是7.45億美元，比第一季度的4.79億美元增長了50%，是所有DRAM內存芯片廠商中增長率最高的。第二季度DRAM內存芯片的平均銷售價格比第一
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三星 DRAM 內存芯片 DDR3
- 據國外媒體報道，全球最大的兩家閃存芯片制造商，三星電子與東芝公司今日表示，美國司法部針對兩家公司展開的反壟斷調查已經結束。此次反壟斷調查歷時2年。
三星電子的一位女發言人今日宣布，美國司法部已通知三星電子，對公司的相關調查已告結束。東芝美國分公司則在7月28日收到了有關通知。但美國司法部女發言人塔拉莫娜拒絕對此發表評論。
美國司法部對閃存芯片制造商的反壟斷調查始于2007年9月，調查源于司法部懷疑半導體行業存在限定價格的可能。另一項獨立的調查則在4家電腦內存芯片公司中展開，這其中也包括三星
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三星 閃存芯片 內存芯片
- 據透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內存公司計劃明年內轉向使用40nm制程技術，而在40nm制程技術完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術作為過渡性的制程技術。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術基礎上開發出了60nm制程技術。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段，但由于受到經濟危機的影響未能成行。
目前韓國三星電子已經在使用40nm 6F2技術生產內存芯片，而到40nm制程技術成熟時，三星還將推出4F2技術。
美國鎂光公司則已經在110nm制
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爾必達 40nm 內存芯片 50nm
- 浪潮集團3000萬元收購奇夢達中國研發中心，使逐漸沉寂的浪潮軟件再次引發業界關注。
全球第三大、歐洲最大的內存芯片廠德國奇夢達身背巨債，使得浪潮集團獲得了存儲器的核心技術，在浪潮集團董事長孫丕恕看來，3000萬元的購價對于過億的研發資產來說，是一筆劃算的交易。
實際上，今年4月初，浪潮軟件連續暴漲，市場就已廣泛流傳浪潮集團并購德國奇夢達的說法。
不過，業界人士提出，面對全球芯片市場一片蕭條、企業紛紛虧損的現狀;面對一條生產線動輒數百億元的投資，浪潮集團廉價買到的核心技術能否得到市場化
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奇夢達 內存芯片 存儲器 半導體制造
內存芯片介紹
簡單地說:內存之所以能存儲資料,就是因為有了這些芯片!
根據品牌的不同,所采用的芯片亦有所區別,具體的識別辦法是:
具體含義解釋：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。
第2位——芯片類型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [
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